Summary
扫描探针单电子电容谱有利于在本地化的地下区域的单电子运动的研究。一个敏感的低温扫描探针显微镜研究半导体样品的表面下方的小系统的掺杂原子电荷检测电路纳入。
Abstract
低温扫描探针技术和单电子电容光谱的整合是一个功能强大的工具，学习电子小系统 - 包括个别原子掺杂半导体量子结构。在这里，我们提出了一种基于电容的方法，被称为地下电荷积聚（SCA）的成像，这是能够解决单电子充电，同时实现足够的空间分辨率图像的各个原子掺杂。使用电容技术使观察的地下特征，如掺杂剂的掩埋许多纳米的半导体材料1,2,3的表面之下。原则上，这种技术可以被应用到任何系统，以解决在绝缘表面以下的电子的运动。
在其他电场敏感的扫描探针技术4，横向的空间分辨率的测量部分依赖于半径curvaturE探头尖端。使用具有较小的曲率半径的提示，可以使空间分辨率为几十纳米。这种精细空间分辨允许小的数字（一）调查地下掺杂1,2。决议的充电的充电检测电路的灵敏度在很大程度上依赖于使用在这样的电路在超低温下的高电子迁移率晶体管（HEMT），实现了灵敏度的约0.01电子/赫兹½在0.3 K 5。
Introduction
地下电荷积聚（SCA）的成像是一种低温的方法，能够解决单电子充电事件。当应用到半导体中的掺杂原子的研究，该方法可以检测单个电子进入施主或受主原子，允许这些分钟系统的量子结构表征。在它的心脏中，SCA成像是当地的电容测量6非常适合低温操作。因为电容电场的基础上，它是一种远距离的效果，可以解决充电下方的绝缘表面6。低温操作允许将无法解决的常温1,2单电子运动和量子水平间距调查。这项技术可以被应用到任何系统，在该系统中，在绝缘表面以下的电子的运动是很重要的，包括充电动态埋接口7中的二维电子系统;为简洁起见，这里的重点将是半导体掺杂剂的研究。
上面的最示意图的水平，这种技术将扫描的小费作为一个平行板电容器的一个极板，虽然现实的分析的尖端的曲率8,9考虑到需要更详细的描述。在这个模型中的另一块板是纳米级的区域的底层的导电层，在图1中所示。从本质上讲，作为电荷输入响应一个周期性的激励电压的掺杂剂，它越接近到顶端，这个运动诱导的尖端上的电荷，这是与传感器电路5检测到的更多的图像。同样，作为电荷离开掺杂剂，降低尖上的图像电荷。因此充电周期响应激励电压信号是所检测到的信号 - 它本质上是电容，因此该测定是通常被称为作为确定的CV特性的系统。
帐篷“>在电容测量期间，净隧道底层导电层和掺杂剂层 - 电荷不会隧道直接到尖端之间。直接穿隧在测量过程中，或从前端的缺乏是一个重要的区别技术和更熟悉的扫描隧道显微镜的，尽管这样，但此系统的硬件本质上是相同的扫描隧道显微镜，同样重要的是要注意的，，SCA成像是不直接敏感的静电的静电荷。调查分布，扫描开尔文探针显微镜或静电力显微镜的适当的附加的低温方法，用于检查本地电子行为存在，也有良好的电子和空间分辨率，例如，扫描单电子晶体管显微镜的是另一种扫描探针的方法，能够检测分钟，充电SCA成像效果4,10原是由Glicofridis Tessmer，Ashoori和同工7在麻省理工学院开发，而且，这里描述的方法可以被认为是开发的Ashoori和同事11单电子电容光谱法扫描型探针版本。的一个关键要素的测量是一个十分敏感的电荷检测电路5,12使用高电子迁移率晶体管（HEMT），它可以实现0.01电子/ Hz的低噪声水平½在0.3 K低温恒温器的温度，基地在参考文献5中。这样的高灵敏度允许在地下系统中观察单电子充电。此方法适合于个人或小群体的掺杂剂在半导体的电子或空穴的动力学研究中，与典型的掺杂剂的面密度10 15在一个平面上的几何形状2米-2的顺序。 图1所示的一个例子，一个典型的这种类型的实验的示例配置Subscription Required. Please recommend JoVE to your librarian.
Protocol
1。议定书
- 显微镜和电子设备的初始设置的
- 开始与相关的电子控制能够低温扫描探针显微镜。这里所描述的用于本研究的显微镜使用惯性翻译“走”的样品沿斜面13（如铜，黄铜，钢或不锈钢制成的导电材料，使它们能够发射偏置电压的从尖端朝向和远离样品）的Besocke设计，在图2中示意性地示出的STM-14的一部分。
- 除了偏置电压和隧道电流的同轴电线，提供至少两个其它的同轴导线和一根接地线从电子机架延伸，以便操作低温敏感的充电检测放大电路，在显微镜的尖端附近区域的。组装的放大电路，参考文献5，12，和15中详细描述的元素，都装上电子lectronics机架，这是在图2中的阴影的框外部分电路。此电路的一部分，将整个实验过程中保持在室温下。
- 组装的前端安装芯片和HEMT的电路（在图2中的阴影框）的HEMT电路将被降低到低温温度，以获得最佳的能量分辨率。
- 顺劈斩的正方形芯片大小约1厘米×1厘米的砷化镓晶圆用隶，这种芯片将被安装在传感器电路和小费。存款约100 nm的金顶上钛粘结层通过荫罩上的GaAs芯片，以形成一些金焊盘，每个大小约1毫米×1毫米，将被键合的HEMT和偏置电阻的导线。垫的尺寸不是关键的。
- 准备一个锋利的STM针尖由机械切割80:20铂铱丝采用对角线切割机。的前端，也可以通过化学蚀刻ö制备r另一个和方法或可商业购买。确定通过扫描电子显微镜的尖端的曲率半径的曲率半径应是对实验所需的空间分辨率的顺序。
- 环氧树脂金线到每个使用导电环氧树脂能够承受低温温度的金焊区上，这些导线将连接的电路元件安装在显微镜上的同轴电线芯片。由于金线，可以很容易地除去后的下一个步骤，如果他们是不需要的，环氧几个冗余金线到焊盘上。环氧树脂的HEMT，偏置电阻，和STM针尖上安装芯片的GaAs。固化的环氧树脂，其产品信息表上标明。 （请参阅下表以下物料的细节。）
- 使用焊线机装有金线，债券的HEMT GaAs芯片上的金焊盘分开的源极，漏极和栅极的元素。债券临时电线连接栅极和源Øŗ漏焊盘，以确保栅极变得不收费相对于源极 - 漏极通道。使用接地腕带增加了安全性，而操纵的HEMT，重要的是要采取预防措施，以避免引入杂散静电破坏的HEMT。
- 存储准备好的安装芯片的栅极和电连接到彼此，以避免短路的HEMT中的HEMT的源极 - 漏极通道连接到导线。如果在先前步骤中提到的暂时电线已被移除，轻轻扭转导线一起。这是最简单的，所有的电线连接到彼此。
- 将芯片安装到显微镜。
- 确保的栅极和源极 - 漏极通道是从来没有浮动，这是为了防止破坏性通道中的HEMT的栅极和源极 - 漏极之间的短路。在显微镜上，从芯片的导线焊接的同轴电线接地。
- 加盖安装芯片吨之上他扫描的压电管， 如图2所示。
- 焊接金线从安装芯片延伸到相关的同轴电线使用铟焊料。
- 检查使用上面的电子机架的同轴导线连接到一条曲线示踪中的HEMT的完整性。从本质上讲，曲线示踪显示了源极 - 漏极电流 - 电压特性。最常见的故障模式之间的短路的HEMT的栅极和源极 - 漏极通道，这会导致在源极 - 漏极的栅极电压不敏感的特性。
- 装载样品。走进范围与显微镜配置在STM模式下，以确保该样本将会成功地接近的尖端。
- 接线T到STM隧道电流的测量所用的前置放大器，和DC偏置电压V DC连接到线式B（所有连接都在电子机架。）
- 走在，直到样品和小费在隧道范围内。当在RANGE，扫描压电管应保持其平衡位置，使扫描压电管接地，将导致尖端收回其在范围扩展略有延长。这验证，样品可以成功接近小费。走出这样做之后，在接下来的行动，以保护小费。
- 转移从实验室台式显微镜的杜瓦瓶最终的低温操作。在这一点上，测试阶段完成后，就可以开始实验阶段。
- 泵出的显微镜到真空几个microtorr的。显微镜冷却至4.2 K或低于最佳能量分辨率，在手册中列出的过程为低温恒温器。
- 到其基极温度冷却后，在显微镜，使显微镜的足够的时间来达到热平衡，因为重复，冗长扫描同一地区，将被执行，它是重要的，以减少热漂移。 （漂移的前端相对于样品中的平衡位置的移位）。
- 挂起的杜瓦瓶，以尽可能多地从振动由于建设机械耦合到真空泵和其他装置连接到显微镜和杜瓦隔离显微镜。这可以通过使用蹦极编码悬架系统，在参考文献15中，或通过使用空气弹簧或类似的方法。
