Исчерпывающая характеристика протяженных дефектов в полупроводниковых материалах на растровом электронном микроскопе

13.7K просмотров

Цитируется: 4

11:14 мин.

28 мая 2016 г.

10.3791/53872-v

28 мая 2016 г.

13.7K просмотров

Ellen Hieckmann¹ , Markus Nacke¹ , Matthias Allardt¹ , Yury Bodrov¹ , Paul Chekhonin² , Werner Skrotzki² , Jörg Weber¹

¹Institute of Applied Physics, Semiconductor Physics, Technische Universität Dresden, ²Institut für Strukturphysik, Technische Universität Dresden

Оптические, электрические и структурные свойства дислокаций и границ зерен в полупроводниковых материалах могут быть определены с помощью экспериментов, выполненных в сканирующем электронном микроскопе. Электронная микроскопия использовалась для исследования катодолюминесценции, тока, индуцированного электронным пучком, и дифракции обратно рассеянных электронов.