Abstract
层半导体用容易加工的二维（2D）结构表现出间接到直接带隙跃迁和优越的晶体管性能，这表明用于下一代超薄和灵活的光子和电子设备的发展的新方向。增强发光量子效率得到了广泛的观察，这些原子薄的二维晶体。然而，除了量子限制厚度或甚至微米尺度尺寸效应预计不会与很少被观察到。在这项研究中，钼二硒化物（摩西2）层晶体纳米被制造为两个或四个终端设备的厚度范围的6-2,700。欧姆接触的形成，成功通过使用铂（Pt）作为接触金属的聚焦离子束（FIB）沉积方法来实现的。层的晶体具有各种厚度通过简单的机械剥离通过使用切割带制备。电流 - 电压曲线measuremenTS进行，以确定层纳米晶体的电导率值。此外，高分辨率透射电子显微镜，选择区域电子衍射仪和能量色散X射线光谱进行了表征的金属-半导体的FIB-制造MOSE 2设备的接触界面。施加的方法之后，在很宽的厚度范围为摩西2 -layer半导体实质厚度依赖性的导电性进行了观察。电导率增加从4.6以上两个数量级到1500Ω - 1厘米- 1，从2700至6nm的降低的厚度。另外，温度依赖性的导电性表明，薄摩西2多层膜表现出与3.5-8.5兆电子伏的活化能，其中比大部分（36-38兆电子伏）小得多相当弱半导体行为。普罗巴竹叶提取表面主导的运输性质和在摩西2的高表面电子浓度的存在下提出。类似的结果可以为其他层的半导体材料，例如二硫化钼和WS 2来获得。
Introduction
过渡金属二硫属化物（TMDS），诸如二硫化钼，摩西2，WS 2，和WSE 2，有一个有趣的二维（2D）层结构和半导体性能1-3。科学家最近发现， 二硫化钼的单层结构示出了由于量子限制效应基本上提高发光效率。的新的直接带隙半导体材料的发现已引起大量关注4-7。此外，TMDS的易剥离层结构是研究二维的材料的基本性质的一个很好的平台。不像无带隙的金属石墨烯，TMDS具有固有半导体的特性，并具有在1-2电子伏特1,3,8的范围内的带隙。 TMDS 9的三元化合物和这些化合物与石墨烯的一体化的可能性的2D结构提供了前所未有的奥普ortunity开发超薄和柔性电子器件。
不像石墨烯，2D TMDS的室温的电子迁移率的值是在中等水平（1-200厘米2 V - 1秒- 1 二硫化钼十月十七号 ;大约50厘米2 V - 1秒- 1 MOSE 2 18 ）。石墨烯的最优迁移率值已被报道为高于10,000个厘米2 V - 1秒 - 1 19-21日然而，半导体的TMD单层表现出优良的器件性能。例如， 二硫化钼和摩西2单层或多层场效应晶体管显示出极高的开/关比，高达10 6 -10 9 10,12,17,18,22。因此，关键的是要了解的2D TMDS和的基本电性能的IR散装物料。
然而，该层材料的电性能的研究已部分地是由于在形成在层的结晶良好的欧姆接触的困难的阻碍。三种方法，阴影掩模沉积（SMD）23，电子束光刻（EBL）24,25，和聚焦离子束（FIB）沉积，26,27已被用于形成纳米材料电触头。因为贴片通常涉及使用一个铜栅作为掩模，两个接触电极之间的间隔是大多大于10μm。不同于EBL和FIB的沉积，而没有目标或选择在SMD方法的兴趣进行纳米材料在基片上的电极阵列的金属沉积。这种方法不能保证金属图案被正确地沉积在纳米材料个体作为电极。在SMD方法的结果具有偶然性的因素。所述EBL和FIB淀积方法在所使用的扫描电子显微镜（SEM）的系统;纳米材料可以直接观察和选择用于电极沉积。此外，EBL可以用来容易地制造金属电极与线宽度和接触电极间隔小于100nm。然而，残留的抗蚀剂上期间光刻不可避免地导致在金属电极和纳米材料之间的绝缘层的形成左纳米材料表面上。因此，EBL导致高接触电阻。
通过FIB淀积电极制造的主要优点是，它会导致低的接触电阻。因为金属沉积是由有机金属前体的分解通过使用离子束在所规定区域进行的，金属的沉积和离子轰击同时发生。这可能会破坏金属 - 半导体界面和防止的肖特基接触的形成。离子轰击也可以消除表面杂质如烃的丝宝和原生氧化物，从而降低接触电阻。通过FIB沉积欧姆接触的制造已经证明了不同的纳米材料27-29。此外，在FIB淀积方法的整个制造过程比在EBL简单。
作为半导体层通常显示高度各向异性导电，在层与层方向的电导率是几个数量级小于在面内方向30,31更低。这个特性增加制造欧姆接触，并确定导电率的难度。因此，在此研究中，FIB沉积用于研究层半导体纳米结构的电性能。
