Name: Fabbricazione di chip micro-patterned con spessore controllato per microscopia elettronica criogenica ad alta produttività (Video) | JoVE Journal
Uploaded: 2022-04-21T13:40:00.000+00:00
Duration: 7 min 20 s
Description: Scopri la fabbricazione di chip micro-patterned con finestre di ossido di grafene per microscopia elettronica criogenica ad alta produttività. Questo metodo MEMS migliora l'imaging di biomolecole e nanomateriali per la scoperta di farmaci.

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M.-H.K., S.K., M.L. e J.P. riconoscono il sostegno finanziario dell'Institute for Basic Science (Grant No. IBS-R006-D1). S.K., M.L. e J.P. riconoscono il sostegno finanziario del Creative-Pioneering Researchers Program attraverso la Seoul National University (2021) e la sovvenzione NRF finanziata dal governo coreano (MSIT; Concessione Nos. NRF-2020R1A2C2101871 e NRF-2021M3A9I4022936). M.L. e J.P. riconoscono il sostegno finanziario della POSCO Science Fellowship della POSCO TJ Park Foundation e la sovvenzione NRF finanziata dal governo coreano (MSIT; Concessione n. NRF-2017R1A5A1015365). J.P. riconosce il sostegno finanziario della sovvenzione NRF finanziata dal governo coreano (MSIT; Concessione n. NRF-2020R1A6C101A183) e i programmi di iniziative di ricerca interdisciplinare del College of Engineering e del College of Medicine, Seoul National University (2021). M.-H.K. riconosce il sostegno finanziario della sovvenzione NRF finanziata dal governo coreano (MSIT; Concessione n. NRF-2020R1I1A1A0107416612). Gli autori ringraziano lo staff e l'equipaggio del Seoul National University Center for Macromolecular and Cell Imaging (SNU CMCI) per i loro instancabili sforzi e la perseveranza con gli esperimenti crio-EM. Gli autori ringraziano S. J. Kim del National Center for Inter-university Research Facilities per l'assistenza con gli esperimenti FIB-SEM.

1. Fabbricazione di chip micro-pattern con finestre GO (Figura 1)
<ol><li>Depositare il nitruro di silicio.<ol><li>Depositare il nitruro di silicio a basso stress (SixNy) su entrambi i lati del wafer Si (diametro 4 pollici e spessore 100 μm) utilizzando la deposizione chimica da vapore a bassa pressione (LPCVD) a 830 °C e una pressione di 150 mTorr, sotto un flusso di 170 sccm diclorosilano (SiH2Cl2, DCS) e 38 sccm ammoniaca (NH3).</li>
		<li>Utilizzando una velocità di deposizione di ~30 Å/min, controllare lo spessore SixNy entro 25-100 nm variando il tempo di deposizione. NOTA: Estrema attenzione è necessario prestare attenzione quando si maneggia il wafer Si perché il wafer è molto sottile e fragile. Fare attenzione a non piegare il wafer durante la sua manipolazione o caricamento nell'apparecchiatura.</li>
	</ol></li>
	<li>Modella il fotoresist.<ol><li>Applicare una soluzione di esametildilazano (HMDS) sul wafer Sidepositatoa Si x Ny con volume sufficiente a coprire l'intera superficie del wafer, girare il rivestimento con una centrifuga a 3.000 giri / min per 30 s e cuocere a 95 ° C per 30 s su una piastra calda per rendere la superficie del wafer idrofoba e quindi garantire una buona prestazione di rivestimento con fotoresist (PR).</li>
		<li>Applicare PR (Table of Materials) positivo con un volume sufficiente a coprire l'intera superficie del wafer, girare la mano a 3.000 giri / min per 30 s e cuocere a 100 ° C per 90 s su una piastra calda. Spin-coated PR ha uno spessore di 500 nm.</li>
		<li>Esporre il wafer rivestito pr con luce ultravioletta (lunghezza d'onda 365 nm e intensità 20 mW/cm2) per 5 s attraverso una maschera di cromo (Figura 2A-D) utilizzando un allineatore.</li>
		<li>Sviluppa il PR per 1 minuto usando uno sviluppatore (Table of Materials) e risciacqua il wafer immergendolo in acqua deionizzata (DI) 2x. Asciugare completamente il wafer con pattern PR soffiando gas N2 sulla superficie del wafer. NOTA: Prestare estrema attenzione durante il soffiaggio del gas N2 sul wafer Si perché il wafer è molto sottile e fragile. Non soffiare gas N2 ad alta pressione in una direzione perpendicolare al wafer, in quanto ciò potrebbe causare la frattura del wafer.</li>
	</ol></li>
	<li>Create una serie di valori SixNy.<ol><li>Incidere il SixNy esposto seguendo il modello del PR utilizzando un'incisore ionica reattiva costruita in laboratorio (RIE), con gas esafluoruro di zolfo (SF6) da 3 sccm a una potenza di radiofrequenza (RF) di 50 W. La velocità di incisione con queste impostazioni è ~ 6 Å / s. Impostare il tempo di incisione in base allo spessore dello strato SixNy depositato. NOTA: la velocità di incisione può variare e richiedere un'ottimizzazione in laboratorio a seconda delle specifiche dell'apparecchiatura RIE utilizzata.</li>
		<li>Eliminare il PR immergendo il wafer modellato SixNy in acetone a temperatura ambiente per 30 minuti, quindi risciacquando il wafer immergendolo in acqua DI 2x. Asciugare completamente il wafer soffiando gas N2 sulla superficie del wafer. NOTA: è necessario prestare estrema attenzione durante l'immersione o l'estrazione del wafer dalle soluzioni perché il wafer può essere fratturato dalla tensione superficiale della soluzione. Non immergere o estrarre il wafer parallelamente alla superficie della soluzione. Utilizzare pinzette di precisione per la gestione dei wafer con punte in fibra di carbonio. Non afferrare con forza il wafer con la pinzetta; sollevare un lato del wafer fino a quando il wafer non si inclina ad angolo, dove può essere estratto dalla soluzione. Il wafer può fratturarsi quando si piega a causa della presa salda durante il sollevamento.</li>
	</ol></li>
	<li>Incidere il Si.<ol><li>Preparare una soluzione di idrossido di potassio (KOH) da 1,5 M sciogliendo la polvere di KOH in acqua DI a 80 °C.</li>
		<li>Immergere il wafer con pattern SixNy in soluzione KOH per incidere il Si esposto. Lasciare il wafer nella soluzione mescolando fino a quando le finestre SixNy indipendenti possono essere osservate sul lato opposto del SixNy modellato. NOTA: Il tempo di incisione a umido può variare a seconda dello spessore del Si; per un wafer di 100 μm di spessore, l'incisione a umido richiede normalmente diverse ore. Non impostare la velocità di agitazione troppo alta durante l'incisione Si perché le finestre sixNy indipendenti sono molto sottili e possono essere fratturate dal flusso del fluido. In questo esperimento, la velocità di agitazione è stata impostata su 250 giri / min.</li>
		<li>Pulire il wafer inciso immergendolo più volte in un bagno d'acqua DI per eliminare i residui di incisione. Asciugare il wafer all'aria. NOTA: è necessario prestare estrema attenzione durante l'immersione o l'estrazione del wafer modellato Si dalle soluzioni perché le finestre sixNy autoportanti sono molto sottili e fragili e possono essere fratturate dalla tensione superficiale della soluzione. Il wafer deve essere immerso o estratto ad angolo, in modo tale che il bordo del wafer entri ed esca prima dalla soluzione.</li>
	</ol></li>
	<li>Eliminare i residui di incisione KOH.<ol><li>Premere leggermente i bordi dell'array di chip con una pinzetta per ottenere una matrice di chip che saranno micro-modellati (Figura 1B).</li>
		<li>Preparare la soluzione koh da 1,5 M a 80 °C mescolando.</li>
		<li>Immergere l'array di chip in soluzione KOH per 30 s e risciacquarlo immergendolo in acqua DI 2x. Asciugare completamente i trucioli soffiando gas N2 . NOTA: Prestare estrema attenzione durante l'immersione dei trucioli in soluzioni e asciugarli con gas N2 perché le finestre SixNy indipendenti sono molto sottili e fragili. Mentre il chip è immerso nella soluzione KOH, l'agitazione deve essere interrotta. I trucioli devono essere immersi con i loro bordi prima nella direzione perpendicolare alla soluzione e soffiati con gas N2 nella direzione parallela.</li>
		<li>Asciugare completamente l'array di chip nell'aria per almeno 1 ora.</li>
	</ol></li>
	<li>Modella il PR.<ol><li>Preparare un wafer Si vuoto da 525 μm come supporto solido. Rivestire il wafer Si con HMDS e PR positivo, come descritto sopra, ma collegare l'array di chip (con il lato della finestra SixNy indipendente verso l'alto) sul wafer Si prima di cuocere il PR. Il PR funge da adesivo tra il wafer e l'array di chip. Cuocere il wafer Si attaccato con l'array di chip a 100 °C per 90 s su una piastra calda.</li>
		<li>Spin coat il chipset con HMDS e PR positivo, come descritto sopra.</li>
		<li>Esporre il chipset con luce ultravioletta (lunghezza d'onda 365 nm; intensità 20 mW/cm2) per 5 s attraverso una maschera al cromo (Figura 2E,F) utilizzando un allineatore.</li>
		<li>Sviluppa il PR utilizzando uno sviluppatore per 15 s, risciacqua il chipset immergendolo in acqua DI 2x e asciuga completamente il chipset con pattern PR soffiando N2 gas.</li>
	</ol></li>
	<li>Preparare il micro-patterned SixNy.<ol style="margin-left: 40px;"><li>Etch SixNy seguendo il modello PR utilizzando un RIE costruito in laboratorio, con 3 sccm SF6 gas a potenza RF di 50 W. Controllare il tempo di incisione a seconda dello spessore dello strato SixNy .</li>
	</ol></li>
	<li>Elimina il PR.<ol><li>Eliminare il PR immergendo il set di chip modellato in soluzione di 1-metil-2-pirrolidinone (NMP) a 60 °C e lasciandolo durante la notte. Risciacquare il chipset immergendolo in acqua DI 2x e asciugare completamente il chipset modellato soffiando N2 gas.</li>
		<li>Elimina i residui di PR con un processo al plasma O2 utilizzando gas O2 da 100 sccm a una potenza RF di 150 W per 1 minuto con il RIE costruito in laboratorio.</li>
	</ol></li>
	<li>Risciacquare il chip micro-modellato.<ol><li>Preparare una soluzione KOH da 1,5 M a 80 °C.</li>
		<li>Immergere i chip micro-modellati in soluzione KOH per 30 s per eliminare completamente i residui di PR e risciacquare i trucioli immergendoli in acqua DI 2x. Asciugare completamente i trucioli soffiando gas N2 .</li>
		<li>Asciugare completamente i trucioli all'aria per almeno 1 ora.</li>
	</ol></li>
	<li>Trasferire l'ossido di grafene (GO) con il metodo drop-casting.<ol><li>Diluire la soluzione di GO (2 mg/mL) a 0,2 mg/L con acqua DI e sonicare per 10 minuti per rompere gli aggregati dei fogli di GO. Centrifugare la soluzione GO diluita a 300 x g per 30 s.</li>
		<li>Glow scarica il lato inciso Si del chip micro-modellato per rendere la superficie del chip con carica positiva utilizzando uno scaricatore a bagliore (Table of Materials) a 15 mA per 1 min.</li>
		<li>Rilasciare 3 μL della soluzione GO sul lato scaricato a bagliore del chip micro-modellato e lasciare la goccia sul chip per 1 minuto. Dopo 1 minuto, asciugare la soluzione GO in eccesso sul chip con carta da filtro.</li>
		<li>Lavare il chip trasferito GO con gocce d'acqua DI preparate su pellicola di paraffina e asciugare l'acqua DI sul chip con carta da filtro. Ripetere questa procedura 2x sul lato GO trasferito e 1x sul lato opposto. Asciugare il chip trasferito GO a temperatura ambiente durante la notte.</li>
		<li>Lavare il chip micro-modellato con le finestre GO immergendolo nell'acqua DI e asciugare il chip con gas N2 .</li>
	</ol></li>
</ol>2. Imaging crio-EM
<ol><li>Preparare il criocampione.<ol><li>Preparare il criocampione utilizzando una crioimmergatrice meccanica (Table of Materials), che controlla la temperatura, l'umidità, il tempo di blotting e la forza. Dopo aver caricato il tampone sui blotter, assicurarsi che l'umidità e la temperatura nella camera siano mantenute rispettivamente al 100% e al 15 °C.</li>
		<li>Raccogli il chip micro-modellato con una tipica criopenzetta e carica la pinzetta sulla crio-tuffatrice. Pipettare 3 μL di soluzione campione sul chip micro-modellato sul lato a foro, con finestre GO sul fondo. Controllare il tempo di blotting e la forza a seconda della soluzione campione. NOTA: Qui, campioni biologici, vale a dire il virus dell'immunodeficienza umana (HIV-1), la ferritina, il proteasoma 26S, il groEL, le particelle proteiche apoferritin e le proteine del filamento tau sono stati utilizzati per l'imaging crio-EM. Inoltre, diversi tipi di materiali inorganici, come le nanoparticelle Fe2O3 (NP), le nanoparticelle Au, le nanobarre Au e le nanoparticelle di silice, sono stati utilizzati per l'imaging crio-EM. Il tempo di blotting e la forza desiderati sono stati impostati sullo stantuffo crio per diversi tipi di campioni.</li>
		<li>Dopo il processo di blotting, congelare immediatamente il chip caricato con il campione in etano liquido. Trasferire il chip nella griglia in azoto liquido (LN2) e conservarlo in LN2 prima dell'imaging crio-EM.</li>
	</ol></li>
	<li>Eseguire l'imaging crio-EM.<ol><li>Caricare il criocampione su un supporto crio-EM con la temperatura mantenuta a -180 °C.</li>
		<li>Caricare il supporto crio-EM in un TEM e osservare i campioni con la modalità sistema a dose minima (MDS).</li>
	</ol></li>
</ol>

