Name: Nanoimimpressão eletroquímica assistida por metais de wafers de silício poroso e sólido (Vídeo) | JoVE Journal
Uploaded: 2022-02-08T12:30:00.000+00:00
Duration: 9 min 18 s
Description: Aprenda a técnica de nanoimpressão eletroquímica assistida por metais para criar microestruturas 3D em wafers de silício com resolução sub-100 nm. Este método avança a fabricação de dispositivos ópticos e biosensores.

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Reconhecemos o Dr. Keng Hsu (Universidade de Louisville) por informações sobre este trabalho; Laboratório Frederick Seitz da Universidade de Illinois e, in memoriam, membro da equipe Scott Maclaren; Centro leRoy Eyring da Universidade Estadual do Arizona para ciência sólida do estado; e a Fundação de Ciência Arizona sob o Prêmio Bis grove Scholars.

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<li>Hirschman, K. D., Tsybeskov, L., Duttagupta, S. P., Fauchet, P. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Silicon-based+light+emitting+devices+integrated+into+microelectronic+circuits%5BTitle%5D)+AND+%22Nature%22%5BJournal%5D)">Silicon-based light emitting devices integrated into microelectronic circuits.</a> Nature. 384, 338-341 (1996).</li>
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<li>Azeredo, B. P., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Silicon+nanowires+with+controlled+sidewall+profile+and+roughness+fabricated+by+thin-film+dewetting+and+metal-assisted+chemical+etching%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Silicon nanowires with controlled sidewall profile and roughness fabricated by thin-film dewetting and metal-assisted chemical etching.</a> Nanotechnology. 24 (22), 225305-225312 (2013).</li>
<li>Lin, C., Tsai, M., Wei, W., Lai, K., He, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Packaging+Glass+with+a+Hierarchically+Nanostructured+Surface%3A+a+universal+method+to+achieve+selfcleaning+omnidirectional+solar+cells%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Packaging Glass with a Hierarchically Nanostructured Surface: a universal method to achieve selfcleaning omnidirectional solar cells.</a> ACS Nano. 10 (1), 549-555 (2016).</li>
<li>Park, K. C., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Nanotextured+Silica+Surfaces+with+Robust+Superhydrophobicity+and+Omnidirectional+Broadband+Supertransmissivity%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Nano%22%5BJournal%5D)">Nanotextured Silica Surfaces with Robust Superhydrophobicity and Omnidirectional Broadband Supertransmissivity.</a> ACS Nano. 6 (5), 3789-3799 (2012).</li>
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<li>Deng, S., Zhang, Y., Jiang, S., Lu, M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Fabrication+of+three-dimensional+silicon+structure+with+smooth+curved+surfaces%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Micro%2FNanolithography%2C+MEMS%2C+and+MOEMS%22%5BJournal%5D)">Fabrication of three-dimensional silicon structure with smooth curved surfaces.</a> Journal of Micro/Nanolithography, MEMS, and MOEMS. 15 (3), 0345031-0345036 (2016).</li>
<li>Azeredo, B. P., Lin, Y., Avagyan, A., Sivaguru, M., Hsu, K. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Direct+Imprinting+of+Porous+Silicon+via+Metal-Assisted+Chemical+Etching%5BTitle%5D)+AND+%22Advanced+Functional+Materials%22%5BJournal%5D)">Direct Imprinting of Porous Silicon via Metal-Assisted Chemical Etching.</a> Advanced Functional Materials. 26 (17), 2929-2939 (2016).</li>
<li>Azeredo, B., Hsu, K., Ferreira, P. M. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Direct+Electrochemical+Imprinting+of+Sinusoidal+Linear+Gratings+into+Silicon%5BTitle%5D)+AND+%22The+American+Society+of+Mechanical+Engineers+-+International+Manufacturing+Science+and+Engineering+Conference%22%5BJournal%5D)">Direct Electrochemical Imprinting of Sinusoidal Linear Gratings into Silicon.</a> The American Society of Mechanical Engineers - International Manufacturing Science and Engineering Conference. , 1-6 (2016).</li>
<li>Li, H., Niu, J., Wang, G., Wang, E., Xie, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Direct+Production+of+Silicon+Nanostructures+with+Electrochemical+Nanoimprinting%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Electronic+Materials%22%5BJournal%5D)">Direct Production of Silicon Nanostructures with Electrochemical Nanoimprinting.</a> ACS Applied Electronic Materials. 1 (7), 1070-1075 (2019).</li>