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Protocol
莫塞的2层晶体（见第1步中的图1）1.结构表征
- X射线衍射测量程序
- 装入摩西2层晶体（具有5×5×0.1-10×10×0.5毫米3大小范围）或晶体粉末在支架上（该混合有石英粉末和粘合剂，并涂抹在载玻片）。
- 按保持器由一个载玻片以确保层晶面平行于托面。
- 样品架装载到衍射仪。
- 关闭衍射仪的门。
- 因此校准光束线制造商的说明。
- 输入测量参数，如2扫描范围（10-80°），增量（0.004°），和停留时间（0.1秒）。
- 启动DIFFRAC.Measurement Center程序附加到衍射仪在计算机上，然后根据制造商的原保存数据和名称数据文件山坳。
- 通过识别的衍射峰的位置使用的软件分析的X射线衍射图案，然后与来自JCPDS卡片数据库中的标准数据进行比较，以确认摩西2层的晶体32,33的单外的面取向和单晶质量。
- 显微拉曼测量程序
- 执行使用硅晶片作为标准样品的拉曼设备校准。硅晶片的测量是相同的，如下所述的感兴趣的摩西2层的晶体的步骤。
- 安装在载玻片上一个摩西2层结晶。
- 加载光学显微镜的保持器在载玻片上，并用白色光源聚焦在样品表面。
- 切换从白色光的光源的激光束（波长在514纳米）。
- 输入测量参数，例如波数扫描范围（150-500厘米-1）时，INTEGR通货膨胀时间（10秒），和扫描的次数（10-30倍）。
- 启动程序在计算机上安装于拉曼光谱仪，然后保存数据，并根据制造商的协议名称的数据文件。
- 通过识别其峰宽，并使用该软件的位置分析拉曼光谱，然后用标准的数据从引用比较以确认摩西2层的晶体34,35的晶体结构类型和质量。
2.制作莫塞2层纳米器件
- 层晶体的机械剥离
- 清洁镊子用丙酮和醇。
- 挑摩西2层的晶体（4至8个）具有光泽表面（即镜状晶面）和区域大小大于0.5×0.5毫米2的镊子，并把它们在切割带具有的面积大小20×60毫米2。
- 折叠带一半去角质层晶体和重复动作约二十次。一般层晶体可以在宽度（参见图 1中的步骤2）被剥离成许多微米大小的晶体。
- 加载切割胶带与该层纳米晶体粉末进入SEM室，观察这些剥离摩西2层微晶的大小和形态。如果该层的纳米晶体的宽度分布是在为1〜20μm，纳米晶体粉末能符合条件的器件制造。
- 该层纳米晶对设备模板色散
- 放置切割胶带上的器件模板的纳米晶体层粉末颠倒。模板为SiO 2（300纳米）涂覆的硅与16预图案化的Ti（30纳米）/金（90纳米）在SiO 2表面电极基板（参见图 1中的步骤4）。模板的面积大小是5×5毫米
- 点击切割用胶带轻轻地做一些纳米晶体（约10至100件）落在模板。
- 检查在模板纳米晶体的数密度及分散状态通过光学显微镜或有时通过SEM如果分散纳米晶体可以通过光学显微镜来观察不到。通常为2〜5个的纳米晶体（面积大小大于2×2微米2）不重叠彼此分散在中心广场（具有80×80微米2区）的模板的是为未来的FIB加工的更好的条件。
- 放置切割胶带上的器件模板的纳米晶体层粉末颠倒。模板为SiO 2（300纳米）涂覆的硅与16预图案化的Ti（30纳米）/金（90纳米）在SiO 2表面电极基板（参见图 1中的步骤4）。模板的面积大小是5×5毫米
- 电极的制作由FIB
- 安装模板使用导电铜箔胶带的FIB持有人。通常情况下，被要求进行的3×2.4厘米2带的面积为安装6-8模板。
- 保持器加载到FIB室中。
- 通过点击按钮，抽真空室的真空度降低到10 -5毫巴“泵”。
- 设置电子束电流（41 PA）和加速电压（10千伏）的扫描电镜模式。
- 设置离子束电流（0.1 NA）和加速电压（30千伏）的FIB模式。
- ，热身离子束系统和气体喷射系统（GIS）通过点击“气体注入”块和按钮“冷”按钮“上的光束”分别。
- 打开电子束通过点击按钮“梁”和聚焦图像以100倍的低倍率。
- 以10毫米用于SEM模式中设置的Z轴工作距离（WD）。
- 设定放大倍数5000倍处和焦点。
- 通过点击按钮“导航”和输入的倾斜角“52”设置到保持器52度的倾斜角。
- 选择具有一定厚度（从5到3000 nm）的莫塞2层纳米晶体和矩形和正方形的形状的电极法布里卡化。
