Свет Enhanced плавиковой кислоты пассивация: чувствительного метода для обнаружения объемного кремния дефекты

8.9K просмотров

Процитировано: 6

09:15 мин

4 января 2016 г.

10.3791/53614-v

4 января 2016 г.

8.9K просмотров

Поверхности жидкости техника пассивации РТ исследовать рекомбинации деятельность сыпучих кремния дефектов описана. Для техника, чтобы быть успешным, три критические шаги: (I) химическую очистку и травление кремния, (II) погружение кремния в 15% плавиковой кислоты и (III) освещения в течение 1 мин.

Больше видео

TMAH

Chapters in this video

0:05

Title

1:02

Cleaning and Etching the Silicon Wafers

4:08

Silicon Wafer Passivation and Photoconductive (PC) Measurement

7:08

Results: Silicon Wafer Photoconductive Measurement after Surface Passivation

8:10

Conclusion

Related Videos