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Engineering

Visualización de tensión Uniaxial manipulación de dominios antiferromagnéticos en Fe1 +YTe usando un análisis de polarización de Spin microscopio el hacer un túnel

Published: March 24, 2019 doi: 10.3791/59203
Automatic Translation
1, 1, 1, 1, 2, 1
1Department of Physics, Applied Physics and Astronomy, Binghamton University, 2Institute of Physics, University of Silesia

Summary

Uso de tensión uniaxial combinado con polarización de spin túnel microscopía, visualizar y manipular la estructura de dominio antiferromagnéticos de Fe1 + yTe, el compuesto del padre de superconductores basados en hierro.

Abstract

La búsqueda para entender la correlación electrónica ha empujado las fronteras de mediciones experimentales hacia el desarrollo de nuevas técnicas experimentales y metodologías. Aquí utilizamos un dispositivo de tensión uniaxial de la casa construida novela integrado en nuestra variable temperatura microscopio efecto túnel que nos permite manipular la tensión uniaxial en el plano en muestras controllably y probe su respuesta electrónica a escala atómica. Usando microscopía de efecto túnel (STM) con técnicas de polarización de spin, visualizamos antiferromagnéticos (AFM) dominios y su estructura atómica en Fe1 +yTe muestras, el compuesto del padre de superconductores basados en hierro, y demostrar cómo estos dominios responden a tensión uniaxial aplicada. Observamos la bidireccional dominios AFM en la muestra filtrado, con un tamaño de dominio promedio de ~ 50-150 nm, hacer la transición a un único dominio unidireccional bajo tensión uniaxial aplicada. Los resultados presentados aquí abren una nueva dirección para utilizar un parámetro de sintonización valiosa en STM, así como otras técnicas espectroscópicas, tanto para la adaptación de las propiedades electrónicas en cuanto a la inducción de simetría adaptación sistemas materiales cuánticos.

Introduction

Superconductividad de alta temperatura en cupratos y los superconductores basados en hierro es una intrigante situación cuántica materia1,2. Un desafío importante en la superconductividad de comprensión es la naturaleza localmente entrelazada de diferentes Estados de simetría rota, como electrónicos nemático y esméctica fases (que rompen las simetrías rotacionales y traslacionales de los Estados electrónicos), con superconductividad3,4,5,6,7. Manipulación y adaptación deliberada de estos Estados de simetría rota es un objetivo clave hacia el entendimiento y el control de superconductividad.

Tensión controlada, uniaxial y biaxial, es una técnica bien establecida para sintonizar los Estados electrónicos colectivos en materia condensada sistemas8,9,10,11,12, 13,14,15,16,17,18,19,20,21, 22. Este ajuste limpio, sin la introducción de desorden a través doping químico, se utiliza comúnmente en varias clases de experimentos para sintonizar a granel propiedades electrónicas23,24,25,26 . Por ejemplo, presión uniaxial ha demostrado para tener un efecto inmenso en superconductividad en Sr2RuO413 y cupratos27 y en los estructurales, magnéticos y transiciones de la fase nemática de superconductores basados en hierro 10 , 14 , 28 , 29 y fue demostrado recientemente en templar los Estados topológicos de SmB624. Sin embargo, el uso de variedad de técnicas de superficie sensible, como STM y espectroscopia de ángulo resuelto fotoemisión (ARPES), ha sido limitada a en situ crecido de películas delgadas sobre substratos26,30. El mayor desafío con la cepa en monocristales de experimentos de superficie sensible es la necesidad de allegarse las muestras filtradas en vacío ultraalto (UHV). En los últimos años, ha sido una dirección alternativa para una muestra delgada en piezo pilas9,10,18,31 o en placas con diferentes coeficientes de expansión térmica19 de epoxy ,32. Sin embargo, en ambos casos, la magnitud de la tensión aplicada es bastante limitada.