- 通过点击按钮“快照”采取不同的缩放比率电极制造之前有针对性的原始材料的SEM图像（从1000倍到10000）。
- 切换到FIB模式，并采取FIB图像的快照模式，以降低目标材料在离子束轰击的曝光时间。
- 定义电极沉积区域中，选择“铂沉积”模式，并输入厚度沉积的Pt电极（0.2-1.0微米）的价值。
- 通过点击“注气”块框“PT DEP”引进地理信息系统的毛细血管进入室内。
- 再次采取由快照模式的图像和修改电极的位置，如果最初所定义图案略微偏移。
- 通过点击按钮“开始图案”打开FIB沉积。
- 沉积后，回unclicking框“PT d拉伸GIS的毛细管“中的”注气“块EP。
- 切换到SEM模式，并检查在纳米晶体层沉积的Pt电极的结果。
- 取已完成的器件的不同放大率的SEM图像具有两个或四个电极（参见图 1中的步骤3）。
- 通过点击按钮“导航”和输入的倾斜角为“0”设置保持器返回到0度的倾斜角。
- 通过点击按钮“快照”采取不同的缩放比率为素材的宽度和电极间距离的估计顶部观看的SEM图像。
- 关闭电子束和离子束系统，并通过点击“注气”挡按钮“梁关”和按钮“暖”降温GIS系统，分别为。
- 通过点击按钮“放空”，然后采取持有人发泄通过引入氮气室流出该室。它通常需要5到10分钟以完成排气过程。
- 关闭箱门和疏散室。
3.刻画了摩西2层纳米器件
- 第二层纳米晶的原子力显微镜的厚度测量
- 安装AFM悬臂的探头支架。
- 打开AFM程序，选择“ScanAsyst”模式。
- 加载探头支架和与AFM站的激光二极管头连接。
- 执行校准对准入射激光束的位置，并根据制造商的协议的悬臂。
- 安装在由Cu箔胶带样品架的样本（模板芯片用FIB-制造纳米晶体层的设备）。
- 样品架装载到AFM站。
- 移动样品保持器的位置大约在激光束或原子力显微镜cantilev下方呃。
- 由聚焦层纳米晶体的光学显微镜图像降低下来AFM悬臂至聚焦位置。
- 输入扫描参数，例如扫描区域（6×6月30日×30微米2），频率（0.5-1.5赫兹），分辨率（256-512行）。
- 启动该程序并根据制造商的方案保存数据。
- 提起AFM悬臂，并采取样品架出来。
- 装载第二样品，并重复上述如果需要所述的测量过程。
- 通过使用软件“的NanoScope分析”分析AFM图像和高度轮廓估算层纳米晶体的厚度。选择从AFM图像的横向高度分布和由轮廓的扁平化区域确定的平均厚度值。 （参见图2d和2e）
- 层纳米晶体的电流对电压 （IV）测量
- 安装由Cu箔胶带云母基板上的样品（模板芯片用FIB-制造纳米晶体层的设备）。
- 结合上由Ag膏在芯片的电极上的漆包线或Cu导线。 （参见图 1中的步骤4）。
- 加载在探针台室已完成的样品，并修复它由铜铝箔胶带样品架。低温探针台位于在黑暗环境中。 （见步骤5 在图1中）。
- 焊接试样的电线和的探针逐个金属电极。
- 盖上腔顶部和疏散室下降到10 -4毫巴。降温样品到77K的引入液氮到探针台。设定的温度范围内（通常从80至320 K），间隔，和停留时间为温度控制。 （仅适用于温度变化的测量必要）。
- 置所施加的电压扫描范围（通常从-1到1伏），电压INTErval中（0.01 V）中，并在一个超高阻抗多功能静电用于两终端IV测量的有限最大电流（10或者100μA）。对于四端子测量时，设定所施加的电流扫描范围（通常为-100至100μA）和当前时间间隔（1微安）。
- 启动程序，并保存IV数据在室温下或在不同的温度。
- 如有必要，打开腔室盖和取样品流出该室。
- 装载第二样品，如果需要，并重复上述过程。
- 通过绘制所测量的电流与使用该软件施加的电压数据分析IV曲线 。通过选择线性拟合函数拟合IV曲线。检查IV曲线的线性和得到的斜率值 （即电导值）。 （ 参见图1步骤6）。
- 重复步骤3.2.10的IV曲线米easured在不同温度下，如果需要的。
- 根据公式σ= G（吨/总重量）采用由四 ，SEM获得的参数计算出电导率（σ）值，和AFM测量，包括电导（G），厚度 （t）， 宽度 （w）和长度（ 升层纳米晶体）。
- 积的电导性和导电性值对纳米晶体层的厚度的曲线。
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Representative Results
