原子定义模板复合氧化物薄膜的外延生长

各种程序概述来制备原子定义的模板为复合氧化物薄膜的外延生长。单晶的SrTiO _3（001）和DyScO ₃的化学处理（110）衬底上进行，以获得原子级平滑，单封端的表面。 _钙的Nb _{3 O 10} ^-纳米片被用来创建任意原子基定义的模板。

以下实验的总体目标是为复杂氧化物薄膜的外延类生长准备解剖学定义的模板。实现这一目标的第一种方法是对单晶锶、钛酸盐和 DYS 进行化学处理。专业人士扫描日期基材以获得原子光滑的单端接表面。

第二种方法是通过 Lard Lodge 或 LB 沉积在任意基材上沉积一层纳米片，为随后的薄膜生长创建种子层。结果表明，通过原子力显微镜和电子背散射衍射可以看到，epit Taxal 薄膜可以在所得模板上生长。当使用 Persky 氧化物基板时，最好使用单表面端接以获得高质量的 e 建筑薄膜。

与其他现有方法相比，使用纳米片的主要优点是相对昂贵且尺寸受限的单晶衬底几乎可以被任何衬底材料取代。第一次浸没式分散。在装满丙酮的烧杯中扫描 8 个底物，并将其置于超声波浴中 10 分钟用乙醇重复此步骤后，使用氮气枪将乙醇滴从表面吹出，以干燥底物。

用光学显微镜检查每个基材的表面。通过在浸泡有乙醇的镜组织上轻轻摩擦底物来去除任何残留的颗粒，然后用氮气枪干燥样品。重复前面的步骤，直到显微镜不再看到颗粒。

接下来，在氧气气氛中将基材在 1000 度下放置 4 小时。完成后，使用 Teflon 支架将 Ane spross 扫描的 8 个基板浸入装有去离子水的烧杯中。然后将烧杯放入超声波浴中 30 分钟。

将装有去离子水的烧杯中装有底物的特氟龙支架转移到装有缓冲氟化氢的烧杯中。将烧杯放入超声波浴中 30 秒后，将特氟龙支架转移到装有去离子水的耐氟化氢烧杯中，并浸入 20 秒，轻轻上下移动支架。在另外两个装满水的烧杯中重复上一步后，将装有底物的支架留在装有乙醇的烧杯中。

处理完所有缓冲的含氟化氢液体后，使用氮气枪干燥基材。用光学显微镜检查表面，重复清洁步骤，如果可以看到污垢。在烧杯中加入 12 摩尔氢氧化钠后，使用 Teflon 支架浸入底物，并将烧杯放入超声波浴中 30 分钟。

浸入一摩尔氢氧化钠中后，再浸入三个加水烧杯中，最后浸入含乙醇的烧杯中，冲洗底物。然后使用氮气枪干燥基材。用光学显微镜检查表面，必要时使用前面描述的在卵形钙纳米片制备后描述的程序进行清洁。

用去离子水冲洗清洁 Willy 板。然后用高能氧气等离子体清洁板的每一侧至少三分钟。之后立即将 Willy 板存放在去离子水中。

接下来，用去离子水冲洗并用乙醇刷洗，清洁两个屏障中的 LB 槽。用去离子水冲洗后，再次用氮气干燥两个屏障中的槽，将装置放在一个可以在沉积过程中关闭的盒子中，以防止流动的空气和灰尘，并放在防振台上。然后，用注射器从新鲜纳米片分散体的上部取出 50 毫升，然后慢慢将其添加到槽中，同时让分散体静止。

清洁与水溶液相容的任意基材 15 分钟。完成后，将基板连接到 LB 设置的支架上，并对其进行最后一击。使用氮气，将支架置于 LB 设置中。

接下来，将柳条板浸入槽中，然后小心地将其连接到弹簧上。用一张纸从板的电线上去除液滴。降低基材，直到它接触到纳米片分散体的表面。

然后在软件中将高度设置为零，进一步降低基板直到所需的深度，确保基板支架不接触 nana 片材分散体。然后，在软件中将表面压力设置为零，让分散静置 15 分钟。在软件中再次将表面压力设置为零后，以每分钟 3 毫米的速度移动屏障以缓慢压缩表面，监测表面压力和表面积的发展，直到压力的增加显着减慢并且压力接近最大值。

输入达到的值作为目标压力，并将铲斗高度设置为实际值。然后以每分钟 1 毫米的速度从分散体中取出衬底，开始沉积的第二阶段。监测表面压力。

冲洗后沉积完成后取出 Willy 板，将其存放在去离子水中。最后，在底物干燥后去除完全不同的肛门损伤终止。优点，可以看到氧化钪衬底以及单个端接衬底的预期形态。

与单个端接表面相比，高度和相位图像中的表面粗糙度更高，这表明存在两种端接。跪在化学处理的钛酸锶衬底中具有明确的梯田。只有晶胞高度差可以用原子力显微镜测量，指示单个终止表面。

化学处理成功与否的最终测试是基材上薄膜呻吟的质量。之后，锶排尿物在单个终止的底物上生长良好。第二个终止区域的微小不可见区域可能会对胶片质量产生巨大影响。

单层纳米片的表面是光滑的，与相邻间隙的高差异接近其母体化合物中卵形钙层的晶体厚度。这种单层允许随后的平滑薄膜生长。单层纳米片完全朝向平面外方向，但作为随机的，在平面方向上，由于纳米片的随机素序，生长在顶部的薄膜也具有纹理。

在本视频中，您将看到两种方法，用于为复杂氧化物、薄膜的建筑生长准备解剖学定义的模板。对于这两个程序，干净和精确地工作都很重要。小污染会破坏整个实验。