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Rendern von SiO2/Si Oberflächen Omniphobic durch Schnitzen von Gas-Entrapping Mikrotexturen bestehend reentrant und doppelt reentrant Hohlräume oder Säulen
 
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Rendern von SiO2/Si Oberflächen Omniphobic durch Schnitzen von Gas-Entrapping Mikrotexturen bestehend reentrant und doppelt reentrant Hohlräume oder Säulen

Article DOI: 10.3791/60403-v 08:02 min February 11th, 2020
February 11th, 2020

챕터

요약

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Diese Arbeit präsentiert Mikrofabrikationsprotokolle zur Erzielung von Hohlräumen und Säulen mit reentranten und doppelt reentranten Profilen auf SiO2/Si-Wafern mittels Photolithographie und Trockenätzung. Die resultierenden mikrotexturierten Oberflächen zeigen eine bemerkenswerte Flüssigkeitsabstoßung, die sich trotz der intrinsischen Benetzbarkeit von Kieselsäure durch eine robuste Langzeiteinschlussvon Luft unter Benetzungsflüssigkeiten auszeichnet.

Tags

Engineering Ausgabe 156 Benetzung Omniphobizität wiedereintretende Hohlräume/Säulen gaseinschlüssede Mikrotexturen (GEMs) Photolithographie isotrope Ätzung anisotrope Ätzung thermisches Oxidwachstum reaktive-Ionen-Ätzung Kontaktwinkel Eintauchen konfokale Mikroskopie
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