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Gli autori non hanno conflitti di interesse.

Qui vengono introdotti i processi di microfabbricazione per la produzione di chip micro-modellati con finestre GO. Il chip micro-modellato fabbricato è progettato per regolare lo spessore dello strato di ghiaccio vitreo controllando la profondità del microforo con finestre GO a seconda delle dimensioni del materiale da analizzare. Un chip micro-modellato con finestre GO è stato fabbricato utilizzando una serie di tecniche MEMS e un metodo di trasferimento di nanofogli 2D (Figura 1). Il princ...

La microscopia elettronica criogenica (cryo-EM) è stata sviluppata per risolvere la struttura tridimensionale (3D) delle proteine nel loro stato nativo 1,2,3,4. La tecnica prevede il fissaggio di proteine in uno strato sottile (10-100 nm) di ghiaccio vitreo e l'acquisizione di immagini di proiezione di proteine orientate casualmente utilizzando un microscopio elettronico a trasmissione (TEM), con il campione mantenuto a temperatura di azoto liquido. Migliaia o milioni di immagini di proiezione vengono acquisite e utilizzate per ricostruire una struttura 3D della proteina mediante algoritmi computazionali 5,6. Per un'analisi di successo con crio-EM, la preparazione del criocampione è stata automatizzata congelando a immersione l'apparecchiatura che controlla le condizioni di blotting, l'umidità e la temperatura. La soluzione campione viene caricata su una griglia TEM con una membrana di carbonio bucato, successivamente cancellata per rimuovere la soluzione in eccesso, e quindi congelata a immersione con etano liquido per produrre ghiaccio sottile e vitreo 1,5,6. Con i progressi nella crio-EM e l'automazione della preparazione del campione7, il cryo-EM è stato sempre più utilizzato per risolvere la struttura delle proteine, comprese le proteine dell'involucro per i virus e le proteine del canale ionico nella membrana cellulare 8,9,10. La struttura delle proteine dell'involucro delle particelle virali patogene è importante per comprendere la patologia dell'infezione virale, nonché per sviluppare il sistema di diagnosi e i vaccini, ad esempio SARS-CoV-211, che ha causato la pandemia di COVID-19. Inoltre, le tecniche crio-EM sono state recentemente applicate alle scienze dei materiali, come per l'imaging di materiali sensibili al fascio utilizzati nelle batterie 12,13,14 e nei sistemi catalitici 14,15 e l'analisi della struttura dei materiali inorganici nello stato di soluzione16.
Nonostante i notevoli sviluppi nella crio-EM e nelle tecniche pertinenti, esistono limitazioni nella preparazione del criocampione, ostacolando l'analisi della struttura 3D ad alto rendimento. Preparare un film di ghiaccio vitreo con spessore ottimale è particolarmente importante per ottenere la struttura 3D di materiali biologici con risoluzione atomica. Il ghiaccio deve essere abbastanza sottile da ridurre al minimo il rumore di fondo degli elettroni dispersi dal ghiaccio e da vietare sovrapposizioni di biomolecole lungo il percorso del fascio di elettroni 1,17. Tuttavia, se il ghiaccio è troppo sottile, può causare l'allineamento delle molecole proteiche negli orientamenti preferiti o la denaturazione 18,19,20. Pertanto, lo spessore del ghiaccio vitreo dovrebbe essere ottimizzato in base alle dimensioni del materiale di interesse. Inoltre, è in genere necessario un grande sforzo per la preparazione del campione e lo screening manuale dell'integrità del ghiaccio e delle proteine sulle griglie TEM preparate. Questo processo richiede molto tempo, il che ne ostacola l'efficienza per l'analisi della struttura 3D ad alto rendimento. Pertanto, i miglioramenti nell'affidabilità e nella riproducibilità della preparazione del campione crio-EM migliorerebbero l'utilizzo del crio-EM nella biologia strutturale e nella scoperta di farmaci commerciali, nonché per la scienza dei materiali.
Qui, introduciamo processi di microfabbricazione per la realizzazione di un chip micro-modellato con finestre di ossido di grafene (GO) progettate per crio-EM ad alto rendimento con spessore di ghiaccio controllato21. Il chip micro-modellato è stato fabbricato utilizzando tecniche di sistema microelettromeccanico (MEMS), che possono manipolare la struttura e le dimensioni del chip a seconda degli scopi di imaging. Il chip micro-modellato con finestre GO ha una struttura a micro pozzetto che può essere riempita con la soluzione campione e la profondità del microwell può essere regolata per controllare lo spessore del ghiaccio vitreo. La forte affinità di GO per le biomolecole aumenta la concentrazione di biomolecole per la visualizzazione, migliorando l'efficienza dell'analisi della struttura. Inoltre, il chip micro-modellato è composto da un telaio Si, che fornisce un'elevata stabilità meccanica per la griglia19, rendendolo ideale per la gestione del chip durante le procedure di preparazione del campione e l'imaging crio-EM. Pertanto, un chip micro-modellato con finestre GO fabbricate con tecniche MEMS fornisce affidabilità e riproducibilità della preparazione del campione crio-EM, che può consentire un'analisi della struttura efficiente e ad alto rendimento basata su cryo-EM.