<li>Kim, K., Ki, B., Choi, K., Lee, S., Oh, J. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Resist-Free+Direct+Stamp+Imprinting+of+GaAs+via+Metal-Assisted+Chemical+Etching%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+%26+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Resist-Free Direct Stamp Imprinting of GaAs via Metal-Assisted Chemical Etching.</a> ACS Applied Materials & Interfaces. 11 (14), 13574-13580 (2019).</li>
<li>Zhang, J., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Contact+electrification+induced+interfacial+reactions+and+direct+electrochemical+nanoimprint+lithography+in+n-type+gallium+arsenate+wafer%5BTitle%5D)+AND+%22Chemical+Science%22%5BJournal%5D)">Contact electrification induced interfacial reactions and direct electrochemical nanoimprint lithography in n-type gallium arsenate wafer.</a> Chemical Science. 8, 2407-2412 (2017).</li>
<li>Zhan, D., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrochemical+micro%2Fnano-machining%3A+principles+and+practices%5BTitle%5D)+AND+%22Chemical+Society+Reviews%22%5BJournal%5D)">Electrochemical micro/nano-machining: principles and practices.</a> Chemical Society Reviews. 46 (5), 1526-1544 (2017).</li>
<li>Li, X., Bohn, P. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Metal-assisted+chemical+etching+in+HF+%2F+H2O2+produces+porous+silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Applied+Physics+Letters%22%5BJournal%5D)">Metal-assisted chemical etching in HF / H2O2 produces porous silicon.</a> Applied Physics Letters. 77 (16), 2572-2574 (2000).</li>
<li>Chartier, C., Bastide, S., Levy-Clement, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Metal-assisted+chemical+etching+of+silicon+in+HF+-+H2O2%5BTitle%5D)+AND+%22Electrochimica+Acta%22%5BJournal%5D)">Metal-assisted chemical etching of silicon in HF - H2O2.</a> Electrochimica Acta. 53, 5509-5516 (2008).</li>
<li>Chattopadhyay, S., Li, X., Bohn, P. W. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((In-plane+control+of+morphology+and+tunable+photoluminescence+in+porous+silicon+produced+by+metal-assisted+electroless+chemical+etching%5BTitle%5D)+AND+%22Journal+of+Applied+Physics%22%5BJournal%5D)">In-plane control of morphology and tunable photoluminescence in porous silicon produced by metal-assisted electroless chemical etching.</a> Journal of Applied Physics. 91 (9), 6134-6140 (2002).</li>
<li>Torralba, E., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((3D+patterning+of+silicon+by+contact+etching+with+anodically+biased+nanoporous+gold+electrodes%5BTitle%5D)+AND+%22Electrochemistry+Communications%22%5BJournal%5D)">3D patterning of silicon by contact etching with anodically biased nanoporous gold electrodes.</a> Electrochemistry Communications. 76, 79-82 (2017).</li>
<li>Bastide, S., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((3D+Patterning+of+Si+by+Contact+Etching+With+Nanoporous+Metals%5BTitle%5D)+AND+%22Frontiers+in+Chemistry%22%5BJournal%5D)">3D Patterning of Si by Contact Etching With Nanoporous Metals.</a> Frontiers in Chemistry. 7, 1-13 (2019).</li>
<li>Sharstniou, A., Niauzorau, S., Ferreira, P. M., Azeredo, B. P. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Electrochemical+nanoimprinting+of+silicon%5BTitle%5D)+AND+%22Proceedings+of+the+National+Academy+of+Sciences%22%5BJournal%5D)">Electrochemical nanoimprinting of silicon.</a> Proceedings of the National Academy of Sciences. 116 (21), 10264-10269 (2019).</li>
<li>Niauzorau, S., Ferreira, P., Azeredo, B. Synthesis of Porous Noble Metal Films with Tunable Porosity by Timed Dealloying. The American Society of Mechanical Engineers - International Manufacturing Science and Engineering Conference. , 1-4 (2018).</li>
<li>Geyer, N., et al. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Model+for+the+Mass+Transport+During+Metal-Assisted+Chemical+Etching+with+Contiguous+Metal+Films+As+Catalysts%5BTitle%5D)+AND+%22The+Journal+of+Physical+Chemistry+C%22%5BJournal%5D)">Model for the Mass Transport During Metal-Assisted Chemical Etching with Contiguous Metal Films As Catalysts.</a> The Journal of Physical Chemistry C. 116 (24), 13446-13451 (2012).</li>
<li>Li, L., Liu, Y., Zhao, X., Lin, Z., Wong, C. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Uniform+Vertical+Trench+Etching+on+Silicon+with+High+Aspect+Ratio+by+Metal-Assisted+Chemical+Etching+Using+Nanoporous+Catalysts%5BTitle%5D)+AND+%22ACS+Applied+Materials+and+Interfaces%22%5BJournal%5D)">Uniform Vertical Trench Etching on Silicon with High Aspect Ratio by Metal-Assisted Chemical Etching Using Nanoporous Catalysts.</a> ACS Applied Materials and Interfaces. 6 (1), 575-584 (2014).</li>
</ol>