Aquí se demuestra el uso de un novedoso dispositivo mecánico de tensión uniaxial que permite a los investigadores a colar una muestra (tensión compresión) sin limitaciones y visualizar simultáneamente su estructura superficial usando STM (ver figura 1). Por ejemplo, utilizamos solo cristales de Fe1 +yTe, donde y = 0.10, el compuesto del padre de los superconductores de chalcogenide del hierro (y es la concentración de exceso de hierro). A continuación TN = ~ 60 K, Fe1 +yTe las transiciones de un estado paramagnético de alta temperatura en un estado antiferromagnéticos de baja temperatura con un bicollinear de la raya magnética orden26,33 ,34 (ver Figura 3A, B). La transición magnética es más acompañada de una transición estructural de tetragonal a monoclinic26,35. La orden AFM en el plano forma dominios detwinned con la estructura de spin apuntando a lo largo de la dirección de b largo de la estructura ortorrómbica34. Al visualizar el orden AFM con polarización de spin STM, probe la estructura bidireccional del dominio en presencia Fe1 +yTe muestras y observar su transición en un único dominio grande bajo tensión aplicada (véase el esquema en Figura C 3-E). Estos experimentos demuestran el éxito superficial puesta a punto de los solos cristales utilizando el dispositivo de tensión uniaxial presentado aquí, Hendedoras de la muestra y la proyección de imagen simultánea de la estructura de la superficie con el microscopio de efecto túnel. La figura 1 muestra los dibujos esquemáticos y fotografías del dispositivo de tensión mecánica.

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Protocol

Nota: El cuerpo en forma de U se hace del acero inoxidable 416-grado, que es rígido y tiene un bajo coeficiente de expansión térmica (CTE), ~9.9 μm/(m∙°C), en comparación con μm/(m∙°C) de ~17.3 de acero inoxidable grado 304.

1. mecánico de tensión uniaxial

  1. Limpie el dispositivo en forma de U, los tornillos del micrómetro (1 – 72 corresponden a 72 rotaciones por pulgada), los discos de resorte de Belleville y la placa base por les sonicando por separado en acetona primero y luego en isopropanol, durante 20 minutos cada uno, en un sonicador de baño ultrasónico. Esto elimina las partículas de impurezas. Este proceso debe llevarse a cabo en la campana.
  2. Les cuece al horno en un horno durante 15-20 min para eliminar cualquier residuo de agua y desgasificación.
  3. Con una cuchilla de afeitar, mientras observa bajo un microscopio óptico, corte la Fe1 +YTe muestra el tamaño, es decir, 1 mm x 2 mm x 0,1 mm.
  4. Montar las piezas como se muestra en la figura 1, panel primero. La apertura dentro de la U es de 1 mm y puede ajustarse más pequeño o grande por un par de tuercas de medición ubicadas a los costados del aparato.

2. aplicación de la cepa

  1. En dos platos separados, la mezcla epoxi (H20E) y no conductora epoxi (H74F) según las instrucciones en la hoja de datos de epoxy.
  2. En el dispositivo en forma de U, aplicar una fina capa de epoxi (H20E) para crear contacto eléctrico y montaje de la muestra (de un tamaño de 1 mm x 2 mm x ~0.1 mm) con su eje orientado en el eje b de la muestra de Te de1 +yFe , en la parte superior del dispositivo, a través de la brecha de 1 mm, como se muestra en la figura 1. En un horno de convección, cueza al horno el aparato durante 15 min a 120 ° C.
  3. Cubrir los dos lados de la muestra no conductora epoxi para que la muestra se apoya firmemente en el dispositivo. Hornear por 20 min a 100 ° C.
    1. Usando un microscopio óptico, examinar la posición de la muestra desde todos los ángulos para comprobar una alineación paralela de los lados de la muestra con la brecha.
    2. Opcionalmente, las muestras dentro de la brecha y forzadas por epoxy H20E y H74F (figura 1).
  4. Bajo un microscopio óptico, aplicar compresión tensión girando el tornillo micrométrico observando la superficie de la muestra.
    Nota: Aquí aplica una tensión de 50°, pero esto puede modificarse dependiendo de la cantidad de tensión que se aplicará a la muestra. La presión se transfiere a la muestra por una serie de discos de resorte de Belleville. Debe haber ningunas grietas o doblez de la muestra después de aplica la presión.
  5. Tornillo el dispositivo en la placa base como se muestra en la figura 1B.
    1. Aplicar una fina capa de epoxi (H20E) de la placa base en el dispositivo en forma de U para crear contacto eléctrico entre la muestra y la placa. Hornear durante 15 min a 120 ° C. Medir el contacto eléctrico con un multímetro.
    2. Con una fina capa de epoxi no conductor H74F, pegar un post de aluminio (el mismo tamaño que la muestra) sobre la muestra filtrada, perpendicular al plano a-b Hendedoras. Hornee el dispositivo montado por 20 min hasta que el epoxy se cura.

3. transferencia del dispositivo a la cabeza del microscopio túnel exploración

  1. Transferir el dispositivo tinción con la muestra y del poste a través del muelle de carga del variable temperatura, altísima vacío microscopio túnel, a la cámara de análisis (ver figura 2A).
  2. Usando un manipulador de brazo, desprender el poste de aluminio de ultraalto vacío a temperatura ambiente, para exponer una superficie recién descamada.
  3. Transferir inmediatamente el dispositivo (con la muestra filtrada) in situ con otro conjunto de manipuladores a la cámara de microscopio túnel exploración y a la cabeza del microscopio (ver figura 2B), que ha sido enfriada hasta 9 K. lleva a cabo todos los experimentos a 9 K.
  4. Permita que la muestra se enfríe durante la noche antes de llevar a cabo los siguientes pasos.

4. llevar a cabo los experimentos STM

  1. Preparar los consejos de Pt-Ir antes de cada experimento por emisión de campo en una superficie de Cu (111) que ha sido tratada con varias rondas de pulverización y el recocido.
  2. Con el voltaje aplicado a los materiales piezoeléctricos en el microscopio por un controlador externo, pasar de la etapa de muestra para alinear con la punta, seguir abordando la muestra.
  3. Una vez que la punta es de unos Å ausente de la muestra y el túnel actual registrada en el osciloscopio, topografos toma consigna diferentes sesgos y corrientes de valor.
    Nota: El microscopio de efecto túnel es controlado por software y el controlador proporcionado por el fabricante. Para el funcionamiento del microscopio, por favor consulte el manual de usuario/tutoriales (http://www.rhk-tech.com/support/tutorials/).

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Representative Results

Topografos STM se midieron en modo de corriente constante con un sesgo de punto de ajuste del meV-12 aplicado a la muestra y un valor actual de -1.5 nA recogida en la punta. Consejos de PT-Ir fueron utilizados en todos los experimentos. Para lograr hacer girar-polarizado STM, la punta del microscopio túnel exploración tiene que recubrirse con átomos magnéticos, que puede ser bastante difícil. En este caso de estudio de Fe1 +yTe, la muestra sí mismo proporciona un medio simple de lograrlo. Los hierros de exceso (y en la Fe1 +yTe) están limitados débil en la superficie cortada. Exploración de la punta en un bajo sesgo y con una alta corriente suficiente superior a unos nanoamperes trae la punta en proximidad cercana a estos átomos de Fe y algunos de esos átomos pueden ser recogidos por el Punta36. El otro método que da una punta de giro polarizado por la disminución rápida de la separación de la punta de la muestra hasta que se hace contacto (en el lugar de concentración de exceso de hierro) como medido una saturación actual. Durante el proceso, el exceso hierros bond sobre la punta. La preparación exitosa de una punta de giro polarizado es revelada por el contraste magnético en la topografía, cuya periodicidad es el doble de la constante del enrejado de átomos superior telurio. Esta modulación adicional es el orden antiferromagnéticos en la muestra, como se discute más abajo.

Figura 4A muestra una imagen topográfica de la resolución atómica 10 de nm en una Fe filtrados1 +ycristal solo Te con una punta túnel de exploración no magnético microscopio. La estructura atómica vista corresponde a los átomos de la Te, que se exponen después de unirse a la muestra (ver Figura 3A). La transformada de Fourier (FT) de la topografía muestra cuatro picos agudos en las esquinas de la imagen a lo largo de la a b direcciones y, con la etiqueta qTeuna y qTeb, que corresponden a los picos de Bragg atómicos. Central amplio pico en los pies corresponde a la inhomogeneidad de la longitud de onda larga, que no es relevante para el estudio actual. Figura 4 muestra otro topograph del mismo tamaño como en la Figura 4A, con una punta magnética. Se observan rayas unidireccionales con una periodicidad de dos veces del enrejado en el eje de una. Picos de los pies del topograph ve en la figura 4 muestra, además de lo Bragg, un nuevo par de picos de satélite en QAFM1, correspondiente a la mitad los ímpetus del pico de Bragg y, por lo tanto, el verdadero espacio doble longitud de onda. La nueva estructura corresponde a la orden de la banda AFM de los átomos de Fe justo debajo de la superficie.

En esta muestra filtrada, no es difícil observar límites del dominio de doble donde la estructura cristalina con el b-eje largo o el acompañamiento AFM raya girar 90°. Figura 4E muestra un topograph de polarización de spin 25 de nm de un límite de dominio doble AFM. Los pies de la imagen muestran dos pares de orden AFM (resaltada en los círculos verdes y amarillos). Cada dominio magnético contribuye a sólo un par de QAFM picos en los pies. Esto claro, podremos visualizar filtrado de Fourier cada par de AFM picos y pies invertidos volver al espacio real. Los resultados se muestran en la figura 4H destacando los dos dominios de banda unidireccional.

Así, se estudiaron la estructura de dominios y los límites en la superficie a gran escala. Figura 5Ay figura 6A Figura 7A Mostrar topografos a gran escala en tres muestras diferentes de filtrados que abarca una región total de levemente sobre 0.75 μm x 0.75 μm. También se muestran varios pequeños ampliada en topógrafos para resaltar la estructura de la banda. Los topógrafos se toman con una alta resolución espacial (1024 x 1024 píxeles por 0.25 μm2) para permitir que la transformada de Fourier de filtrado e inverso Fourier transforman análisis a gran escala. Las estructuras de dominio y los límites correspondientes se muestran en la figura 5B, figura 6y figura 7 H. En general, banda alterna varios dominios se observan las áreas en general igual, como era de esperar para estas muestras filtradas. Es importante tener en cuenta que este gran escala la superficie total es atómicamente plana, sin embargo se observan algunas irregularidades estructurales diferentes, tales como defectos de línea (figura 5A) y pasos atómicos (Figura 7A). Los dominios de la raya no son afectados por estas irregularidades.

De aquí, pasamos a la muestra filtrada. Figura 8 muestra un topograph a gran escala, que abarca una región total de ~1.75 μm x 0.75 μm, que es más de dos veces la superficie total abarcó las muestras filtrados que se muestra en la figura 5, figura 6y figura 7. En contraste, la FT para cada topograph muestra solamente un par de picos AFM que indica solamente un solo dominio en esta muestra filtrada. Además pueden ser visualizado por el análisis filtrado de Fourier iFT confirmando el dominio sola raya sobre toda el área. Una vez más, la orden de banda unidireccional no es afectado por las diferentes irregularidades de la superficie en esta muestra filtrada.

Figure 1
Figura 1: dispositivo de presión. (A) diagrama esquemático del dispositivo de tensión. El dispositivo en forma de U tiene dos micrómetro zona del boquete de tornillos para la compresión (1) y (2) expansión del dispositivo. La muestra puede limitarse en el espacio como se muestra en los paneles de la figura A y C o en la parte superior el espacio como se muestra en la figura los paneles A y B. Una combinación de resinas epoxi H20E y H74F aplicado a la muestra y curado a 100 ° C. Una vez el epóxico en la muestra es curado, se ajustaron un post de sobre la misma superficie que el de la muestra sobre la superficie de la muestra utilizando H74F. (B) la configuración actual del dispositivo de tensión, con una tapa de vista, vista frontal y un zoom-in de la muestra. El dispositivo se enrosca a un soporte de muestra que se desliza en la cabeza del microscopio. Se crea un contacto mediante epoxi conductora desde el dispositivo a la placa de la muestra. La transferencia de presión está activada con un tornillo y una serie de discos de resorte de Belleville. El último panel b muestra el dispositivo de tensión instalado, listo para trasladarse a la sala de análisis UHV. (C) una alternativa es tener una muestra dentro de la brecha del dispositivo de tensión. En los dos paneles mediados de C, una segunda muestra filtrada se ajustaron en el dispositivo de referencia. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figure 2
Figura 2: configuración del microscopio túnel de barrido. Configuración del microscopio (A) la exploración el hacer un túnel. Se coloca el microscopio en una cámara acústica, que está protegida del ruido de radio frecuencia (RF). (B) la cabeza del microscopio con un sostenedor de la muestra desnuda. El Consejo de Pt/Ir es visible. La etapa de la muestra se puede mover por un conjunto de actuadores piezoeléctricos para que la muestra es justo encima de la punta. (C) el microscopio de cabeza se coloca dentro de dos escudos de radiación. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figure 3
Figura 3: Fe1 +yestructura cristalina de Te. (A) la estructura cristalina de fiesta con la capa superior que muestra los átomos de telurio. Las líneas punteadas rojas del esquema las células de tres unidades. (B) una ilustración esquemática de espacio real de la celda unidad atómica (línea roja) y la estructura magnética (línea continua negra) de FeTe. El wavevector magnético λafm es dos veces la distancia Atómica entre átomos Te-Te. Las flechas en los átomos de Fe indican las orientaciones de la vuelta. (C) diagrama esquemático que ilustra los dominios gemelos AFM que forman al refrescarse, a través de la transición estructural de la población tetragonal a monoclínico en ~ 60 a 70 K, con un igual de los dos dominios. (D) la respuesta de la detwinning proceso, cuando se aplica una cantidad apreciable de tensión a lo largo del eje b (flechas negras) con un dominio mayor (rojo) y el otro dominio disminuido (azul). (E) A detwinned dominio completo, que deja sólo un único dominio. (F–H) El FT del espacio real en paneles C–E. Los picos QAFM1 corresponden a los dominios espacio real rojo, y los picos QAFM2 corresponden a los dominios de azul. El enrejado picos de Bragg se indican como puntos negros en las esquinas de la imagen. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figure 4
Figura 4: Modulación unidireccional de filtrados Fe1 +yTe. (A) A 10 nm x 10 topograph de nm de la estructura del enrejado atómico de Fe1 +yTe con ningún contraste magnético. (B) el pie del grupo A, mostrando al Bragg picos en las esquinas de las imágenes (círculos negros). (C) A 10 nm x 10 nm topograph de la estructura magnética de Fe1 +yTe, medido mediante una punta de giro polarizado. Las rayas unidireccionales a través de un de los ejes corresponden a picos que aparecen en QAFM1 = qTeun2 en los pies, como se muestra en el panel D. (E) A 25 nm x 25 nm topográfica la imagen a través de un límite de dominio doble. (F) pies del panel E, mostrando los dos conjuntos de picos QAFM1 y QAFM2. (G) inversa de Fourier (iFT) de los picos QAFM1 del panel F. El color rojo corresponde a la alta intensidad de los picos QAFM1 . IFT (H) de los picos QAFM2 del panel F. El límite del dominio es claramente distinto de las imágenes mostradas en los paneles de G y H. Método de filtrado de Fourier inverso se ha utilizado en las figuras siguientes para identificar los diferentes dominios. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figure 5
Figura 5: Proyección de imagen los dominios gemelos en presencia Fe1 +yTe. (A) un 0.75 μm x 0.25 μm imagen topográfico mostrando límites dobles. Los datos fue adquiridos en tres imágenes topográficas adyacentes, cada 0.25 μm x 0.25 μm. (B) uso de iFT, los límites de dominio son claramente evidentes. (C–E) Zoom-in de las imágenes marcadas con una (X) y un cuadro punteado de color amarillo se muestran con cajas destacadas, puntos, colores alrededor de los límites. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figure 6
Figura 6: Imágenes múltiples dominios de la presencia Fe1 +yTe. (A) A 0,10 μm x 0.10 μm imagen topográfica de una Fe filtrados1 +yTe. (B) los pies del panel A, que muestra picos en ambas direcciones, es decir, QAFM1 y QAFM2. (C) la imagen de iFT del panel A, que indica los diferentes dominios. (D y E) Zoom-ins de la resaltado amarillo y naranja-puntos cajas en panel A. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figure 7
Figura 7: Proyección de imagen los dominios gemelos de filtrados Fe1 +yTe. (A) imágenes topográficas que abarca un área de 0.75 μm x 0,5 μm. (B–D) línea cortes de topograph tomadas a través del negro, moradas y verdes las flechas en panel A. (E–G) Zoom-en de las áreas resaltadas en las marcas verdes, marrones y amarillas (X) en el panel A. IFT (H) del grupo A, que muestra los dominios gemelos. Las líneas de puntos blancos son los bordes/límites de paso. Los dominios no son afectados por estas características estructurales. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

Figure 8
Figura 8: Imagen filtrada Fe1 +yTe los dominios detwinned. (A) A grandes 1.750 μm x 0.50 topografía μm en una tensa Fe1 +yTe muestra. (B y C) los pies de los dos más grande (μm 0.50 x 0.50 μm) solo topografos adquiriendo en un par de AFM picos en una sola dirección. Proceso de filtrado de la transformada de Fourier y iFT (D) se aplica a las imágenes en el panel A, que muestra solamente un único dominio, como se esperaba. La línea punteada en el panel D es un paso que no afecta el dominio unidireccional. (E) A zumbido-en de la región resaltada en amarillo (X) mostrando rayas unidireccionales. (F) A zoom-in del panel E, mostrando claramente las rayas unidireccionales de la muestra detwinned. (G) los pies del panel E. Los picos AFM aparecen sólo en una dirección, que está de acuerdo con la estructura de espacio real en el panel electrónico. Haga clic aquí para ver una versión más grande de esta figura.