<table><tbody><tr><td>1-metil-2-pirrolidinone (NMP)</td><td>Sigma Aldrich, USA</td><td>443778</td><td></td></tr><tr><td>Acetone</td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td>AFM</td><td>Park Systems, Corea del Sud</td><td>NX-10</td><td></td></tr><tr><td>Aligner</td><td>Midas System, Corea del Sud</td><td>MDA-600S</td><td></td></tr><tr><td>AZ 300 MIF sviluppatore</td><td>AZ Electronic Materials USA Corp., USA</td><td>184411</td><td></td></tr><tr><td>Supporto</td> <td>Cryo-EMGatan, USA</td><td>626 supporto crio-EM a inclinazione singola</td> Macchina crio-tuffatrice Thermo Fisher SCIENTIFIC, USA Vitrobot Mark IV Microscopia elettronica a scansione a fascio ionico focalizzato (FIB-SEM)FEI Company, USA Helios NanoLab 650 Scaricatore di bagliore Ted Pella Inc., USA PELCO easiGlow Soluzione di ossido di grafene (GO) Sigma Aldrich, USA <td></td></tr><tr><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td></td><td></td><td></td><td></td></tr><tr><td></td><td></td><td></td><td></td>763705</tr><tr><td>Esametildisizazne (HMDS), 98+%Alfa</td> <td>Aesar, USA</td><td>10226590</td><td></td></tr><tr><td>Deposizione chimica da vapore a bassa pressione (LPCVD)</td><td>Centrotherm, Germania</td><td>LPCVD E1200</td><td></td></tr><tr><td>maP1205 positivo PR</td><td>Micro resist technology, Germania</td><td>A15139</td><td></td></tr><tr><td>Idrossido di potassio (KOH), fiocco</td><td>DAEJUNG CHEMICALS & METALS Co. LTD., Corea del Sud</td><td>6597-4400</td><td></td></tr><tr><td>Spettrometro Raman</td><td>NOST, Corea del Sud</td><td>Sistema Micro Raman confocale HEDA</td><td></td></tr><tr><td>Incisore ionico reattivo (RIE)</td> <td>Ingegneria scientifica, Corea del Sud</td> SEM costruito <td></td><td>in laboratorio</td></tr><tr><td></td><td>Carl Zeiss, Germania</td><td>SUPRA 55VP</td><td></td></tr><tr><td>Si wafer JP</td><td>COMMERCE, Corea</td><td></td> del Sud <td>4" wafer di silicio, tipo P (B), (100), 1-30ohm.c m, DSP, T:100um</td></tr><tr><td>Spin coater</td><td>Dong Ah Trade Corp., Corea del Sud</td><td>ACE-200</td><td></td></tr><tr><td>TEM</td><td>JEOL, Giappone</td><td>JEM-2100F</td><td></td></tr></tbody></table>

fabbricazione di chip micro-patterned con spessore controllato per microscopia elettronica criogenica ad alta produttività

Fabrication of Micro-Patterned Chip with Controlled Thickness for High-Throughput Cryogenic Electron Microscopy

Una delle principali limitazioni per l'analisi efficiente e ad alto rendimento della struttura delle biomolecole utilizzando la microscopia elettronica criogenica (cryo-EM) è la difficoltà di preparare campioni crio-EM con spessore di ghiaccio controllato su scala nanometrica. Il chip a base di silicio (Si), che ha una serie regolare di micro-fori con finestra di ossido di grafene (GO) modellata su un film di nitruro di silicio (SixNy) a spessore controllato, è stato sviluppato applicando tecniche di sistema microelettromeccanico (MEMS). La fotolitografia UV, la deposizione chimica da vapore, l'incisione a umido e a secco del film sottile e la fusione a goccia di materiali nanofogli 2D sono state utilizzate per la produzione di massa dei chip micro-modellati con finestre GO. La profondità dei microfori è regolata per controllare lo spessore del ghiaccio su richiesta, a seconda delle dimensioni del campione per l'analisi crio-EM. L'affinità favorevole di GO verso le biomolecole concentra le biomolecole di interesse all'interno del micro-foro durante la preparazione del campione crio-EM. Il chip micro-modellato con finestre GO consente l'imaging crio-EM ad alto rendimento di varie molecole biologiche e nanomateriali inorganici.

Un chip micro-modellato con finestre GO è stato fabbricato dalla fabbricazione MEMS e dal trasferimento di nanofogli GO 2D. I chip per il micro-patterning sono stati prodotti in serie, con circa 500 chip prodotti da un wafer da 4 pollici (Figura 1B e Figura 2A,B). I disegni dei chip micro-modellati possono essere manipolati utilizzando diversi disegni della maschera al cromo (Figura 2) durante la procedura di fotoli...

Un chip micro-modellato di nuova concezione con finestre di ossido di grafene viene fabbricato applicando tecniche di sistema microelettromeccanico, consentendo l'imaging criogenico al microscopio elettronico efficiente e ad alto rendimento di varie biomolecole e nanomateriali.

