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Modèles atomique définies pour croissance épitaxiale d'oxyde complexe couches minces
 
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Modèles atomique définies pour croissance épitaxiale d'oxyde complexe couches minces

Article DOI: 10.3791/52209-v 08:49 min December 4th, 2014
December 4th, 2014

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Différentes procédures sont décrites pour préparer modèles atomique définis pour la croissance épitaxiale de couches minces d'oxyde complexe. Les traitements chimiques de simple SrTiO cristalline 3 (001) et DYSCO 3 (110) substrats ont été effectuées pour obtenir des surfaces atomiquement lisses, simples terminés. Ca 2 Nb 3 O 10 - nanofeuillets ont été utilisés pour créer des modèles atomique définies sur des substrats arbitraires.

Tags

Chimie Numéro 94 substrats des oxydes des pérovskites épitaxie films minces terminaison simple traitement de surface nanofeuillets Langmuir-Blodgett
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