Não temos nada para divulgar.

Selos Mac-Imprint e chips Si pré-despachados (tipo p, [100] orientação, 1-10 Ohm∙cm) foram preparados de acordo com as seções 1 e 2 do protocolo, respectivamente. O mac-imprint do chip Si pré-despachado com selos contendo padrões hierárquicos 3D foi realizado de acordo com a seção 3 do protocolo (Figura 9). Como mostrado na Figura 9a, foram aplicadas diferentes configurações de Mac-Imprint: Si sólido com Au sólido (esquerda), poroso Si com Au só...

A padronização e texturização tridimensional de micro e nanoescala de semicondutores permite inúmeras aplicações em diversas áreas, como optoeletrônica1,2, fotônica3, superfícies antirreflexos4, superfícies super hidrofóbicas e autolimpante5,6 entre outras. Prototipagem e produção em massa de padrões 3D e hierárquicos foram realizados com sucesso para filmes polimédicos por litografia suave e litografia de nanoimprinting com resolução sub-20 nm. No entanto, transferir tais padrões poliméricos 3D para Si requer a seletividade de gravação de um padrão de máscara durante a gravura de íons reativos e, portanto, limita a proporção, e induz distorções de forma e rugosidade superficial devido aos efeitos de escalopamento7,8.
Um novo método chamado Mac-Imprint foi alcançado para padronização paralela e direta de wafers si 10,11 sólidos, bem como wafers gaas sólidos12,13,14. Mac-Imprint é uma técnica de gravação molhada baseada em contato que requer contato entre substrato e um selo nobre revestido de metal possuindo características 3D na presença de uma solução de gravação (ES) composta de HF e um oxidante (por exemplo, H2O2 no caso de Si Mac-Imprint). Durante a gravação, duas reações ocorrem simultaneamente15,16: uma reação catódica (ou seja, a redução de H2O2 no metal nobre, durante a qual os portadores de carga positivo [buracos] são gerados e posteriormente injetados no Si17) e uma reação anoda (ou seja, dissolução de Si, durante a qual os orifícios são consumidos). Após tempo suficiente de contato, os recursos 3D do selo são gravados no wafer Si. Mac-Imprint tem inúmeras vantagens sobre métodos litográficos convencionais, como alta produtividade, compatibilidade com plataformas roll-to-plate e roll-to-roll, amorfo, mono e policristastalline Si e semicondutores III-V. Os selos Mac-Imprint podem ser reutilizados várias vezes. Além disso, o método pode fornecer uma resolução de gravação sub-20 nm compatível com métodos de escrita direta contemporâneos.