纳米材料层具有不同厚度的电导（G）和电导率（σ）的所确定的值是高度依赖于电触点的质量。的FIB-沉积制造的双端摩西的欧姆触点 2的设备的特征在于测量电流-电压（I - V）的曲线。室温我 - V曲线为具有不同厚度的二端摩西2纳米片的设备示于图2a。 该 I - V曲线遵循线性关系。这证实了摩西2器件的欧姆接触的条件。
。与四个电极部分的设备被制造，以进一步排除的接触电阻的潜在影响图2b示出 予典型- V曲线由两ELE测ctrode和四电极法在室温下相同的纳米片的厚度为33纳米。为双探针和四探针测量所计算的σ值是在117和118Ω - 1厘米- 1，分别。因为使用两个探针和四探针测量同一装置中计算出的σ值是高度相似的，接触电阻对在本研究中所确定的G和σ值的影响是微不足道的。 图2c和2d中示出了代表性的场致发射二端子和四端MOSE 2器件的扫描电子显微镜（FESEM）图像，分别。用原子力显微镜（AFM）测量估计摩西2纳米片上的器件的厚度;一个样品测量示于图2E和2F。
进一步利用高分辨率透射电子显微镜（HRTEM），选区电子衍射（SAED），和能量色散X射线光谱（EDX）检测了摩西2装置的电接触的金属-半导体界面。 图图3a示出在Pt /摩西2接口的横截面透射电子显微镜（TEM）图像。该图显示了Pt和摩西2之间形成的，因为离子束轰击的合金层（25-30纳米）。该合金/摩西2接口的HRTEM图像（斑点4， 图3b）和摩西2区（点3， 图3c）示出了形成在单晶的摩西2的表面上的非晶质合金。
的EDX谱和选区电子衍射的图的环图形 3d表明，Pt为主要成分和所述金属电极具有多晶结构。类似的测量，在图3e中所示，表示具有非晶形结构的离子轰击合金和含Mo，Se和Pt中的混合物以2:1的比率：4：1。单晶摩西2纳米片是由EDX和SAED测量，这示于图3f进一步证实。
对于使用的FIB淀积方法在欧姆接触制成，在摩西2多层纳米结构具有不同厚度的 G 和 σ值可以被精确地确定。 图4a表示的统计G值计算为摩西2纳米片具有不同的厚度。可以观察到，该G值没有显示可观察到的变化，或在厚度变化超过两个数量级。这种观察是相反的理论预测，根据该G是线性依赖于厚度 （t）为一个均匀的电流流动，并且WR伊顿作为
其中 A是为当前传输的区域，并升，w和t分别是长度，宽度和厚度的导体，分别。
的σ值可以使用等式（1）得到图4b示出的电导率作为厚度的函数（σ -吨 ）。 1厘米- - 1 当 t减小从2700至6nm的σ增加了两个数量级，从4.6至1500Ω的值。逆幂律σ∞ 笔 - β获得，其中拟合的β值为0.93。该σ值（0.1〜1Ω - 1 cm - 1处）36-38 的厚度（t：10-100微米）也位于拟合直线。
原则上，σ是无任何尺寸效应的固有属性。 σ的强厚度的依赖性意味着电流传导主要发生在摩西2层材料的表面上。如果在表面传导路径的数量级比体越高，G值不会增加几个数量和变得恒定，即使厚度增加。
图1：通过X射线衍射和拉曼光谱的形态和结构莫塞2体层晶体的表征： 程序的设备制造和摩西2纳米薄片电气特性步骤1。步骤2：体层的晶体通过切割胶带和由FESEM观察剥离薄片的形态机械剥离。第3步：纳米片由FIB铂沉积电极制造。步骤4：通过安装在云母基板和接合漆包线样品芯片上由Ag膏的芯片的电极，完成该设备。步骤5：在低温探针台加载样品。第6步：执行我 - 3V，测量和分析数据。
图2： 我 - V曲线 ，FESEM和AFM测量为二维和四端摩西2纳米片的设备 （ 一 ） 的 I -由两个探针法在室温下为摩西2纳米片测定V曲线 。具有不同厚度在11，240，和1300纳米。 （二）将I -由两个探针和四探针方法，在室温下摩西2纳米片的厚度在33处测量V曲线 。 （c）该二端以及 （d）四端子摩西2设备用FIB方法制备的代表性的FESEM图像。 （e）一个典型的原子力显微镜图像和 （f），其沿蓝线（E）截面高度天寒摩西2设备含有〜60纳米的厚度。 （来自于文献授权转载。28版权所有：眼压出版有限公司）
图3：HRTEM，SAED及EDX分析了在设备中的铂/摩西2接口 （。 a）在FIB方法制备了摩西2纳米片装置（T〜110纳米）的铂金属/摩西2半导体界面的截面TEM图像。该数字标签指示高分辨透射电子显微镜，电子衍射不同的探测区域，和EDX分析。 1：铂金属电极，2：离子轰击合金区域，3：2 摩西多层和4：合金/摩西2接口 。 （二）合金/摩西2接口 （斑点4）和（c）的摩西2区（点3）的高分辨图像。的EDX谱图和相应的选区电子衍射图案为（d）该铂电极（点1），（e）该合金区域（斑点2）， 和 （f）的摩西2纳米片（斑点3），分别。 （来自于文献授权转载。28版权所有：眼压出版有限公司）
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图4：在摩西2纳米片厚度依赖性电导率（a）本电导和 （b）导电率值来进行摩西2纳米片具有不同厚度的log-log图6〜由两测定2700纳米探头（蓝色固体星）和四探针（蓝色开星）的方法。也绘出由我们的测量（绿色空心圆）和来自参考获得的摩西2块状晶体的导电率值进行比较。本莫塞2散货无裁判的厚度信息。 32，33，34被假定为大于10μm且它们的导电水平通过绿色箭头表示。红色虚线是拟合直线的电导率相对于摩西2纳米薄片的厚度数据。 （来自于文献授权转载。28版权所有：眼压出版有限公司）
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Discussion
准确测定的σ值的和它在该层中纳米晶体尺寸的依赖是高度依赖于电触点的质量。用于金属电极沉积的FIB沉积法在整个研究过程中发挥了至关重要的作用。根据电气，结构和组成分析，稳定和高度可再现的欧姆触点的制造中，使用FIB淀积法，在摩西2或二硫化钼的设备提供了便利的非晶态导电性合金的铂金属和摩西2之间形成层的半导体。有缺陷的合金结构在摩西2面，显示了较高的载流子密度可以有效地降低了肖特基接触的效果。半导体的表面污染物，例如原生氧化物和烃，其通常被认为从金属和半导体触头之间的绝缘层来发起可以通过离子束轰击被消除。消除可以解释在FIB沉积制造的层晶体器件低接触电阻。
虽然实验FIB沉积方法提供了用于半导体层的纳米结构的电极制造可靠欧姆接触，金属电极之间的最小间隔是有限的。它被控制在上述1微米本研究。的主要原因的限制是该FIB淀积金属电极没有因为离子束通量在径向方向上的高斯分布的清晰边缘和锋利的侧壁。的清晰边缘和锋利的侧壁的缺乏可导致材料表面的污染和电气短路，如果两个电极沉积太靠近彼此（典型地更靠近于500nm）。
此外，在该离子束环境原料处理不可避免地损害材料表面上，LEA鼎在固有的材料特性的变化。以避免由在FIB淀积，离子束在材料表面的潜在损害，我们试图最小化该离子束的曝光时间。通常，大多数的过程的步骤（包括选择合适的纳米晶体，映射的位置，和记录图像）最初在SEM模式中执行;随后，模式被切换到的FIB模式。因此，该样品表面暴露于该离子束在相当短的时间（在快照模式），这对应于取用于操作在FIB模式用于识别铂的时间沉积的区域。此外，表面保护可以通过在到FIB沉积之前所述层纳米晶体（在协议未提及）涂敷绝缘有机材料（如浴铜灵）来提供。
EBL，这是最广泛使用的方法，可以提供电极之间的更小的间隔（小于100纳米）与FIB相比沉积。到所研究的材料潜在的损害可以通过使用EBL被防止。然而，EBL需要使用的抗拒。因为完全去除的抗蚀剂涂在材料表面上是困难的，残留的抗蚀剂会导致在接触金属和所研究的材料之间的高接触电阻。这个问题降低了欧姆接触的产量很大，因此阻碍了使用EBL作为微电极的制作方法。因此，FIB技术可以用于微电极制作与除EBL可靠和可重复的欧姆接触一个不错的选择。
然而，在这项研究中，摩西2层材料的最小厚度仅达到6纳米（约9-10单层）。对于超薄层材料厚度低于5单层的电接触质量仍是未知数。据预计，在超薄层的材料的接触面积可被完全合金化，因为铂 - 钼 - 硒合金引起的离子轰击厚度（25-30纳米）比材料厚度高。进一步的工作仍需要详细说明使用FIB方式欧姆接触特性的合金效果。
在现实中，FIB淀积方法主要开发用于上微米和纳米尺度的材料研磨或蚀刻。金属沉积是仅在扩展使用该方法用于涂覆或保护材料的表面。然而，本报告中的FIB沉积法在层半导体纳米结构欧姆接触的制造采用。对在这些2D纳米材料的输运性质的厚度效果的观察提供了便利的使用的FIB淀积法。电极制造在微米或亚微米尺度以可靠的欧姆接触质量一直是个难题，是至关重要的，适用于各种应用，如纳米材料的基本电学表征，消除接触RESIS的tance用于电子设备处理，和材料表面的局部金属化。微电极制造上采用FIB沉积法层纳米材料的示范可以作为未来的研究人员和工程师在学术界和业界的关键和有益的参考。
