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U2O5 película preparación vía UO2 deposición por Sputtering de corriente directa y sucesiva oxidación y reducción con oxígeno atómico y el hidrógeno atómico
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U2O5 película preparación vía UO2 deposición por Sputtering de corriente directa y sucesiva oxidación y reducción con oxígeno atómico y el hidrógeno atómico

Article DOI: 10.3791/59017-v • 12:05 min • February 21st, 2019
February 21st, 2019 •
1, 1, 1, 1
1European Commission, Joint Research Centre, Directorate for Nuclear Safety and Security

章节

总结概括
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Este protocolo presenta la preparación de U2O5 películas delgadas obtenidas en situ en ultra alto vacío. El proceso implica la oxidación y la reducción de las películas de2 UO con oxígeno atómico y el hidrógeno atómico, respectivamente.

Tags

Química número 144 U2O5 UO3 UO2 película C.C. que farfulla espectroscopía de fotoemisión de rayos x oxidación reducción
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