实时直流偏置的动态法切换时间改善严重欠阻尼边缘化场静电MEMS致动器

以下实验的总体目标是提高严重阻尼静电边缘场微机电系统致动器的稳定时间。这是通过静电 MAMs 致动器的微加工来实现的 作为第二步，选择性地蚀刻致动器下方的基板，这显着减少了挤压膜阻尼并增强了阻尼条件下的严重阻尼。接下来，实时采用动态偏置波形，以确定快速建立时间的最佳波形参数。

结果表明，与典型单位阶跃偏置相比，开关时间显著改善。虽然该方法用于改善静电边缘场致动器的开关时间，但它也可以应用于微计量等领域，以提取杨氏模量、潘斯比和双轴拉伸应力等薄膜参数。制造静电边缘场 MEMS 光束的第一步是 UV 光刻。

从适当清洁的氧化、低电阻率硅衬底开始，尺寸为 25 毫米 x 50 毫米，厚度为 0.5 毫米。在本视频中，基板横截面和俯视图的示意图将展示制造进度。将基板放在光刻胶旋转涂层的卡盘上，六甲基二醇，然后是正片。

以 3， 500 RPM 的速度抵抗每个 30 秒。将样品转移到 105 摄氏度的热板上，将光刻胶软烤 90 秒。这是此时示例的示意图。

完成后，将样品移至掩模对准器中。使用该设备，遮罩所示的简化版本，并将样品暴露在波长为 350 至 450 纳米、暴露能量为每平方厘米 391 毫焦耳的紫外线辐射下。接下来，将玻片取到两个准备好的烧杯中，一个装有四乙基氢氧化铵基显影剂，另一个装有去离子水，每个烧杯的体积都足以浸入样品，将暴露的样品浸入显影液中 12 至 20 秒，然后轻轻搅拌。

然后快速取出样品并将其浸入冲洗水中 10 秒钟。样品彻底冲洗然后用氮气干燥后，在显微镜下检查样品，看看是否需要进一步显影。此数字表示开发完成时的示例。

用缓冲氢氟酸进行湿法蚀刻以去除氧化层。然后在去除光刻胶后使用丙酮和异丙醇去除光刻胶。下一步是用四乙基氢氧化铵进行化学蚀刻。

使用带有热耦合的热板来保持温度、磁性搅拌棒、干净的 4 升峰值器和可以在烧杯中支撑的特氟龙篮。将 25% 重量的四乙基铵倒入烧杯的 2 升标记处，并在溶液中加入搅拌棒贴有热电偶的热电偶。然后在溶液达到 80 摄氏度时将溶液预热至 80 摄氏度。

将样品放入篮子中，将篮子挂在烧杯边缘的溶液中。确保为磁力搅拌棒留出旋转空间。将搅拌棒的转速设置为 400 RPM，并蚀刻至 4 到 5 微米的深度。

大约 15 分钟后，正确冲洗并擦干样品，并使用轮廓仪检查台阶高度。该图描述了达到台阶高度时的样品。下一步是去除二氧化硅。

准备一个装有氢氟酸的特氟龙烧杯，体积为 49% 足以覆盖样品，并准备一个类似制备的装有去离子水的特氟龙烧杯。将样品放入氢氟酸中，直到在 30 秒内去除所有二氧化硅。将样品转移到去离子水中，并放置 10 到 20 秒。

继续进一步冲洗，并去除样品中的有机残留物。取干净干燥的样品，进行湿式热氧化，使其表面生长 500 纳米的二氧化硅。这是二氧化硅层完成后生长步骤后样品的表示，再次将六甲基甲苯噻嗪旋转，然后将正光刻胶旋转到样品上。

软烘烤光刻胶后，使用掩模对准器将样品暴露在 350 至 400 纳米的紫外线辐射下。曝光能量为每平方厘米 391 毫焦耳，所描绘的掩码被简化。接下来，在基于氢氧化四乙基铵的显影剂中开发了一个样品。