A chave para alcançar a impressão de alta fidelidade é o caminho de difusão para a frente de gravação (ou seja, interface de contato entre catalisador e substrato). O trabalho de Azeredo et al.9 demonstrou pela primeira vez que a difusão do ES é habilitada através de uma rede si porosa. Torralba et al.18, relataram que, a fim de realizar sólido Si Mac-Imprint, a difusão ES é habilitada através de um catalisador poroso. Bastide et al.19 e Sharstniou et al.20 investigaram ainda mais a influência catalisador da porosidade na difusão do ES. Assim, o conceito de Mac-Imprint foi testado em três configurações com caminhos de difusão distintos.
Na primeira configuração, o catalisador e o substrato são sólidos, não fornecendo nenhuma via de difusão inicial. A falta de difusão reactucionante leva a uma reação secundária durante a impressão que forma uma camada de Si poroso no substrato ao redor da borda da interface catalisador-Si. Os reagentes são posteriormente esgotados, e a reação pára, resultando em nenhuma fidelidade de transferência de padrão discernível entre o carimbo e o substrato. Na segunda e terceira configurações, as vias de difusão são habilitadas através de redes porosas introduzidas no substrato (ou seja, Si poroso) ou no catalisador (ou seja, ouro poroso) e alta precisão de transferência de padrão é alcançada. Assim, o transporte em massa através de materiais porosos desempenha um papel fundamental na viabilização da difusão de reagentes e produtos de reação para e longe da interface de contato9,18,19,20. Um esquema das três configurações é mostrado na Figura 1.
<img alt="Figure 1" class="xfigimg" src="/files/ftp_upload/61040/61040fig1.jpg"> Figura 1: Esquemas de configurações mac-imprint. Esta figura destaca o papel dos materiais porosos na viabilização da difusão de espécies reagindo através do substrato (ou seja, caso II: poroso Si) ou no selo (ou seja, caso III: filme fino catalisador feito de ouro poroso). <a href="https://www.jove.com/files/ftp_upload/61040/61040fig1large.jpg" target="_blank">Clique aqui para ver uma versão maior desta figura.</a>
Neste artigo, o processo Mac-Imprint é exaustivamente discutido, incluindo preparação de selos e pré-tratamento de substrato, juntamente com o próprio Mac-Imprint. A seção de pré-tratamento do substrato dentro do protocolo inclui limpeza de wafer Si e padronização de wafer Si com gravação seca e anodização de substrato (opcional). Além disso, uma seção de preparação de selos é subdividida em vários procedimentos: 1) Moldagem de réplica pdms do molde mestre si; 2) Nanoimprinting UV de uma camada fotoresistista para transferir o padrão PDMS; e 3) deposição de camada catalítica via sputtering magnetron seguido de dealloying (opcional). Finalmente, na seção Mac-Imprint, a configuração Mac-Imprint juntamente com os resultados do Mac-Imprint (ou seja, a padronização hierárquica Si surface 3D) é apresentada.

<table><tbody><tr><td>Acetona, >99,5%, reagente ACS</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>67-64-1</td><td>CUIDADO, químico</td></tr><tr><td>Fluoreto de amônio, >98%, grau ACS</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>12125-01-8</td><td>CUIDADO,</td></tr><tr><td>solução perigosa de hidróxido de amônio, 28-30%, reagente ACS</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>1336-21-6</td><td>CUIDADO,</td></tr><tr><td>perigoso AZ 400K revelador</td><td>Microquímicos</td><td>AZ 400K</td><td>CUIDADO, químico</td></tr><tr><td>BenchMark 800 Gravura a água-forte</td><td>axic</td><td>BenchMark 800</td><td>Gravura a água-forte reativa</td></tr> do <tr><td>íon Alvo do cromo, 2" x 0,125", 99,95% de pureza</td><td>Ligas de ACI</td><td>ADM0913</td><td>Alvo do cromo do cputter do magnétron</td></tr><tr><td>CTF 12</td><td>Carbolite Gero</td><td>C12075-700-208SN</td><td>Dessecador da fornalha de tubo</td></tr><tr><td></td><td>Fisher científico Chemglass ciências da vida</td><td>CG122611</td><td>Dessecador</td></tr><tr><td>F6T5/BLB</td><td>Eiko</td><td>F6T5/BLB 6W</td><td>Lâmpada UV</td></tr><tr><td>Alvo dourado, 2" x 0,125", 99,99% de pureza</td><td>Ligas ACI</td><td>N/A</td><td>Magnetron pulverização catódica alvo dourado</td></tr><tr><td>Placa de aquecimento KW-4AH</td><td>Tecnologia Chemat</td><td>KW-4AH</td><td>Placa de aquecimento nivelada com perfil de temperatura uniforme</td></tr><tr><td>Ácido fluorídrico, 48%, reagente ACS</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>7664-39-3</td><td>CUIDADO, extremamente perigoso</td></tr><tr><td>Peróxido de hidrogênio, 30%, reagente ACS</td><td>Fisher Chemical</td><td>7722-84-1</td><td>CUIDADO, perigoso</td></tr><tr><td>Álcool isopropílico, >99,5%, reagente ACS</td><td>LabChem</td><td>67-63-0</td><td>CUIDADO, químico</td></tr><tr><td>MLP-50</td><td>Técnicas de transdutor</td><td>MLP-50</td><td>Célula de carga</td></tr><tr><td>Ácido nítrico, 70%, grau ACS SAFC</td><td></td><td>7697-37-2</td><td>CUIDADO, perigoso</td></tr><tr><td>NSC-3000</td><td>Nano-master</td><td>NSC-3000</td><td>Magnetron pulverização catódica</td></tr><tr><td>Hidróxido de potássio, 45%, Certificado</td><td>Fisher Chemical</td><td>1310-58-3</td><td>CUIDADO, bomba de</td></tr><tr><td>vácuo química Rocker 800, 110V / 60Hz</td><td>Rocker</td><td>1240043</td><td>Bomba de vácuo isenta</td></tr> de <tr><td>óleo Molde mestre de silício</td><td>NILT</td><td>SMLA_V1</td><td>Chip de silício com padrão</td></tr><tr><td>Bolachas de silício,</td><td>wafer universitário</td> de primeira qualidade <td>783</td><td>Si wafer</td></tr><tr><td>Alvo de prata, 2 "x 0,125", 99,99% de pureza</td><td>Ligas ACI</td><td>HER2318</td><td>Magnetron pulverização catódica alvo de prata</td></tr><tr><td>SP-300</td><td>BioLogic</td><td>SP-300</td><td>Potenciostato</td></tr><tr><td>SPIN 150i</td><td>Spincoating</td><td>SPIN 150i</td><td>Revestidor de rotação</td></tr><tr><td>SPR 200-7.0 fotorresistente positivo</td><td>Microchem</td><td>SPR 220-7.0</td><td>CUIDADO, agitação química</td></tr><tr><td> placa de aquecimento</td><td>Thermo scientific Cimarec+</td><td>SP88857100</td><td>Placa de aquecimento de uso geral</td></tr><tr><td>SU-8 2015 fotorresistente negativo</td><td>Microchem</td><td>SU-8 2015</td><td>CUIDADO, produto químico</td></tr><tr><td>SYLGARD 184 Kit de elastômero de silicone</td><td>DOW</td><td>4019862</td><td>CUIDADO, produto químico</td></tr><tr><td>T-LSR150B</td><td>Zaber Technologies</td><td>T-LSR150B-KT04U</td><td>Estágio linear motorizado</td></tr><tr><td>Tricloro(1H,1H,2H, 2H-perfluorooctil)silano (PFOCS), 97%</td><td>Sigma-Aldrich</td><td>78560-45-9</td><td>CUIDADO, perigoso</td></tr></tbody></table>

nanoimimpressão eletroquímica assistida por metais de wafers de silício poroso e sólido

