Ein Abonnement für JoVE ist erforderlich, um diesen Inhalt ansehen zu können. Melden Sie sich an oder starten Sie Ihre kostenlose Testversion.
Kapitel
Summary
Please note that all translations are automatically generated.
Les paramètres d’anodisation pour la croissance de la couche diélectrique d’aluminium-oxyde des transistors à couches minces de zinc-oxyde (TTET) sont variés pour déterminer les effets sur les réponses de paramètres électriques. L’analyse de la variance (ANOVA) est appliquée à une conception d’expériences Plackett-Burman (DOE) afin de déterminer les conditions de fabrication qui donnent lieu à des performances optimisées de l’appareil.