Fabbricazione di chip micro-patterned con spessore controllato per microscopia elettronica criogenica ad alta produttività

A major limitation for the efficient and high-throughput structure analysis of biomolecules using cryogenic electron microscopy (cryo-EM) is the ...

Questo protocollo è importante per regolare lo spessore delle dimensioni dell'immagine su scala nanometrica per osservare con successo proteine e nanomateriali di diverse dimensioni utilizzando la crio EM. La tecnica di fabbricazione del Mem consente la produzione di massa del microchip. Consente inoltre la selezione delle profondità e dei disegni dei pozzetti micro pattern. A seconda degli scopi sperimentali.La tecnica può contribuire a migliorare l'efficienza dell'analisi della struttura 3D ad alto rendimento delle biomolecole che viene utilizzata per la scoperta di farmaci commerciali, e quindi wafer sottili e microchip con membrane nitro di silicio che tendono al rischio possono essere complicati. È importante non piegare il wafer o applicare forze perpendicolari alla finestra del nitrato di silicio. Iniziare a modellare la foto resist, o PR coprendo un wafer di silicio depositato con nitruro di silicio con soluzione di esametildisilazano e quindi ruotare il rivestimento del wafer a 3000 RPM per 30 secondi su un codificatore di rotazione.Cuocere il wafer rivestito a 95 gradi Celsius per 30 secondi su una piastra riscaldante per rendere la superficie dell'acqua idrofobica e garantire una buona prestazione di rivestimento con il PR. Quindi, rivestire il wafer con un PR positivo e cuocerlo a 100 gradi Celsius per 90 secondi. Un PR rivestito di spin ha uno spessore di 500 nanometri. Esporre il wafer rivestito PR alla luce ultravioletta per cinque secondi attraverso una maschera cromata utilizzando un allineatore.Sviluppare il PR per un minuto utilizzando uno sviluppatore e risciacquare due volte immergendo il wafer in acqua deionizzata. Quindi asciugare il wafer con modello PR soffiando gas azoto sulla superficie dell'acqua. Seguendo il modello del PR. Utilizzare un incisore ionico reattivo costruito in laboratorio a una potenza a radiofrequenza di 50 watt e con gas esafluoruro di zolfo a tre centimetri cubici standard al minuto.Per incidere il nitruro di silicio esposto alla velocità di sei angstrom al secondo. Eliminare il PR immergendo il wafer con motivo a nitruro di silicio in acetone a temperatura ambiente per 30 minuti. Seguito dal risciacquo del wafer due volte in acqua deionizzata e dall'asciugatura del wafer con azoto gassoso.Per incidere il si esposto, immergere il wafer con motivi a nitruro di silicio in una soluzione di idrossido di potassio appena preparata. Con agitazione continua fino a quando le finestre di nitruro di silicio indipendenti possono essere osservate sul lato opposto del wafer modellato. Pulire il wafer inciso immergendolo più volte in un bagno d'acqua deionizzato.Quindi asciugare il wafer all'aria. Per eliminare i residui di incisione, premere leggermente i bordi dell'array di chip con una pinzetta e ottenere una serie di chip da micro modellare. Quindi immergere l'array di trucioli in una soluzione di idrossido di potassio appena preparata per 30 secondi, seguita da un risciacquo due volte, soffiando i trucioli con azoto gassoso e asciugandoli all'aria per un'ora.Per un supporto solido, preparare un wafer di silicio bianco da 525 micrometri con il rivestimento di spin come dimostrato in precedenza. Attaccato al raggio cippatore sul wafer di silicio prima di cuocere il wafer e seguire la procedura descritta in precedenza per ottenere il wafer di silicio micropattern. Eliminare il PR immergendo il set di chip pattern in una soluzione di littanolo metilico puro a 60 gradi Celsius durante la notte.Il giorno successivo, sciacquare il chipset due volte con acqua deionizzata. Dopo aver essiccato il set di chip del modello con azoto, eliminare i residui di PR con un processo al plasma di ossigeno utilizzando 100 centimetri cubici standard al minuto di ossigeno gassoso a una potenza a radiofrequenza di 150 watt per un minuto con l'incisore ionico reattivo. Successivamente, immergere i trucioli micro modellati in una soluzione di idrossido di potassio per 30 secondi per eliminare completamente i residui di PR.Quindi risciacquare e asciugare completamente il chipset. Diluire due milligrammi per millilitro di ossido di grafene o soluzione 10 volte con acqua deionizzata e sonicare la soluzione diluita per 10 minuti per rompere gli aggregati dei fogli. Quindi centrifugare fino alla soluzione diluita a 300 volte G per 30 secondi a temperatura ambiente.Utilizzare uno scaricatore a bagliore a 15 milioni di ampere per scaricare il lato inciso al silicio del chip micro pattern per un minuto e rendere la superficie del chip con una carica positiva. Al termine, far cadere tre microlitri della soluzione sul lato di scarica del bagliore del chip micropattern. Dopo un minuto, asciugare la soluzione in eccesso sul chip con carta da filtro.Lavare il chip trasferito con gocce d'acqua deionizzata su un film di paraffina e asciugare l'eccesso con carta da filtro. Ripetere la procedura di drop casting due volte sul lato trasferito e una volta sul lato opposto. Asciugare il chip trasferito a temperatura ambiente durante la notte.Durante la procedura di fotolitografia i disegni dei micro chip pattern sono stati manipolati utilizzando diversi disegni della maschera di cromo. Sono stati controllati i numeri e le dimensioni delle membrane autoportanti in nitruro di silicio. È stato osservato che i chip micro modellati fabbricati potrebbero avere fino a 25.000 fori sospesi.Lo spettro del ramen alla finestra mostrava i picchi rappresentativi del Inoltre, i modelli di defrazione esagonale orientati alla moltiplicazione indicavano che le finestre consistevano nel multistrato La struttura e la profondità del microforo con finestre sono state studiate con microscopia elettronica a scansione e microscopia a forza atomica. Una struttura di tipo pozzo del micro foro con la finestra è stata osservata nelle immagini confermando la possibilità del design del chip micro pattern con finestre. Con l'aiuto del micro chip modellato, alcuni campioni biologici e nanoparticelle inorganiche sono stati ripresi con il microscopio elettronico criogenico.È importante ottimizzare le condizioni come lo spessore puro del rivestimento utilizzando l'intensità e il tempo di sviluppo per la micromodellazione a seconda delle dimensioni e del design dei modelli. Applicando tecniche di nano pattering come FIB o anche litografene più piccolo alcuni modelli micrometrici possono essere prodotti che possono espandere le applicazioni di questo micro dispositivo dove viene utilizzato con altre tecniche analitiche.