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Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| HRTEM&SEAD | FEI (http://www.fei.com/products/tem/tecnai-g2/?ind=MS) | Tecnai™ G2 F-20 | |
| SEM&EDS | HITACHI (http://www.hitachi-hitec.com/global/em/sem/sem_index.html) | S-3000H | |
| FIB | FEI (http://www.fei.com/products/dualbeam/versa-3d/) | Quanta 3D FEG | |
| AFM | BRUKER (http://www.bruker.com/products/surface-analysis/atomic-force-microscopy/dimension-icon/overview.html) | Dimension Icon | |
| XRD | Bruker (https://www.bruker.com/products/x-ray-diffraction-and-elemental-analysis/x-ray-diffraction/d2-phaser/learn-more.html) | D2 PHASER X-ray Diffractometer | |
| Raman | Renishaw (http://www.renishaw.com/en/renishaw-enhancing-efficiency-in-manufacturing-and-healthcare--1030) | inVia Raman microscope system | |
| Keithley-4200 | keithley (http://www.keithley.com.tw/products/dcac/currentvoltage/4200scs) | 4200scs | |
| ultralow current leakage cryogenic probe station | Lakeshore Cryotronics (http://www.lakeshore.com/) | TTP4 | |
| copper foil tape | 3M (http://solutions.3m.com/wps/portal/3M/en_US/Electronics_NA/Electronics/Products/Product_Catalog/~/3M-Copper-Foil-Shielding-Tape-1182?N=4294300025+5153906&&Nr=AND%28hrcy_id%3A8CQ27CX0WMgs_F2LMWMM6M6_N2RL3FHWVK_GPD0K8BC31gv%29&rt=d) | 1182 | |
| Ag paste | Well-Being (http://www.gredmann.com/about.htm) | MS-5000 | |
| Cu wire | Guv Team (http://www.guvteam.com) | ICUD0D01N | |
| dicing tape | Nexteck (http://www.nexteck-corp.com/tw/product-tape.html) | contact vender | |
| mica | Centenary Electronic (http://100y.diytrade.com/sdp/307600/4/pl-1175840/0.html) | T0-200 | |
| enamel wire | Light-Tech Electronics (http://www.ltc.com.tw/product_info.php/products_id/57631) | S.W.G #38 |
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