Waiting
Procesando inicio de sesión ...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
Journal / Engineering / Träger Lebensdauer Messungen in Halbleitern durch …
JoVE Journal
Engineering

Esto contenido es Open Access.

JoVE Journal Engineering
Träger Lebensdauer Messungen in Halbleitern durch die Mikrowellen-Photoconductivity-Decay-Methode
Processing of Bulk Nanocrystalline Metals at the US Army Research Laboratory
Journal (Engineering)
Processing of Bulk Nanocrystalline Metals at the US Army Research Laboratory
Ambient Method for the Production of an Ionically Gated Carbon Nanotube Common Cathode in Tandem Organic Solar Cells
Journal (Engineering)
Ambient Method for the Production of an Ionically Gated Carbon Nanotube Common Cathode in Tandem Organic Solar Cells
 
Click here for the English version

Träger Lebensdauer Messungen in Halbleitern durch die Mikrowellen-Photoconductivity-Decay-Methode

Article DOI: 10.3791/59007-v • 07:38 min • April 18th, 2019
April 18th, 2019 •
1, 1, 1,2
1Department of Electrical & Mechanical Engineering, Nagoya Institute of Technology, 2Frontier Research Institute for Material Science, Nagoya Institute of Technology

Capítulos

Resumen
Automatic Translation

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

Als eines der wichtigen physikalischen Parameter in Halbleitern ist Träger Lebensdauer hierin über ein Protokoll mit der Mikrowelle Photoconductivity Zerfall Methode gemessen.

Tags

Engineering Zeit Ausgabe 146 Mikrowellen-Photoconductivity-Verfall-Methode Karriere-Lebensdauer Halbleitermaterial aufgelöste Messung mangels Charakterisierung Oberfläche Rekombination
Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter