Waiting
로그인 처리 중...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
Journal / Engineering / Измерения жизни несущей в полупроводниках методом …
JoVE Journal
Engineering

이 콘텐츠 오픈 액세스로 구독없이 시청하실 수 있습니다.

JoVE Journal Engineering
Измерения жизни несущей в полупроводниках методом микроволновой фотопроводимости распада
Characterization of SiN Integrated Optical Phased Arrays on a Wafer-Scale Test Station
Journal (Engineering)
Characterization of SiN Integrated Optical Phased Arrays on a Wafer-Scale Test Station
Gain-compensation Methodology for a Sinusoidal Scan of a Galvanometer Mirror in Proportional-Integral-Differential Control Using Pre-emphasis Techniques
Journal (Engineering)
Gain-compensation Methodology for a Sinusoidal Scan of a Galvanometer Mirror in Proportional-Integral-Differential Control Using Pre-emphasis Techniques
 
Click here for the English version

Измерения жизни несущей в полупроводниках методом микроволновой фотопроводимости распада

Article DOI: 10.3791/59007-v • 07:38 min • April 18th, 2019
April 18th, 2019 •
1, 1, 1,2
1Department of Electrical & Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, 2Frontier Research Institute for Material Science, Nagoya Institute of Technology

챕터

요약
Automatic Translation

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

Как один из важных физических параметров в полупроводниках перевозчик жизни измеряется здесь через протокол, используя метод распада фотопроводимости Микроволновая печь.

Tags

Инжиниринг выпуск 146 Микроволновая фотопроводимости распада метод карьера жизни полупроводниковых материалов время решена измерения характеристика дефекта поверхностной рекомбинации
Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter