在光刻技术定义的聚对二甲苯-C细胞图案:二氧化硅 ₂基板

本协议描述了一个微加工兼容的方法在SiO ₂细胞图案。预定义聚对二甲苯-C设计光刻印刷在SiO ₂晶片。温育后用血清（或其它活化溶液）细胞粘附具体地（和根据的符合性生长）相关的聚对二甲苯-C，而被排斥由SiO ₂区。

此过程的总体目标是根据 paraline 的预定义底层设计在二氧化硅服务上对电池进行图案化。这是通过首先创建所需图案的照片蒙版来完成的。第二步是氧化，然后在硅晶片上涂上苯丙氨酸。

接下来，在微电子洁净室设施中进行的光刻工艺用于选择性蚀刻对 Paraline 涂层，以揭示所需的设计。最后一步是先使用食人鱼酸激活芯片，然后在胎牛血清中孵育 3 至 12 小时，然后施用细胞悬液进行培养。最终，可以通过使用解剖显微镜进行活细胞成像或在固定后使用共聚焦荧光显微镜来评估细胞模式。

与几种现有的细胞图案平台相比，该技术的主要优势在于无需将生物制剂带入洁净室。此外，图案芯片可以无限期保存，直到它们被第一个 par acid 激活，然后被 serum 激活。要设计所需的 paraline C 配置，请使用能够读取、写入 CIF 或 GDS 两个文件的布局编辑器软件包。

将照片掩模制造商外包给适当的微电子设施或内部制造。如果存在设施，则在 950 摄氏度的常压卧炉中氧化硅片 40 分钟，以产生 200 纳米的二氧化硅层。之后，用一个小点确认厚度。

光谱反射仪。将晶圆放入真空沉积系统中，在腔室盖内侧涂抹正弦粘附促进剂。在抽空循环中，正弦粘附促进剂使用真空沉积系统，在环境温度下以每毫克二聚体 1.3 纳米的速率将氧化的晶圆负载对准线涂布到炉床对准线 C 中。

然后将 HMDS 附着力促进剂沉积在旁线涂层晶圆上。使用合适的光刻胶涂层系统，以 4， 000 RPM 的速度旋转晶圆 30 秒，同时涂上正性光刻胶，以使用光刻胶涂层系统获得 1 微米的厚度，然后在 60 摄氏度下软烘烤晶圆 90 秒。现在将晶圆和预制的照片掩模都插入掩模对准器中。

用紫外光照射涂有光刻胶的晶圆，以便将所需的图案转移到光刻胶中。然后，将曝光的晶圆在 60 摄氏度下烘烤 110 秒。然后，通过在 Hoff 的适当显影解决方案中显影，从晶圆上去除所有暴露的光刻胶，Hoff the unprotected paraline，使用氧等离子体蚀刻系统来揭示下面的二氧化硅。

然后将切块后存放在无尘盒中，直到需要为止。在此过程中，通过清洗丙酮 10 秒钟来去除芯片上残留的光刻胶。然后用去离子蒸馏 H 2 O 冲洗 3 次，然后在酸通风橱中制作新鲜的食人鱼酸，将木片浸入松酸中 10 分钟清洗并蚀刻。

然后在去离子 H 2 O 中冲洗芯片 3 次，并转移到层流组织培养罩中的无菌培养皿中。通过将每孔两个芯片放入 6 孔板中来激活用于细胞图案化的芯片。接下来，加入 2 毫升胎牛血清，以完全浸入所有芯片。

将芯片在血清中于 37 摄氏度下孵育 3 至 12 小时。现在从他们的激活溶液中取出芯片。在 Hank 的平衡盐溶液中洗涤一次 10 秒钟。

然后将芯片放入培养孔中，将所选细胞类型作为悬浮液接种在其通常的生长培养基中。最佳电池电镀密度取决于电池类型和芯片上对位线 C 的几何图案。密度为 5 乘以 10 至每毫升 4 个细胞是一个合理的起点。

成像是根据细胞模式化的潜在动机量身定制的，但可以使用解剖显微镜和带有合适中继镜头的数码相机轻松评估活细胞行为。这是三天后在对羟基 C 二氧化硅上培养的 HEC 2 93 细胞的活细胞成像。在体外，将船在胎牛血清中孵育 3 小时，并将细胞以 5 倍 10 至第 4 个细胞/毫升的浓度接种在悬浮液中。

Paraline C 促进细胞粘附，而裸露的二氧化硅排斥细胞。该图显示了原代人神经胶质瘤来源的干细胞样细胞在二氧化硅上各种模式的寄生素 C 上生长的免疫荧光图像。这里的示意图说明了网状寄生伞设计、固定细胞的荧光显微照片（神经胶质纤维酸性蛋白染色）以及同一芯片上活细胞的光学显微照片。

这是一张荧光图像，说明了不同 paraline 设计上的 GFAP 染色细胞以及辐条 paraline 设计中节点的反射率图像。该图显示了在对位联 C 二氧化硅上培养的 3 个 T、3 L、1 个细胞的活细胞成像。体外 4 天后，芯片在胎牛血清中活化 3 小时，并以每毫升第四细胞的 5 倍 10 倍的浓度将细胞接种在悬浮液中。

在这种情况下，该平台不支持细胞在 Lene C 和二氧化硅区域均匀汇合的模式化。在执行此方案时，重要的是要记住血清激活必须在食人鱼治疗后立即发生。否则会导致图案化过程被破坏。

不要忘记，使用食人鱼酸可能非常危险。在化学通风橱中准备和使用食人鱼酸，并确保佩戴合适的护目镜、实验服和手套。