为了实现贵金属基纳米复合材料的连续化和可规模化合成,开发了一种新型光催化反应器,并描述了其结构、工作原理及产物质量优化策略。
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为了实现贵金属基纳米复合材料的连续化和可规模化合成,开发了一种新型光催化反应器,并描述了其结构、工作原理及产物质量优化策略。
本研究开发了一种新型光催化反应器,可实现光催化剂的脉冲式可控激发以及金属纳米颗粒的精确沉积。文中详细提供了该反应器的复制方法及其操作指南。利用该反应器制备了三种不同的复合体系(Pt/石墨烯、Pt/TiO2 和 Au/TiO2),所得颗粒单分散且分布均匀,并讨论了光沉积机理及合成优化策略。本文全面描述了合成方法及其技术细节,研究了每次激发脉冲中紫外(UV)剂量对光沉积过程的影响,并给出了每种复合体系的最优参数值。
金属纳米颗粒,尤其是贵金属(如 Pt、Au、Pd)在催化领域具有广泛的应用1。通常,在保持成本(质量)不变的前提下,减小纳米颗粒(NPs)的尺寸可提高其催化活性,但同时也增加了其应用难度。NPs(通常小于10 nm)极易发生团聚,从而导致催化活性下降;然而,通过将其固定在合适的基底上,可在很大程度上解决这一问题。此外,根据具体应用类型(如电催化),有时需要将NPs固定在导电基底上2,3。NPs还可与半导体材料复合,形成肖特基势垒,以抑制(或延缓)电子-空穴复合(充当电子陷阱)4,5。因此,在大多数应用中,贵金属纳米颗粒(NNPs)通常被负载在导电基底(如石墨烯)或半导体基底(如 TiO2)上。在这两种情况下,金属阳离子通常在基底存在下被还原,而具体的还原方法则因制备工艺不同而有所差异。
通过阳离子还原沉积纳米颗粒(NNPs)时,需要提供具有适当电势的电子。这可以通过两种方式实现:由其他化学物质(还原剂)发生氧化反应提供电子6,7,或由外部电源提供电子8。无论采用哪种方法,若要实现单分散纳米颗粒的均匀沉积,都必须对(还原性)电子的生成与转移进行严格控制。当使用化学还原剂时,一旦反应物(阳离子与还原剂)混合,还原过程实际上无法控制,因此实现这一控制极为困难。此外,纳米颗粒可能在任意位置形成,而不一定沉积在目标基底上。而使用外部电源时,虽然对所提供电子数量的控制更为精确,但纳米颗粒只能沉积在电极表面。
光催化沉积(PD)是一种替代性方法,由于光生电子数量与照射光子剂量(具有合适波长)直接相关,因此该方法对(光)生电子数量具有更高的可控性。在此方法中,基底材料具有双重作用;它既提供还原所需的电子,9 并稳定所形成的纳米颗粒(NPs)10此外,由于电子由基底产生,纳米颗粒仅在基底上形成。通过光催化还原法制备的复合组分之间也能确保形成良好的电连接。11然而,在传统的光催化沉积方法中,反应物(光催化剂和金属阳离子)整体同时受到光照,无法控制纳米粒子的成核过程。事实上,一旦形成少量颗粒(晶核),它们便会成为光生电子优先转移的位点。5 并作为优先的生长位点。这种更高效的电子转移会促进已有颗粒的生长,同时抑制新晶核的形成,从而导致生成较大的纳米颗粒(NNPs)。该问题可通过在特殊设计的连续流反应器中采用脉冲紫外光照来解决。图1我们课题组近期开发的)12该反应器的独特之处在于,它使研究人员能够同时控制决定纳米颗粒尺寸的两个关键因素,即成核与生长。在此反应器中,仅有一小部分反应物被极短时间的光照照射,从而促进成核(形成更多晶核)并抑制生长(获得更小的颗粒)。在该方法中,通过控制光照剂量(即调节曝光时间[改变反应管未遮蔽部分的长度]) 图1C] 或入射光强度 [光源数量],可精确控制光生电子的数量,从而精确调控纳米粒子沉积的还原过程。

图1:制备的光催化沉积反应器。(A)反应器整体结构。(B)光照室内部。(C)一根曝光长度为5 cm × 1 cm的石英管。请点击此处查看该图的放大版本。
