Waiting
Procesando inicio de sesión ...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
Journal / Engineering / Biyobelirteç Tespiti için Elektrolit Kapılı…
JoVE Journal
Engineering

Se requiere una suscripción a JoVE para ver este contenido. Inicie sesión o comience su prueba gratuita.

JoVE Journal Engineering
Biyobelirteç Tespiti için Elektrolit Kapılı Grafen Alan Etkili Transistörün Geliştirilmesi ve İşlevselleştirilmesi
Experimental Methods for Spin- and Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Combined with Polarization-Variable Laser
Journal (Engineering)
Experimental Methods for Spin- and Angle-Resolved Photoemission Spectroscopy Combined with Polarization-Variable Laser
Light Enhanced Hydrofluoric Acid Passivation: A Sensitive Technique for Detecting Bulk Silicon Defects
Journal (Engineering)
Light Enhanced Hydrofluoric Acid Passivation: A Sensitive Technique for Detecting Bulk Silicon Defects
 
Click here for the English version

Biyobelirteç Tespiti için Elektrolit Kapılı Grafen Alan Etkili Transistörün Geliştirilmesi ve İşlevselleştirilmesi

Article DOI: 10.3791/63393-v • 07:51 min • February 1st, 2022
February 1st, 2022 •
1, 2, 1
1Lane Department of Computer Science and Electrical Engineering, West Virginia University, 2Beijing Graphene Institute

Capítulos

Resumen
Automatic Translation

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

Mevcut protokol, elektrolit kapılı grafen alan etkili transistör (EGGFET) biyosensörünün gelişimini ve biyobelirteç immünoglobulin G (IgG) tespitindeki uygulamasını göstermektedir.

Tags

Mühendislik Sayı 180 Kimyasal Buhar Biriken (CVD) grafen grafen transferi alan etkili transistör biyobelirteç tespiti
Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter