Summary
本方案描述了在处理过程中处理硅平面皮质内微电极的工具， 以便通过 气体沉积和水溶液反应进行表面改性。详细解释了在整个过程中用于处理设备的组件的组装。
Abstract
皮质内微电极具有巨大的治疗潜力。但是，他们面临的挑战是在适度的植入时间后显着降低性能。观察到的下降的一个重要因素是植入物近端神经组织的损伤和随后的神经炎症反应。提高设备寿命的努力包括化学修饰或将应用涂覆到设备表面以改善组织响应。这种表面处理的开发通常使用非功能性“假”探头完成，这些探头缺乏预期应用所需的电气元件。鉴于皮质内微电极阵列的脆弱性，转换为功能器件需要额外的考虑。处理工具极大地促进了对组装设备的表面处理，特别是对于需要较长程序时间的修改。此处描述的处理工具用于 通过 气相沉积和水溶液暴露进行的表面处理。涂层的表征使用椭圆偏振和X射线光电子能谱进行。在功能器件上涂覆过程之前和之后的电阻抗谱记录的比较确认了修改后的器件完整性。所描述的工具可以很容易地适应于保持化学相容性的替代电极设备和治疗方法。
Introduction
神经假体装置旨在恢复各种患者群体中受损或缺失的感觉和运动能力，包括脊髓损伤、肌萎缩性侧索硬化症 （ALS）、脑瘫和截肢1，2，3。皮质内微电极（IME）可以在皮质神经元和用于控制神经假体的设备之间建立通信途径。皮质内微电极的一个明显优点是它们能够以高空间和时间分辨率记录神经信号，这是随后的信号处理和控制脑机接口4，5的首选。不幸的是，皮质内微电极的性能在植入后的几个月内急剧下降到一年2，6，7，8。信号质量和稳定性的损失会对该技术的应用产生负面影响。
观察到的性能下降的一个重要因素是对植入相关组织损伤和慢性神经炎症的生物反应9，10，11。IME的植入会对脑组织造成损害，导致信号分子的释放，从而引发反应性细胞防御过程的级联。慢性接口会加剧异物反应，导致持续的神经炎症，损害设备近端的组织;通常被认为是神经炎症，瘢痕形成和局部神经变性的症状，导致信号质量记录下降12，13，14，15。包括具有夹带活化小胶质细胞和巨噬细胞的致密星形胶质细胞团，封装电极的疤痕创造了不利的局部环境，物质转运减少和炎症因子的局部积累16，15，16，17，18。
许多研究描述了大脑对皮质内微电极的反应或减轻反应的方法7。改善组织反应的研究和开发涉及一系列策略，包括对整体结构，表面拓扑，材料和涂层应用的修改。这些努力旨在最大限度地减少植入事件造成的损害，在装置和近端细胞之间引入更有利的界面，或在装置植入7后减少组织应变。专门针对慢性生物反应的方法已经产生了几种生物活性涂层，旨在稳定着床部位并化学促进细胞健康。实例包括导电聚合物如聚（乙烯-二氧噻吩）（PEDOT）19，20、碳纳米管21、水凝胶22，以及添加生物活性分子和药物以靶向特定的细胞过程23、24、25。特别是我们的研究小组，已经探索了许多促进对植入微电极的炎症反应减少的机制，包括但不限于最小化与设备植入相关的创伤26，最小化设备/组织刚度不匹配27，28，29，30，31，32，33，优化灭菌程序34，35，还原氧化应激/损伤28，36，37，38，39，40，41，42，探索替代电极材料43，并模仿天然细胞外基质的纳米结构44，45，46.最近的兴趣是仿生表面涂层的发展，以减轻微电极组织界面39处的神经炎症反应。
界面的修改提供了直接靶向伤口和信号记录所需的近端组织的独特好处。在不加剧免疫反应的情况下促进愈合的表面处理可以有益于质量记录的寿命，并消除实现皮质内微电极的治疗和研究潜力的限制。所介绍的工作详细介绍了将表面处理应用于微电极阵列的方法，这些方法需要延长反应时间，同时适应器件的脆弱性。所提出的技术旨在将表面改性方法共享给功能设备，其中设备在整个处理应用中无法处理。这些工具用于处理非功能性假探头和功能性硅平面微电极阵列。
所提出的修改电极表面的方法允许非功能性假探针或功能性硅平面电极阵列的安全悬浮，用于气相沉积和与水溶液的反应。几个3D打印件用于处理这些易碎的设备（图1 和 图2）。提供了一个程序示例，该程序利用气体和溶液相步骤进行表面改性，使用涉及Mn（III）四（4-苯甲酸）卟啉（MnTBAP）固定化的抗氧化涂层。MnTBAP是一种合成的金属卟啉，具有抗氧化特性，并已证明可以调解炎症47，48。提供的关于功能性硅平面电极阵列的示例验证了对先前报告的用于非功能性设备40的协议的更新。Munief等人 对气相沉积技术的适应性支持该协议与功能电极49的兼容性。气相沉积用于胺官能化表面，为涉及碳二亚胺交联剂化学的水反应做准备，以固定活性MnTBAP。这里开发的处理方法作为一个平台提供，可以对其进行修改以适应其他涂层和类似设备。
该协议说明了使用非功能性假探头的方法，这些探头包括硅柄和3D打印标签，其尺寸与功能性硅平面电极阵列相似。该设备的连接器包装被认为类似于所提供的说明中非功能性假探头的3D打印选项卡。
图 1：用于在真空干燥器中气相沉积期间处理功能器件的 3D 打印件 （A） 结构的底座包括用于 1 cm x 1 cm 样品硅方块的支架（顶部箭头）和用于固定到干燥器板的孔（底部箭头）。（B）板用于固定设备的悬挂。从这里开始，此图中的每个部分将称为部分1A或1B。比例尺 = 1 cm .请点击此处查看此图的放大图。
图2：用于处理水溶液中发生表面反应的功能器件的3D打印件。（B） 用于在组装时稳定 （C） 和 （D） 件的台式件。（C）和（D）一起固定装置的悬浮液以放置在孔板中，并且（E）进一步将（C）和（D）片固定在孔板盖上。从这里开始，此图的每个面板中的单个部件将称为与该图的面板编号相对应的部件号。比例尺 = 1 cm.请点击此处查看此图的放大图。
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Protocol
3D打印的所有编码文件都在 补充编码文件1-16中提供。代表结果中提供的分析是使用商业获得的功能性硅平面电极阵列描述的（参见 材料表）。
1. 真空干燥器中气相沉积的处理组件
注：用于在气相沉积过程中处理和保持装置的组装设备如图 3所示。步骤1.1-1.8描述了将设备放入设备中进行沉积所需的步骤（图4A）。
图 3：用于在气相沉积期间处理功能设备的 3D 打印部件的装配。 该组件如图所示，没有要涂覆的样品。螺钉和翼形螺母用于将 1A 和 2B 部件固定在一起。 请点击此处查看此图的大图。
图 4：待涂覆样品的装配和放置图像。 该方案描述了在气相沉积期间在真空干燥器内固定的功能设备的处理。（A）将双面聚酰亚胺胶带放在片1A上，将泡沫胶带放在1B上。（C）螺钉和翼形螺母用于固定1B至1A的部件，并且使用拉链电缆扎带（红色箭头）将组件连接到干燥器托盘上。（D）将1 cm x 1 cm的方形硅样品放入相应的支架中。（E）将铝制称重盘和压力表按所示方向放入干燥器中。 请点击此处查看此图的大图。
- 对于表面处理，获取器件基板材料的1 cm x 1 cm正方形样品。
- 对于硅样品（为本实验方案选择），使用晶圆切割机将硅晶圆切割成1 cm x 1 cm的正方形（参见 材料表）。
- 打印或获取部件1A（图1A，补充编码文件1，补充编码文件2）和1B（图1B，补充编码文件3，补充编码文件4）。
- 将双面聚酰亚胺胶带连接到片1A，并用单面粘合剂将1/8“厚的泡沫条连接到1B片上。
- 将设备的连接器包装粘附到片 1A 上的胶带上。
注：磁带上接头的理想方向将使刀柄悬在边缘上，如图 4B所示。 - 将部件 1A 和段 1B 固定在一起（图 4C）。对齐孔并使用不锈钢螺钉和翼形螺母固定（请参见 材料表）。
- 使用拉链扎带，使用片1A底部的孔将组件固定到真空干燥器托盘上，如图 4C所示。
- 如果适用，将方形材料样品放入框架底部的狭缝中（图4D）。这里，以1 cm x 1 cm正方形硅晶片切块样品为例。
注意：确切的材料需要与处理过的设备的基板相匹配，这将因设备而异。 - 通过将溶液放入真空干燥器内的适当容器中，与安全组件相对并符合安全组件，从而完成气相沉积。
注：铝称重盘被用作（3-氨基丙基）三乙氧基硅烷（APTES）沉积的容器，作为此处的示例。- 在干燥器内放置真空计（参见 材料表）以记录确切的压力。将干燥器盖的端口放在固定组件附近并与溶液对齐（图4E）。
注：有关这种气相沉积方法的更多详细信息，请参见先前发布的参考文献49。
- 在干燥器内放置真空计（参见 材料表）以记录确切的压力。将干燥器盖的端口放在固定组件附近并与溶液对齐（图4E）。
2. 处理通过 水溶液进行表面反应的组件
注：图 5-7说明了在水相沉积和表面处理期间用于处理和保持装置的组件和组装设备。以下步骤将详细说明将设备放入设备中进行沉积和处理所需的程序。
图 5：用于处理水溶液中表面反应的功能设备的 3D 打印件的组装。（B）台式件用于在组装时稳定（C）和（D）件。（C）和（D）一起固定装置的悬浮液，以便放置在孔板中。（E）进一步将（C）和（D）片固定在孔板盖上。将双面聚酰亚胺胶带放在（C）的下部，将泡沫胶带放在（D）的下部（两者均为红色盒装）。请点击此处查看此图的大图。
图6：由6个导轨（第2A部分）构成的细胞培养板盖，请单击此处查看此图的大图。
图 7：用于固定和装载溶液反应探头的顺序。 为了图像中的清晰度，此图中零件的颜色已更改。这些部件与 图 5 和 图 6 相同。（A）将片2C放入件2B中，并将设备固定在2C的胶带部分上。（C）使用导轨将2C，2D和装置的组装小心地定位到孔板的盖子上。（D） 部件 2E 安装在组件顶部，以进一步固定盖子。 请点击此处查看此图的大图。
- 为孔板构建一个盖子，以将设备的电极阵列悬浮在溶液中（图6）。该协议描述了24孔板的使用。
- 使用激光切割机或手动使用箱形切割机将19 mm x 10.5 mm的矩形孔切入孔板盖中。将孔数与所需的治疗设备数相匹配。
注：为了便于组装，建议每个孔板处理六个设备，或者至少在不相邻的孔上放置孔（图6）。 - 打印或获取适当数量的导轨（部件2A（图2A）， 补充编码文件5，补充编码文件6）。
- 使用氰基丙烯酸酯粘合剂将导轨固定在盖子上。在粘合时对齐导轨和盖子上的矩形孔，以确保导轨的矩形孔畅通无阻，如图 6所示。
- 使用激光切割机或手动使用箱形切割机将19 mm x 10.5 mm的矩形孔切入孔板盖中。将孔数与所需的治疗设备数相匹配。
- 在将要进行治疗的位置用所需的溶液填充孔板。例如，该解决方案在MES缓冲液中包括EDC和磺基-NHS（参见 材料表）。
注意：溶液的体积取决于电极装置的尺寸。对于密歇根式微电极阵列（参见 材料表），其薄型连接器为 8.6 mm，刀柄长度为 3 mm，间隙为50~9 mm。使用2 mL溶液将允许设备的柄完全浸没，同时将设备的其余部分排除在反应溶液之外。- 如果使用基板样品来确认表面处理，请将方形材料样品放在板的孔中并将其浸没在反应溶液中。
- 将设备牢固地悬挂在孔板中（参见 材料表）。该序列如图 7 所示。
- 将磁带片2B（图2B，补充编码文件7，补充编码文件8）连接到台面（图7A）。