尽管光沉积法(PD法)在纳米粒子(NNPs)的可控沉积方面具有巨大潜力,但其应用目前仅限于半导体材料。幸运的是,通过简单的化学功能化,可以在石墨烯(导电性最佳的基底之一13)中打开一个较宽的带隙。随后,这些功能基团(FGs)可被大部分去除,而所得石墨烯仍具有足够的导电性,适用于大多数应用场景。在众多石墨烯功能化衍生物中,氧化石墨烯(GO)因其表现出显著的半导体特性14,成为实现该目标最有前景的候选材料。这主要归因于GO的制备具有最高的产率。然而,由于GO包含多种类型的功能基团,其化学组成在紫外光照射下会持续发生变化。我们最近的研究表明,通过选择性去除弱键合的功能基团(部分还原;PRGO),可以稳定GO的化学结构和电子性质,这是实现NNPs均匀沉积的关键前提条件12。本报告中,我们描述了反应器的结构,并提供了其复制与操作的详细信息。同时深入讨论了沉积机理(反应器的工作机制)以及可能的优化策略。为验证所开发的PD反应器对两类常见基底(导体和半导体)及不同NNPs的适用性,我们展示了铂在PRGO和TiO2上的沉积,以及金在TiO2上的沉积。值得注意的是,通过合理选择金属、光催化剂和前驱体材料(如盐类、空穴捕获剂)以及分散介质,还可沉积其他多种金属颗粒(如Ag和Pd15)。原则上,在NNPs的光沉积过程中,金属阳离子由光激发电子还原,因此半导体导带底(CBM)的能级应与目标阳离子的还原电位相匹配(即更负于该还原电位)。由于涉及广泛的制备技术细节,本文也详细描述了PRGO的合成方法。有关PRGO化学结构和电子性质的更多信息,请参阅先前的研究工作12。
反应器的详细结构如图2所示。该反应器由两个主要部分组成:紫外光照射区和储液区。照射区包含一根石英管,该石英管沿带有抛光铝衬里的圆柱形管的中心轴精确固定。储液区由一个1 L带密封盖的玻璃瓶构成,配有气体和液体(反应物)的进出口。使用带开口顶盖的螺旋盖和硅胶隔垫来插入管道。为在反应过程中取样时防止氧气进入反应器,还安装了一个带阀门的出口。需要说明的是,在特定时间间隔取样并非纳米复合材料制备过程的一部分,仅需进行一次取样即可获得每组合成参数下的浓度-时间曲线(这些曲线的应用将在讨论部分中阐述)。储液瓶置于冰水浴中,并在磁力搅拌器上剧烈搅拌。磁力泵将反应物从储液区循环至反应室(照射区),再返回储液区。此处选用磁力泵是因为需要较高的流速(本研究中的流速 = 16 L·min-1),而蠕动泵(或其他类似类型的泵)难以提供如此高的流量。使用磁力泵时,应注意完全用反应液充满叶轮壳体(泵体),并排除任何滞留的空气(氧气来源)。滞留空气还可能降低泵的实际流速。
对于光催化剂材料的脉冲激发,石英管的特定区段被厚铝箔覆盖,仅留出等长的未覆盖区段(图2)。通过改变未覆盖区段的长度(曝光长度),可调节脉冲激发的持续时间。最佳曝光长度由多种参数决定,例如光催化剂的量子产率和目标纳米颗粒负载量(前驱体浓度;见讨论部分)。
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1. 光催化沉积反应器的制备与操作
警告:开启紫外灯时,请使用紫外-C防护眼镜。

图2:光催化沉积反应器的示意图。 T1 为通向鼓泡器的 N2 气体出口。T2 为取样管,Ps 为注射器连接点(用于取样)。V0 为初始进料阀,V1 和 V2 分别为取样阀和取样后管路抽空阀。请点击此处查看此图的放大版本。
2. 部分还原氧化石墨烯的合成
警告:以下所有实验均应在通风橱内进行。
3. 纳米颗粒的光催化沉积
4. 表征样品的制备
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XPS 是确认金属纳米颗粒形成及其化学状态的最强大技术之一。为此,记录了全谱图和高分辨率谱图(Pt4f 和 Au4f),结果证实金属阳离子已完全还原,并成功沉积了纳米颗粒(图3)。对于 Pt4f 和 Au4f 谱图的解卷积,首先进行 Shirley 背景扣除。随后,使用 XPSPEAK 4.1 软件,通过非线性最小二乘曲线拟合方法,将内层电子能级谱图分解为若干组分峰,峰形采用混合高斯/洛伦兹函数(70% 高斯和 30% 洛伦兹)。所有拟合的约化卡方值均保持在 0.01 以下。Pt4f7/2 与 Pt4f5/2 峰的结合能差值设定为 3.33 eV,Pt4f7/2 与 Pt4f5/2 峰的强度比设定为 0.75。Au4f7/2 与 Au4f5/2 的对应值分别为 3.71 eV 和 0.78。
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纳米颗粒是基于贵金属催化剂中最广泛使用的形式。在几乎所有情况下,纳米颗粒都会被负载在导电或半导体支撑材料上。这种杂化通常通过在目标基底(材料)存在下还原贵金属阳离子来实现。因此,一种成功的纳米颗粒基纳米复合材料的合成方法至少应满足两个主要要求:1)阳离子的还原应高效且完全;2)沉积的速率、位置和数量应可控。在本研究中,我们证明了所开发的反应器(及合成方法)能够成功满足上述两项要求。
XPS 全谱(图3)清楚地表明 Pt 和 Au 已成功沉积在 RGO 和 TiO2 上(分别为导电材料和半导体材料)。高分辨率 Pt4f 和 Au4f 峰的解卷积结果显示不存在非金属组分,这证实了利用 PRGO 和 TiO2 的光催化还原方法能够将 Pt4+ 和 Au3+ 分别完全还原为 Pt0 和 Au0。结合沉积产率及所需时间(
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作者无任何利益冲突需要披露。
作者谨此感谢萨班哲大学和瑞士联邦材料科学与技术研究所(Empa)提供的所有支持。
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| 姓名 | 公司 | 目录编号 | 评论 |
|---|---|---|---|
| 氯铂酸溶液 | Sigma Aldrich | 262587-50ML | |
| 四氯金酸(III)水合物 | Alfa Aesar | 12325.03 | |
| 二氧化钛纳米粉末(TiO2,锐钛矿型,99.9%,100 nm) | US research nanomaterials | US3411 | |
| 石墨粉 | Alfa Aesar | 10129 | |
| 硫酸 | Sigma Aldrich | 1120802500 | |
| 过氧化氢 | Sigma Aldrich | H1009-100ML | |
| L-抗坏血酸 | Sigma Aldrich | A92902-500G | |
| 盐酸 | Sigma Aldrich | 320331-2.5L | |
| 氢氧化钠 | Sigma Aldrich | S5881-1KG | |
| 高锰酸钾 | Merck | 1050821000 | |
| Corning® GL45螺口盖用硅胶隔垫 | Sigma Aldrich (Corning) | CLS139545SS | |
| 聚氯乙烯管 | Koctas | 紫外反应器外壳 | |
| 熔融石英(石英)管 | Technical Glass Products | ||
| UV−C 灯管 | Philips | TUV PL-L 55W/4P HF 1CT/25 |
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