In Situ Transmission ElectronMikroskopi med förspänning och tillverkning av asymmetriska tvärstänger baserade på blandade faser a-VO_x

Presenteras här är ett protokoll för att analysera nanostrukturella förändringar under in situ biasing med transmissionselektronmikroskopi (TEM) för en staplad metallisolator-metall struktur. Den har betydande tillämpningar för resistiv omkoppling av tvärstänger för nästa generations programmerbara logikkretsar och neuromimicking hårdvara, för att avslöja deras underliggande driftsmekanismer och praktiska tillämplighet.