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Selektive Bereichsänderung des Siliziumoberfläche Benetzbarkeit durch gepulste UV-Laser-Bestrahlung in flüssigen Umgebung
 
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Selektive Bereichsänderung des Siliziumoberfläche Benetzbarkeit durch gepulste UV-Laser-Bestrahlung in flüssigen Umgebung

Article DOI: 10.3791/52720-v 08:48 min November 9th, 2015
November 9th, 2015

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Wir berichten von einem Verfahren der in situ Veränderung der HF behandelt Si (001) -Oberfläche in einer hydrophilen oder hydrophoben Zustand durch Bestrahlen Proben in Mikrofluidkammern mit H 2 O 2 / H 2 O-Lösung (0,01% -0,5%) oder Methanol-Lösungen gefüllt mittels gepulster UV-Laser mit einer relativen niedrigen Impulsfluenz.

Tags

Engineering Ausgabe 105 Silicon Oberflächenbenetzbarkeit Laser-Oberflächen-Wechselwirkung selektiven Bereichsverarbeitung Excimer-Laser Röntgenphotoelektronenspektroskopie Kontaktwinkel
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