用缓冲氢氟酸完成蚀刻并去除照片。Resist 样品现在已准备好对电镀种子层溅射沉积物进行溅射沉积。20 纳米钛，然后是 100 纳米金。

这描述了检索样本后的样本。现在再次用六甲基 DIY 以 3， 500 RPM 的速度旋涂 30 秒。然后在掩模对准器上以 2000 RPM 的正性光刻胶 30 秒对齐并将样品暴露在 350 至 450 纳米紫外线下。

以每平方厘米 483 毫焦耳的暴露能量，在基于四乙基氢氧化铵的显影剂中显影样品。彻底冲洗后，用显微镜检查样品，以确定是否需要进一步显影。显影完成后，首先将 700 毫升金电镀液填充到干净的 1 升玻璃烧杯中，对金 MEMS 束进行电镀。

将烧杯放在热板上，将热板设置为 60 摄氏度。使用热电偶确保温度保持在所需温度。当温度为 60 摄氏度时，将样品连接到一个夹具上，该夹具还装有热电偶和不锈钢阳极。

使用每平方厘米 2 毫安的电流密度对样品进行电镀，直到必要的时间过去。大约两分钟，关闭电流供应并取下电极。检索样本。

验证电镀完成。使用轮廓仪和显微镜蚀刻照片。首先用专用的光刻胶剥离剂填充玻璃扬声器，以防止霉菌。

将其放在热板上并加热至 110 摄氏度。达到温度后，将样品浸入溶液中 1 小时。小时结束时，从热板上取下烧杯，让溶液和样品冷却至室温。

这些草图代表了清洁样品后应该看到的内容。右侧的黄色区域表示沉积的金层。金色区域表示电镀梁。

表面粗糙后，将样品浸入镀金的特氟龙烧杯中 30 至 45 秒完成后，将样品浸入去离子水中 10 至 20 秒，当所有镀金被去除时，快速终止蚀刻，进一步粗糙化后，将样品浸入室温缓冲氢氟酸蚀刻中 3 至 6 秒， 冲洗干净并检查蚀刻，以确保从暴露区域去除所有钛，如图所示。作为最后一步，执行干燥的各向同性氙二氟化物边缘。这将选择性地去除硅并释放金固定、固定的光束。

这表示制造固定梁后的最终梁配置。下一步是实验验证。将样品放在直流探针台的卡盘上并固定。

接下来，使用探针台的显微镜精确定位钨探针尖端。将实时信号探头尖端放在固定固定光束的焊盘上。将接地探针尖端放在器件直流偏置焊盘上的下拉电极焊盘上。

接下来，在函数发生器上设置波形的参数。根据计算，将函数发生器的输出传递给高速、高压线性放大器。使用采样率为 300 兆赫兹的数字示波器监控输出。

在函数发生器关闭的情况下，将线性放大器的输出连接到 DC 机械臂。现在将激光多普勒气压计放在样品上并打开激光器。使用集成显微镜识别所需的光束并将激光聚焦在其中心。

选择采样率、输出和测量模式准备工作完成后。将偏置信号施加到 MEMS 电桥。开始调整函数发生器上的时序和电压参数 工作 在 pull down 和 release作上实现最小的光束振荡。

找到最佳值后，关闭偏置信号和连续激光多普勒气压计测量模式。将探头尖端从偏置焊盘上提起。然后使用随附文本协议中所述的 viter 以单次扫描模式运行设备。

将 DC 探头尖端返回到 MEMS 电桥的偏置焊盘。激活信号扫描并捕获位移与时间的关系数据。以下是 MEMS 电桥在四种不同条件下响应 60 伏输入偏置的光束偏转随时间的变化。

阶跃释放响应以黑色显示并表现出振荡。红色显示的动态释放测量是在 timing 和 voltage 测量调谐后进行的。这些表明振荡在很大程度上被移除了。

找到后，动态波形对所有间隙都很有用，而不仅仅是与 60 伏输入偏置相关的间隙。这里显示了对应于不同输入偏置电压的几个间隙高度的下拉响应。在每种情况下，振荡都是有限的。

同样，以下是每种情况下的发布响应。请注意，几乎所有的振荡都被移除了。请记住，使用氢氟酸和四氢铯烷等化学品可能非常危险。

因此，在执行此程序时应采取预防措施，例如佩戴个人防护设备。