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Vi presentiamo due processi per la microfabbricazione di chip polimerici porosi tridimensionali coltivazione delle cellule. Il primo è goffratura a caldo combinato con un solvente processo di saldatura vapore. La seconda utilizza un processo recentemente sviluppato microthermoforming combinata con la tecnologia agli ioni di pista che porta ad una significativa semplificazione di fabbricazione.

Microfabbricazione di chip di dimensioni Ponteggi per tridimensionale coltura cellulare

Abbiamo sviluppato un self-contained cella liquido, che permette l'imaging mediante liquidi usando un microscopio elettronico a trasmissione. Processi dinamici di nanoparticelle nei liquidi può essere rivelato in tempo reale con risoluzione sub-nanometrica.

Rivelare processi dinamici dei materiali in liquidi con liquido di trasmissione microscopia elettronica cellulare

L'uso di guide d'onda fotoniche di cristallo di luce lenta e cavità è stato ampiamente adottato dalla comunità fotonica in molte applicazioni differenti. Pertanto fabbricazione e caratterizzazione di questi dispositivi sono di grande interesse. Il presente documento delinea la nostra tecnica di fabbricazione e di due metodi di caratterizzazione ottica, vale a dire: diffusione interferometrica (guide d'onda) e risonante (cavità).

Fabbricazione e caratterizzazione di guide d&#39;onda fotoniche di cristallo di luce lenta e cavità

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Scopri la fabbricazione di chip micro-patterned con finestre di ossido di grafene per microscopia elettronica criogenica ad alta produttività. Questo metodo MEMS migliora l'imaging di biomolecole e nanomateriali per la scoperta di farmaci.

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