필드를 치료 종양을 사용하여 암 세포에 대한 최적의 억제 주파수 (TTFields를) 결정

TTFields 체외 적용 시스템의 전반적인 목표는 다양한 종양 유형의 암세포에 미치는 영향을 조사하여 TTFields 임상 투여를 안내하고 치료 결과를 최적화하는 것입니다. 이 방법은 암세포에 대한 다양한 TTField 매개변수의 효과를 정의하는 데 도움이 될 수 있습니다. 이 기술의 가장 큰 장점은 특정 암 세포주의 성장을 억제하는 가장 효과적인 TTField 빈도를 전임상적으로 식별할 수 있다는 점이며, 이는 궁극적으로 인간에게 적용될 수 있습니다.

이 기법을 약간 수정하면 TTField와 화학요법제 및 방사선 요법과 같은 다른 치료 방식을 병용하는 경우의 효능을 시험할 수 있습니다. 이 절차를 시연하는 사람은 우리 팀의 연구원인 Yaara Porat입니다. 먼저 덮개가 있는 TTFields 접시를 베이스 플레이트에 설치하고 대조 세포를 성장시키는 데 사용할 접시 8개를 추가로 준비합니다.

각 접시의 바닥에 멸균 2mm 커버슬립을 놓습니다. 다음으로, 1밀리리터의 DMEM 배지에 4번째 U-87 MG 세포를 10회 5회 현탁시킵니다. 각 접시에 도금된 적절한 세포 수는 사용 중인 세포주의 특성에 따라 다릅니다.

세포의 과증식을 방지하기 위해 실험 전에 이를 보정하는 것이 중요합니다. 피펫 200 마이크로 리터의 세포 현탁액을 각 커버 슬립에 올려 표면에 방울이 형성되도록 하고 뚜껑으로 접시를 덮습니다. 모든 접시를 섭씨 37도, 이산화탄소 5%에서 하룻밤 동안 배양하여 세포가 부착할 수 있도록 합니다.

세포가 부착되면 200마이크로리터 피펫을 사용하여 커버슬립에서 배지를 흡인한 다음 각 접시에 2ml의 완전 성장 배지를 조심스럽게 피펫으로 주입합니다. 멸균 피펫 팁으로 커버슬립 가장자리를 부드럽게 두드려 슬라이드 아래에 걸린 기포를 제거합니다. 그 후, TTFields 처리가 시작될 때까지 섭씨 37도, 5% 이산화탄소에서 세포를 배양합니다.

TTFields 처리를 시작하려면 섭씨 37도의 인큐베이터에서 베이스 플레이트를 제거하고 냉장 이산화탄소 인큐베이터에 넣습니다. 냉장 인큐베이터 온도에 따라 전기장 강도가 결정됩니다. 적절한 농도를 사용하는 것이 중요하며, 이는 TTFields에 대한 세포 민감도에 따라 달라집니다.

그런 다음 플랫 케이블 암 커넥터를 베이스 플레이트에 꽂고 TTFields 발전기를 켭니다. TTFields 체외 응용 프로그램 시스템 전용 소프트웨어를 엽니다. 실험자와 실험자의 이름을 입력하여 새로운 연구를 정의한 후 각 요리의 빈도와 목표 온도를 조정합니다.

시작 버튼을 클릭하여 소프트웨어에서 TTFields 처리를 시작하고, 모든 접시가 모니터에서 연한 파란색으로 나타나는지 확인하여 제대로 연결되었음을 확인합니다. 연결을 다시 설정하려면 접시를 부드럽게 누르고 접시가 화면에 연한 파란색으로 나타날 때까지 접시를 천천히 앞뒤로 돌립니다. 치료 24시간 후 일시 중지를 클릭하여 소프트웨어에서 실험을 중지합니다.

베이스 플레이트에서 플랫 케이블 커넥터를 분리한 다음 베이스 플레이트를 층류 캐비닛에 넣은 다음 접시와 제어 셀이 있는 베이스 플레이트를 인큐베이터에서 표준 조건으로 성장시켰습니다. 모든 접시의 배지를 새로운 완전한 성장 배지로 교체한 다음 대조 셀을 섭씨 37도, 5% 이산화탄소 인큐베이터에 넣고 베이스 플레이트를 냉장 인큐베이터로 되돌립니다. 베이스 플레이트를 발전기에 다시 연결합니다.

계속 버튼을 클릭하여 치료를 계속하십시오. 처리가 완료되면 소프트웨어에서 실험 종료 버튼을 클릭하여 실험을 완료한 다음 시스템에서 업로드된 데이터를 저장합니다. TTFields 발전기를 끈 후 베이스 플레이트에서 플랫 케이블을 분리하고 인큐베이터에서 시스템을 제거합니다.

세라믹 접시를 아래로 누르고 시계 반대 방향으로 돌려 베이스 플레이트에서 분리합니다. 다음으로, 추가 평가를 위해 처리한 TTFields 및 control 커버슬립을 새로운 배지가 들어 있는 멸균 페트리 접시에 무균 상태로 옮깁니다. TTFields 처리의 효과를 평가하려면, 용기가 들어 있는 각 커버슬립에서 배지를 제거한 다음 0.5ml의 0.25%트립신/EDTA를 첨가하고, 세포가 커버슬립 표면에서 분리될 때까지 섭씨 37도, 5%이산화탄소에서 접시를 배양합니다.

0.5ml의 완전 성장 배지로 트립신을 중화하고 현탁액을 위아래로 부드럽게 피펫팅하여 세포를 다시 현탁시킵니다. 마지막으로, 유세포 분석으로 세포를 계수합니다. 다음은 A2780 세포에서 수행된 빈도 스캔 결과로, 연구된 세포의 성장 및 클론 생성 능력에 대한 TTFields의 빈도 의존적 영향을 밝혔습니다.

가장 두드러진 치료 효과는 200킬로헤르츠의 주파수를 적용했을 때 관찰되었습니다. 두 가지 다른 강도로 수행된 TTFields 치료의 효능은 OVCAR-3 세포에서 조사되었습니다. 이 연구는 적용된 강도와 치료 결과 사이의 명확한 관계를 보여주며, 더 높은 필드 강도의 더 큰 성장 억제 활성을 보여줍니다.

적용된 자기장 강도에 관계없이, TTFields 처리의 가장 강력한 효과는 200 킬로헤르츠의 주파수에서 관찰되었습니다. 이 기술을 마스터하면 하루에 30분 이내에 완료할 수 있습니다. 이 절차를 시도하는 동안 매체 유출을 피하고 접시를 인큐베이터에서 후드로, 또는 그 반대로 옮길 때 접시의 균형을 유지하는 것을 기억하는 것이 중요합니다.

TTField 적용 후에는 유세포 분석, 알라닌 단백질 분석 또는 면역형광 현미경 검사와 같은 다른 방법을 수행하여 치료 결과와 관찰된 활성의 기저에 있는 메커니즘을 추가로 조사할 수 있습니다. 이 기법은 다양한 유형의 암에 대한 임상 환경에서 적용할 최적의 TTFields 빈도를 결정하는 데 사용됩니다. 이 동영상을 시청한 후에는 TTFields 체외 실험을 계획하고 실행하는 방법을 잘 이해하게 될 것입니다.

인간 세포주를 대상으로 하는 작업은 위험할 수 있으므로 이 절차를 수행하는 동안 항상 보호 장갑 및 옷과 같은 예방 조치를 취해야 한다는 것을 잊지 마십시오.