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Atom Probe Tomography Studies on the Cu(In,Ga)Se2 Grain Boundaries

Atom Probe tomografias no Cu (In, Ga) Sé<sub> 2</sub> Contornos de grão

DOI:
10.3791/50376-v

•

09:51 min

•

April 22, 2013

•

, , , , ,
1Department of Microstructure Physics and Alloy Design,Max-Planck-Institut für Eisenforschung GmbH, 2Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg ( ZSW )

Capítulos

  • 00:05Título
  • 02:29Sample Fabrication for Atom Probe Tomography Analysis
  • 05:43Atom Probe Tomography Analysis in a CAMECA LEAP 3000X HR System
  • 06:31Reconstruction of Atom Probe Tomography Data
  • 07:13Results: Elemental Maps and Concentration Depth Profiles of a Grain Boundary
  • 08:38Conclusion

Summary

Traducción Automática

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Neste trabalho, nós descrevemos o uso da técnica de tomografia por sonda átomo para estudar os limites dos grãos da camada de absorção de uma célula solar de CIGS. Também é apresentada uma nova abordagem para preparar as pontas das sondas que contêm o átomo de limite de grão desejado, com uma estrutura conhecida aqui.

Tags

Atom Probe TomographyCu(InGa)Se2Grain BoundariesNanoscale CharacterizationSite-specific Sample PreparationFocused-ion-beamElectron Backscatter DiffractionTransmission Electron MicroscopyThin-film Solar Cells

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