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Discussion

Todas las operaciones necesarias para mover las muestras en y dentro del STM se llevan a cabo haciendo uso de los manipuladores de brazo. El STM es mantenido a bajas temperaturas por nitrógeno líquido y el helio líquido, y la muestra se enfríe durante al menos 12 h antes de ser abordado. Esto permite que la temperatura de la muestra y microscopio alcanzar el equilibrio térmico. Para aislar el ruido eléctrico y acústico, el STM se coloca en una acústica y la sala de radio frecuencia blindado. La cabeza del microscopio se suspende más de muelles para la estabilidad instrumental optimizado. La etapa de la muestra puede ser traducida por varios milímetros que permiten el acceso a diferentes partes de las muestras de 1 mm tensado.

Desde presión uniaxial es el parámetro de sintonización en el experimento descrito aquí, es imperativo que el estrés térmico generado de enfriamiento no se transfiere directamente a la muestra. Para ello, contamos con una serie de discos de resorte de Belleville. Con la carga de trabajo de los discos de resorte Belleville de 67 N y la deflexión en la carga de trabajo de 50 μm, calculamos la constante de resorte para cada disco como k = 1.3 x 106 N/m, que produce una constante de resorte total de k = 1.625 x 105 N/m f o 4 pares de resortes en serie. Esto asegura que el estrés térmico en la muestra a través del enfriamiento de la temperatura ambiente a 4 K para ser menos de 0.05% para una carga aplicada de 1% y por lo tanto insignificante. En el experimento, haga girar el tornillo micrométrico por 50° que corresponde a Δx = 50 μm. Se puede calcular la fuerza aplicada sobre la muestra a través de los resortes que F = kΔx = 8 N. La presión es por lo tanto p = F/A = 8 N / (0.1 x 10-6 m2) = 0.08 GPa. Para el módulo de Young de 70 Gpa para FeTe37, la presión uniaxial aplicada corresponde a la tensión de 0,1%.

Un desafío importante en la integración de los dispositivos de tensión con el STM es la aplicación de tensión sin romperse o presentar fisuras en la muestra. Prueba de experimentos en varias muestras de Bi-2212, Sr3Ru2O7, y Fe1 +yTe han demostrado que, dependiendo del grosor de la muestra, las muestras de soportar tensiones de hasta ~0.8%-1.0%, correspondiente a ~ 1 GPa de aplicado presión. No hay indicaciones de grietas en la superficie de la muestra son observable debajo de este valor como se ve visualmente por un microscopio óptico. Siguiendo los mismos principios de trabajo reciente ha demostrado con éxito la aplicación de tensión del ± 1% en Sr2RuO4 9.

El éxito de esta técnica radica en la cuidadosa ejecución de la alineación correcta de la muestra en el espacio de 1 mm y la aplicación de la cepa en la muestra sin romperse o doblarla. Otra consideración importante es el proceso Hendedoras, que permite la exposición de una superficie limpia y plana. Esto es un proceso al azar y funciona mejor para materiales que desdoblan fácilmente. Una última consideración tiene una punta muy afilada que produce resolución atómica y puede recoger algunos átomos de exceso de hierro para lograr contraste magnético.

En conclusión, los experimentos y análisis aquí descrito con éxito demuestran la incorporación de nuestro dispositivo de tensión con STM, ofreciendo un nuevo parámetro de ajuste que puede ser muy valioso en el estudio de los órdenes de competencia en sistemas de correlación electrónica. La ventaja del dispositivo actual es la amplia gama de tensión positiva y negativa que se puede aplicar a la muestra. Esta demostración puede afectar otros experimentos espectroscópicos como ARPES.

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Disclosures

Los autores no tienen nada que revelar.

Acknowledgments

P.A. reconoce apoyo de la US National Science Foundation (NSF) carrera con premio. DMR-1654482. Síntesis del material se realizó con el apoyo de la concesión del centro de ciencia nacional polaco No 2011/01/B/ST3/00425.

Materials

Name Company Catalog Number Comments
Belleville spring disks McMaster Carr
Fe(1.1)Te Single Crystal
H20E Epoxy Technology
H74F Epoxy Technology
Micrometer screws McMaster Carr
Stainless Steel sheets (416) McMaster Carr

DOWNLOAD MATERIALS LIST

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Kavai, M., Giannakis, I., Leshen, J., Friedman, J., Zajdel, P., Aynajian, P. Visualizing Uniaxial-strain Manipulation of Antiferromagnetic Domains in Fe1+YTe Using a Spin-polarized Scanning Tunneling Microscope. J. Vis. Exp. (145), e59203, doi:10.3791/59203 (2019).

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