Исчерпывающая характеристика протяженных дефектов в полупроводниковых материалах на растровом электронном микроскопе
28 мая 2016 г.
13.7K просмотров
Оптические, электрические и структурные свойства дислокаций и границ зерен в полупроводниковых материалах могут быть определены с помощью экспериментов, выполненных в сканирующем электронном микроскопе. Электронная микроскопия использовалась для исследования катодолюминесценции, тока, индуцированного электронным пучком, и дифракции обратно рассеянных электронов.