化学溶液沉积在硅外延大孔石英薄膜的制备

这种合成的总体目标是在硅衬底上制备石英的薄外延税膜，这对于实现信息和传感技术的两种相关材料的纳米级自下而上集成非常重要。这项工作的主要动机是实现两种技术相关材料的宾得集成。这是首次使用软化学将 Quas 直接整合到有机硅上。

这种方法用途广泛，因为它产生了中孔、多孔和大孔薄膜，这对于传感天主教和催化应用非常有利。这些薄芯膜的 Pazo 电特性对于制造机电传感器设备很有吸引力，因为对于不超过 1 微米的主题，预计会有高共振频率首先称取 1.68 克微妙的三甲基溴化铵，48.13 毫升乙醇。即 37.90 克和 3 毫升 35% 盐酸。

即 3.67 毫升烧杯中装有特氟龙涂层的磁力搅拌棒中的 100 克。用手表玻璃盖住烧杯并搅拌，直到微妙的三甲基溴化铵完全溶解。加入 7.37 毫升邻硅酸四乙酯。

即滴入烧杯中 6.88 克，然后用手表玻璃盖住烧瓶，让溶液搅拌过夜。第二天。将 6.6654 克六水合氯化锶盐溶于 25 毫升锥形瓶中的毫 Q 水中，制备一摩尔的六水合氯化锶溶液。

用少量 Milli Q 水轻轻摇动培养瓶，以溶解锶盐。六水合氯化锶盐完全溶解后，用 Milli Q 水填充烧瓶并用塑料盖盖上。接下来，将 2 毫升 1 磨牙锶水溶液，2 加 100 毫升加入含有搅拌过夜溶液的玻璃喙中。

将溶液搅拌 25 分钟。准备基材。从 2 英寸 P 型硅中切割出约 2 厘米 x 5 厘米的硅板。

厚度为 200 微米的 1 0 0 晶圆，通过沿某个方向劈裂波。在凝胶沉积之前将晶片平放。用乙醇清洁基材，然后使用压缩的氮气流加速干燥过程。

在此之后，通过选择初始和最终位置来建立浸涂序列，同时考虑硅板长度和溶液水平，使板在起始位置至少比溶液高出 2 厘米，比烧杯底部高出 1 厘米。浸泡结束时，将浸泡和退出速度设置为每分钟 150 毫升，并将浸泡时间设置为零。准备好溶液后，将装有溶液的烧杯放在悬挂在 dip 编码器臂上的硅板下方的居中位置。

接下来，执行浸涂序列。完成后，从 DIP 编码器臂上松开硅胶板。此时，对炉子进行编程，使其在空气气氛中执行以下热处理。

将浸涂的硅胶基材放入 Illumina 舟中，然后将其放入炉中。然后在热处理后执行热处理。将结晶的薄膜浸入浓硝酸中 3 小时，以去除锶的积累，锶是在结晶过程中暴露在薄膜表面的二加锶。

最后，先用去离子水冲洗薄膜，然后在沉积后用乙醇冲洗。衬底的蓝绿色外观表明锶 2 plus 在薄膜上分布良好。如果发生了相分离并呈现接近激光波长的周期性，则可以观察到衍射点。

对材料的简单检查揭示了相分离，导致大孔结构和锶二加分布于大孔的边缘。该扫描电子显微镜场发射图像揭示了初始大孔结构在结晶时保留的程度，横截面、高分辨率透射电子显微镜和 X 射线衍射研究证实了 1 0 0 石英取向和石英薄膜在硅 1 0 0 衬底上的高质量外延类生长。3D 模型显示了沿 0 1 1 区轴观察的橙色石英膜和灰色硅衬底之间的普通外延分类关系。

如果薄膜是皮索电的，它会在施加的电压下变形，这可以通过使用皮索响应力显微镜技术在特定共振频率下尖端的偏转来检测。该偏转幅度与施加的交流磁场的幅度成正比，皮索电系数约为每伏 2 TERs。看完这个视频，你应该能够准备 Aachi 芯膜，但不要忘记使用新鲜的提取溶液，并在低于 50% 的相对湿度下工作这种方法可以在碱土金属在多样化二氧化硅过程中的催化和动力学作用中提供新闻，从而能够压制对不同形式的季铵盐合成的控制。

这种方法的优点之一是它可以与新兴的纳米制造技术或微电子工业中广泛使用的常规光刻技术相结合，以生产传感器件。