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DOI: 10.3791/65210-v
Fangzhou Xia1, Kamal Youcef-Toumi1, Thomas Sattel2, Eberhard Manske3, Ivo W. Rangelow4,5
1Mechatronics Research Lab, Department of Mechanical Engineering,Massachusetts Institute of Technology, 2Mechatronics Group, Department of Mechanical Engineering,Ilmenau University of Technology, 3Production and Precision Measurement Technology Group, Institute of Process Measurement and Sensor Technology,Ilmenau University of Technology, 4Nanoscale Systems Group, Institute of Process Measurement and Sensor Technology,Ilmenau University of Technology, 5nano analytik GmbH
Please note that some of the translations on this page are AI generated. Click here for the English version.
L’inspection d’échantillons à grande échelle avec une résolution à l’échelle nanométrique a un large éventail d’applications, en particulier pour les plaquettes de semi-conducteurs nanofabriquées. Les microscopes à force atomique peuvent être un excellent outil à cette fin, mais sont limités par leur vitesse d’imagerie. Ce travail utilise des réseaux de porte-à-faux actifs parallèles dans les AFM pour permettre des inspections à haut débit et à grande échelle.
La microscopie à sonde à balayage basée sur de nouvelles sondes de système micro-électromécanique est appelée porte-à-faux actif. Les cantulaires avec actionnement et détection intégrés offrent plusieurs avantages par rapport aux porte-à-faux passifs, qui reposent sur l’excitation piézoélectrique et la mesure de la déviation du faisceau optique. Le développement le plus récent dans ce domaine est la réalisation de réseaux de porte-à-faux actifs pour l’imagerie SPM parallèle à haut débit.
Les réseaux de porte-à-faux actifs utilisent des capteurs piézorésistifs intégrés pour offrir une sensibilité comparable aux méthodes de lecture optique sans limites de diffraction afin de permettre des sondes AFM plus petites, plus douces et plus compactes. Les résultats de cette technique ont ouvert la voie à l’exploitation et à la construction de microscopes à force atomique à haut débit utilisant une électronique multicanal à grande vitesse. Les progrès de cette technique peuvent faciliter le fonctionnement plus rapide et plus fiable des systèmes en porte-à-faux actifs massivement parallèles à l’avenir.
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