- 冷却后，在显微镜和数据收集，然后再尝试，验证的HEMT再次使用曲线示踪剂的完整性。
- 在隧道模式（STM）的扫描样本。
- 走进范围。定位样品的表面，该表面是无碎片和从大的高度或导电性的变化的区域，并确保前端稳定。
- 纠正任何倾斜的样品，这是特别重要的，因为电容扫描，将执行与反馈回路被禁用，从而可能撞上火星的尖端，如果scann的平面不平行于样品表面。原则上，可以使用具有反馈的电容信号，以保持恒定的电容，同时扫描的前端;然而，在实践中，信号是没有充分坚固，以防止系统崩溃，如果使用了反馈。
- 观察热漂移，因此，它可以重新定位尖端偏移补偿。注意量的尖端的延伸，而在隧道模式的范围内，在这个协议为触摸点。
- 移动到的样本，这是没有在STM模式下扫描，未扰动的区域。
- 禁用STM控制器的反馈环路。回想一下，反馈回路被禁用时，手动运动的尖端可能会无意中导致崩溃。因此，应十分注意采取，而移动的尖端。
- 缩回的尖端从触摸点几十纳米。
- 样品WHI偏移的横向位置的尖端附近地区通道最近没有被扫描，以避免任何扰动（如充电的半导体掺杂剂的位点）可能已经引起启用的半导体样品的STM扫描隧穿所需的偏置电压。
- 谨慎地延伸的前端朝向表面，直到从平衡延伸的前端位移靠近触摸点的幅度。
- 开关接线配置电容模式。
- 同轴电线接地保护的HEMT。
- 同轴电线连接到有关的电压源和电阻和锁定放大器的函数发生器， 如图2所示。
- 打开所有电压源。要避免令人震惊的HEMT，开始源输出电压为0 V。
- 非磨同轴电线，记住要彼此连接的尽可能长的时间，以保护的HEMT中的HEMT的栅极和源极 - 漏极通道。
- 设置Voltage源上的电压分压器电阻（电线D）。
- 调整调整V 调的同时，通过监测导线L两端的电压，用万用表的HEMT，其最敏感的区域。锁相放大器之后重新连接线L。
- 增加V TUNE，直到信号同相锁在的放大器增加，开始高原，记录这个值，这是应用到尖端的电压V TUNE。这使所有负责测量，而不是去HEMT通过丝L.泄漏
- 优化的内相锁定放大器使用其的autophase能力和记录的相位值。
- 等待的HEMT稳定，以确保不存在显着的热效应（这往往需要长达两小时）。
- 标准电容器上的信号通过调整平衡的HEMT，以确保只有感兴趣的信号锁相放大器。上的信号调整标准电容可以做到的V 平衡的振幅或V之间的平衡和V 激励的相对相位。被认为是平衡的HEMT信号同相时，锁相放大器的最小化，在此步骤中的程序。
- 执行扫描电荷积聚成像。
- 设置在样品上的DC偏置电压V DC。
- 扩展小费在1纳米的表面，使用触摸点作为参考。
- 记录的输出锁定放大器使用的数据采集软件，这是感兴趣的信号。
- 扫描样品。为了获得良好的分辨率，扫描可能需要获取每次扫描的几个小时的速率，以便有足够的信号对每一个像素的平均值，并防止拖尾现象的图像的相邻像素之间的信号。在同一区域进行多次扫描，平均这些扫描，共同提高的信号噪声比。
- 执行电容光谱法（CV）的前端固定上述的地下电荷累积在上一步骤中获得的图像中感兴趣的特征。
- 匝道V DC，并记录输出的锁定放大器使用的数据采集软件。
- 采取一些电容与电压（CV）曲线在相同的位置，并平均这些曲线一起，以改善信号对噪声比。通常情况下，几个曲线进行平均。虽然平均曲线，提高了信号的信噪比，在扫描过程中漂移，因为潜在的，只有极少数的连续扫描应平均在一起。
- 返回隧道模式（STM）。
- 缩回均衡扩展和重新配置STM电子的尖端。重新启用的反馈环路，并记录本的范围扩展的前端（接触点）。
- 扫描隧道模式的区域寻找功能，在顶部体层摄影术可能产生的工件在电容成像和电容光谱。
- 分析和解释数据，按照参考9和参考文献1中的支持信息。
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Representative Results
一个成功的测量的主要指标是可重复的，就像在其他扫描探针方法。重复测量是非常重要的，因为这个原因。对于点电容光谱，在同一位置，可以采取许多连续测量的增加的信号 - 噪声比，和拣选的杂散信号。
一旦关注的功能已经确定内的电荷积累图像和电容光谱已被执行，确定电压的杠杆臂的CV数据开始解释。的电压的杠杆臂的比例因子有关的位置处的掺杂剂，所施加的V DC的实际潜力。它本质上占的前端从掺杂层的掺杂剂从该位置正下方的尖端的任何横向偏移的非零的距离。电压杠杆臂洛伦兹函数拟合的CV光谱数据1,8 </ SUP>。如果随意的绝对电压规模，接触电势（电压，当从样品中没有电场线的尖端处终止）的确定应通过开尔文探针测量1,2,3,7。
图3（a）显示了一个例子，与上面所指示的点获得的CV光谱电荷累积图像。该样品是硅，掺杂有硼受体中的Δ-15nm的掺杂层下面的表面的面密度为1.7×10 15米-2。明亮的色彩表明增加充电。标志着个别地下硼原子的位置被解释为亮点。蓝点指示一个特别的亮点所在点CV谱1， 图3（b）所示。解释为电荷进入的掺杂剂的正下方的前端的最大峰。附近的峰是由于附近的掺杂剂。他们的中心转移和振幅的相对于主峰的折痕，因为这些掺杂剂从尖端的距离增加的参数来改变他们的杠杆臂。峰变宽沿电压轴的基本上是四个效果：（1）该杆臂，（2）热展宽，（3）激励电压的振幅，及（4）的锁定放大器输出过滤器。这些影响占模型中，表现出良好的协议之间的重叠模型曲线1和数据。
图4（a）示出了一系列的充电峰，类似于图3（b）条 。在这种情况下，该样品是砷化镓，硅供体的面密度为1.25×10 16米-2中的δ-掺杂层60纳米以下的表面掺杂。由于高掺杂密度，在本实验中的分光特性反映一组多电子。峰被确定拟合;演绎的峰值为应占一唱电子文件来自与预期形式的单电子峰的形状和幅度的一致性。少数单电子的峰，在 该实验2中，其中一个是用红色箭头指示解决， 图4（b）和图4（c）专注于该峰，这表明它具有所期望的形状为单电子效应。适合在图4（c）是半椭圆形16卷积占上述的峰展宽效应的功能。该拟合有两个自由参数：峰值和杆臂的中心。三个CV曲线在图4（b）是连续的光谱测量对相同的功能。在图4中的数据的量的分散（b）是典型的;平均几条曲线，如在图4中（a）中的查询结果更容易识别的峰结构，这就是为什么上做多个CV曲线相同的功能是非常重要的改进的信号与噪声的比率。
图1。一个典型样本。一个典型的样本扫描探针的单电子电容实验原理示意图 。该示例是一个在已知的深度，从表面到该偏置电流和激励电压被应用与底层的导电层的半导体。一个二维层的掺杂剂是嵌入的，在已知的距表面深度。电子隧道之间的导电层和掺杂剂层中，改变电容的系统和诱导的图像电荷，这是衡量由电荷灵敏的装置的前端。足够高的偏置电压将使电子隧道之间掺杂层和表面状态，电子表面STM nabling检测。
图2。显微镜和充电感应装置示意图。放大器的电路图，参考文献5和描述的基础上参考12。安装芯片中所示的示意性的Besocke设计14与坡道13和样品（不按比例）的扫描探针显微镜。电线B提供样品的偏置电压，包括交流励磁电压用于煽动隧道和地下掺杂的。 C导线连接到标准的电容和可调谐的交流电压源中的HEMT，它允许平衡。导线L连接到锁定放大器的电容信号被记录，引线D通过一个电阻连接到一个电压源来创建影音oltage分压器，分压器的输出是信号发送到锁定放大器。在电容测量期间，将T被连接到一个可调节的电压源，通过一个大的电阻，以防止AC充电的前端沿着这条通路的泄漏。在隧道模式（STM），电线T变为隧穿电流线（与电压源断开连接时），B线式连接到一DC电压源，和所有其他导线接地。一个典型的选择引线D上的电压的分压电阻100kΩ的引线D上的电压为+1.25 V的选择标准电容应抵消的背景的针尖 - 样品的互电容，这是约20 fF的。在丝T的偏置电阻，应该是在20MΩ附近。这些选择的目的来调整其最敏感的制度的HEMT的源极 - 漏极通道的阻力。
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图3。 SCA图像和CV光谱 （一）扫描电荷累积图像的硅样品有一层掺杂的硼受主面密度1.7×10 15米-2位于15纳米以下的用面1，V DC = 接受器掺杂Si。 75毫伏，V 激励 = 3.7毫伏;温度为4.2 K（二）CV光谱收购点处（一），以蓝色点表示。要专注于峰结构，背景线减去。偏移电压规模已经移位，使得零的中心最大峰值，因为没有开尔文探针测量期间做这个实验，以确定绝对电压规模，这是方便的事。