Metal-Assisted Electrochemical Nanoimprinting of Porous and Solid Silicon Wafers

A impressão eletroquímica assistida por metal (Mac-Imprint) é uma combinação de gravura química assistida por metal (MACE) e litografia nanoimprint que é capaz de padronizar 3D características 3D micro e nanoescala em semicondutores monocristalinos do grupo IV (por exemplo, Si) e III-V (por exemplo, GaAs) sem a necessidade de modelos de sacrifício 3D e passos lithográficos. Durante este processo, um selo reutilizável revestido com um catalisador metálico nobre é trazido em contato com um wafer Si na presença de uma mistura de ácido fluorídrico (HF) e peróxido de hidrogênio (H2O2), o que leva à gravação seletiva de Si na interface de contato metal-semicondutor. Neste protocolo, discutimos os métodos de preparação de selos e substratos aplicados em duas configurações Mac-Imprint: (1) Porous Si Mac-Imprint com um catalisador sólido; e (2) Solid Si Mac-Imprint com um catalisador poroso. Este processo é de alto rendimento e é capaz de padronização paralela em escala centímétrica com resolução sub-20 nm. Também fornece baixa densidade de defeitos e padronização de grande área em uma única operação e contorna a necessidade de gravura seca, como gravura de íon reativo profundo (DRIE).

Imagens de microscópio eletrônico de varredura (SEM), escaneamentos de microscópio óptico (Figura 9) e microscopia de força atômica (Figura 10) foram obtidas para estudar as propriedades morfológicas dos selos Mac-Imprint e superfícies Si impressas. O perfil transversal do sólido impresso Si foi comparado ao do carimbo de Au poroso usado (Figura 10). A fidelidade de transferência de padrões e a geraç...

Um protocolo para impressão química assistida por metais de recursos de microescala 3D com precisão de forma abaixo de 20 nm em wafers de silício sólidos e porosos é apresentado.

Nanoimimpressão eletroquímica assistida por metais de wafers de silício poroso e sólido

Metal-assisted electrochemical imprinting (Mac-Imprint) is a combination of metal-assisted chemical etching (MACE) and nanoimprint lithography that is ...

Nosso protocolo fornece um novo método de padronização para o silício que permite a criação de microestruturas hierárquicas tridimensionais que permitem o design de elementos microópticos baseados em metasuperfície e tecnologias de guia de ondas. Este protocolo permite a replicação de estruturas 3D de moldes poliméricos e duros em wafers de silício monocristalinos e porosos em um único passo. E, ao mesmo tempo, fornecendo resoluções sub 100 nanômetros em todas as três direções.Silício poroso e silício em si são ótimos materiais para fabricação de biosensores ópticos e dispositivos ópticos infravermelhos. No entanto, esperamos que essa técnica se expanda para os semicondutores do grupo III-V e até mesmo além. O carimbo para substrato ponta e alinhamento de inclinação é extremamente importante para uma marca mac uniforme.Seguindo este protocolo, o alinhamento pode ser realizado montagem de carimbo para o titular enquanto estiver em contato com o substrato. Para preparar um carimbo para a impressão Mac, primeiro limpe o molde mestre de silício usando a solução RCA-1 de acordo com os passos descritos no protocolo e, em seguida, coloque um molde mestre de silício limpo em uma placa de P

metal-assisted-electrochemical-nanoimprinting-porous-solid-silicon

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Funcionalização litografia macia e livre de óxido Patterning silício e germânio

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Demonstramos a síntese de nanopartículas de silício poroso fusogenic para entrega efectiva do oligonucleotide in vitro e in vivo. Nanopartículas de silício poroso são carregadas com siRNA para formar o núcleo, que é revestido por fusogenic lipídios através da extrusão para formar o reservatório. Direcionamento functionalization moiety e caracterização de partículas estão incluídos.

Síntese e caracterização de nanopartículas de silício poroso de Fusogenic para a entrega do Oligonucleotide Functionalization

O presente protocolo descreve ferramentas para o manuseio de microeletroletos intracorticais planar de silício durante os tratamentos para modificação superficial via deposição de gás e reações de soluções aquosas. A montagem dos componentes utilizados para manusear os dispositivos durante todo o procedimento é explicada detalhadamente.

Ferramentas para tratamento superficial de microeletroletos intracorticais planar de silício

Aprenda a técnica de nanoimpressão eletroquímica assistida por metais para criar microestruturas 3D em wafers de silício com resolução sub-100 nm. Este método avança a fabricação de dispositivos ópticos e biosensores.

Nanoimimpressão eletroquímica assistida por metais de wafers de silício poroso e sólido

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