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图4。 CV光谱CV光谱分析施主掺杂砷化镓（一）在GaAs收购，掺杂有一层硅捐助方的面密度1.25×10 16 60纳米位于地表以下2米-2 V 激励 = 15 mV的;温度为0.3 K.红色箭头标志着一个峰值，这是进一步调查。（二）更详细的个人简历（三）光谱测量指示峰（一）与上峰为中心的电压V 激励 = 3.8毫伏。 （b）中所示的多条曲线的平均后的数据。的配合，在绿色显示的，占四个效果，拓宽峰：所述杠杆臂，热增宽，激励电压的振幅和输出滤波器的锁定放大器。 （b）及（三） （a）中的电容值通过转换C =ΔQ 小费 / V 激励并没有作出。
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Discussion
这个实验方法的理论基础的详细说明中给出的参考文献8和9，与参考文献2中的场景地下掺杂讨论，因此将简要概述和概念。的前端被当作一个电容器的一个极板，相关样本包括另一块板的导电层。如果施加直流电压，使得电子被拉向前端，并且，如果有掺杂剂的原子之间的底层的导电层，且前端，可容纳额外付费，然后将输入的电子掺杂剂，从而得到更接近小费。从静电，电子的运动引起的图像电荷符号相反的尖端。成直流电压相加的正弦激励电压（V 激发 ），将导致在基材层和掺杂剂的电子之间产生共鸣。反过来，图像充电瓦特病也产生共鸣，通过利用的HEMT敏感的充电检测电路和被检测到，用锁定放大器进一步放大的交流信号。该充电信号可以被转换成一个电容。
最常见的故障模式，在此实验中涉及的HEMT，使敏感的充电检测电路的损坏。由于HEMT栅是如此之小，即使是小型的静电电荷积累可以导致失败的HEMT中，通常会在源极 - 漏极通道和栅极之间的短路的形式。如果一HEMT短路，单电子的电容测量无法继续，而无需更换。由于在制备实验中，特别是在显微镜下冷却到它的基温度一般是使用了可观的时间量，用于这些实验中的HEMT器件应确保从未浮动的栅极和源极 - 漏极通道的保护，可以通过连接这些导致对方（磨片n工作与小芯片上的金线）或接地（同轴电线连接工作时）。穿着接地的腕带，同时处理的安装芯片或显微镜硬件可以采取额外的预防措施，特别是在干燥的天气，即使是轻微的静电电荷从实验者的人可以毁掉一个HEMT无论是通过彻底的短路，或导致它捕获收费在这样一种方式，它从未相当稳定。如果有疑问的HEMT的健康，应该使用曲线示踪剂寻找源漏特性与栅极施加电压（通常被称为“粉丝”）的预期变化。
的金焊区上的安装芯片的尺寸是非常重要的，只要它们是足够大，以允许成功的引线键合，但远小于一毫米为单位，以避免多余的电容耦合电路。附加的HEMT或小费之前，它可能是有用的，做一个测试债券elsew的此处安装芯片上进行测试，以及粘接在该芯片上，可以预期。包含了一些额外的金焊盘上安装芯片，也可以是有用的，该芯片的一部分的情况下，是在芯片上比其他区域更适合于粘接。如果接合过程中出现拉金色板的垫，在GaAs芯片可能没有足够清洁的金属层之前，在平放或黄金可能已经恶化，随着年龄的增长。降低超声功率焊线机上使用，在这种情况下，可能会有所帮助。
In焊锡镀金导线是用来连接到同轴电线由于其良好的性能在低温温度。同样地，使用GaAs作为安装芯片的材料，以避免造成热收缩引起的应变，这本身是在GaAs基板上制作的HEMT。由于GaAs的压电材料，在基片上的机械应变，可能导致短，由此产生失效的HEMT。
在参考文献1和2中的实验中所用的半导体，在样品表面，可以通过使用该系统作为一个STM成像。也就是说，电子确实可以直接隧穿到尖端时，该装置被配置在STM模式。这是非常有用的，因为它提供了一种方法带来的尖端接近样本没有崩溃入面尖。为几到几伏的偏置电压，需要建立一个稳定的隧道电流。具有足够高的偏置电压，电荷将被拉到跨越绝缘区域的样品从底层的导电层，在表面形成一个导电水坑收费;此小坑将按照扫描小费的小费。因此，表面可以就像在标准的STM成像。隧道模式可能会造成后续测量电子的损害。例如，可能存在的样品要受大的偏置电压为IMAGE在隧道模式下，半导体样品近表面缺陷可能引起的瞬态充电。为了解决这个问题，人们可以除去大的电压和偏移的前端相差几百纳米的区域（通常不使用反馈），在协议中所述。或者，可以检测到损坏样品的存在下进行CV光谱或通过执行一开尔文探针测量2。
实验的几何形状表示的某些特性的目的应当是在开发的样例。本地化掺杂层沿隧道方向很重要，因为过于厚的掺杂层将增加歧义杠杆臂的决心。换言之，掺杂层的厚度应该是尽可能接近到一个单一的原子平面。这样的安排被称为“掺杂”。例如，在参考文献1中的实验，掺杂层是约2 nanometers厚。
成功的电荷累积成像扫描做定位容性功能还可以花费相当长的时间，有时在几个小时的顺序。关于扫描速度，每个像素的图像，应采取与V 激励的几个期间的时间量，和过滤器的输出的锁定放大器应设置为大致相同的值作为每个像素的时间。在显微镜是没有超过几分钟STM扫描的过程中明显漂移，可以向的大致更长持续时间的电荷积累图像的拖尾现象。
隧道和电容实验使用相同的尖端，将有一个不同的有效形状由于各测量机制的距离依赖性的。由于隧道是成倍的距离，取决于一个良好的近似，只有一个尖原子会收到目前的大多数。因此次e形的前端在纳米尺度上主要是无关紧要的，只要是机械稳定的顶点。 SCA中的影像，与此相反，尖上检测到的电荷是由于电容，粗略地讲，它是成反比的距离和更高的前端部，确实可以得到一个显着的部分的信号。这意味着纳米级的尖端的曲率半径是相关的电容测量技术。为了最大限度地提高信号的振幅不降低空间分辨率的情况下，尖端的曲率半径应约等于表面8,9的下方的掺杂层的深度。
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Disclosures
作者宣称，他们有没有竞争经济利益。
Acknowledgments
这里讨论的研究由密歇根州立大学量子科学研究所和美国国家科学基金会DMR-0305461，DMR-0906939，和DMR-0605801。 KW承认生物电子学的跨学科教育GAANN培训计划奖学金从美国能源部的支持。
Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| Equipment | |||
| Besocke-design STM | Custom | References 14 and 15 | |
| Control electronics for STM | RHK Technology | SPM 1000 Revision 7 | |
| Lock-in amplifier | Stanford Research Systems | SR830 | |
| Curve tracer | Tektronix | Type 576 | |
| Oscilloscope | Tektronix | TDS360 | |
| Multimeter | Tektronix | DMM912 | |
| Wire bonder | WEST·BOND | 7476D | with K~1200D temperature controller |
| Soldering iron | MPJA | 301-A | |
| Cryostat | Oxford Instruments | Heliox | |
| Material | |||
| Pt/Ir wire, 80:20 | nanoScience Instruments | 201100 | |
| GaAs wafer | axt | S-I | For the mounting chip |
| 99.99% Au wire, 2 mil diameter | SPM | For the mounting chip | |
| 99.99% Au wire, 1 mil diameter | K&S | For wire bonding | |
| Indium shot | Alfa Aesar | 11026 | |
| Silver epoxy | Epo-Tek | EJ2189-LV | Any low-temperature-compatible conductive epoxy is acceptable |
| HEMT | Fujitsu | Low Noise HEMT | |
References
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