- 放置双面聚酰亚胺胶带以覆盖片2C的基底（图2C，补充编码文件9，补充编码文件10）。
- 将1/8“泡沫胶带与单面粘合剂放在2D片的底部（图2D，补充编码文件11，补充编码文件12）。
- 将片2C安装到片2B的凹槽中（图7A）。
- 将设备的连接器包装固定在胶带上，定向，使设备刀柄的长度悬垂（图7B）。
- 通过将片 2D（ 图 7 中以橙色显示）滑入片 2C 来固定设备。该组件有效地将设备固定在工具部件之间（图7B）。
- 握住组件的边缘，小心地抬起以从第2A片中取出。
- 通过将部件 2C 和 2D 上的朝外半圆与部件 2A 上的相应导轨对齐（ 如图 7C 中的绿色所示），将组件安装到盖子中。
- 通过在导轨上压装工件 2E（图 2E）（在图 7D 中以绿色显示，补充编码文件 13，补充编码文件 14）来确保装配体放置。
- 对于受益于溶液连续混合的反应，搅拌孔板。将组装好的孔板转移到振动台上，并以低于100 rpm的速度运行。
- 如果需要多个基于溶液的反应或洗涤步骤，请小心地将盖子转移到新的孔板上，并将所需的溶液分配到适当的孔中。
注意：步骤 2.4 是可选的。 - 从孔板上取出设备。
- 将 2B 胶带片固定到台面上。
- 从盖子上取下第2E片。
- 小心地从孔板上取下固定设备的组件。
- 定向装配体，使工件 2C 面向台面，2D 部分朝上。设备的刀柄需要与台面平行。将组件的工件 2C 装配到装配体上时，如先前完成的那样（步骤 2.3.4），将装配体的零件 2C 装配到零件 2B 中。
- 通过小心地将它们拉开，将2D件与2C分开。在2C片的卡舌上施加轻微的压力，以达到此任务的稳定性。
注：2C的卡舌比2D的卡舌长，便于处理。 - 使用镊子抓住设备的连接器包装，从胶带上取下并将设备转移到所需的存储容器中。
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Representative Results
为了演示处理组件的使用，实施了所述方法以使氧化介质的固定化适应活化的硅。波特-贝克等人设计了将这种化学物质应用于IME以减少氧化应激，并在非功能性硅假探针40上进行了演示。这种表面处理通过胺官能化，然后 碳 二亚胺交联化学51，将抗氧化剂MnTBAP固定到UV/臭氧活化硅表面。胺官能化 通过 气相沉积完成，碳二亚胺交联化学 通过 水反应完成。这些实验是使用市售的密歇根式微电极阵列和硅方形样品进行的，以便对涂层方法进行材料分析（参见 材料表）。
首先，使用氨基硅烷（3-氨基丙基）三乙氧基硅烷（APTES）进行胺官能化。APTES的气相沉积采用了Munief等人描述的方法的改编。使用3D打印工具按照所述的气相处理协议安全地悬挂设备。接下来，将400μL液体APTES放入真空干燥器内的铝皿中。放置干燥器盖，将真空拉至~25 psi，持续20分钟。20分钟后，释放真空。将新鲜的400μL液体APTES放入新的铝制培养皿中。再次将真空拉至~25 psi再拉20分钟。20分钟后，第二次刷新APTES，并将真空保持在~25 psi下24小时52。胺官能化后，使用碳二亚胺交联化学固定MntBAP。如前所述，采用1-[3-（二甲基氨基）丙基]-3-乙基碳二亚胺甲基碘二甲酰亚胺（EDC）和 N-羟基磺基琥珀酰亚胺钠盐（磺基-NHS）在2-（N-吗啉基）乙烷磺酸（MES）缓冲液中的标准程序40。3D打印工具将设备悬浮在含有反应溶液的孔中。
在功能化反应完成后，分别进行椭圆体和X射线光电子能谱（XPS）以确认APTES（步骤1）和MnTBAP（步骤2）的存在。使用1 cm x 1 cm的硅方块来分析每个涂层工艺步骤，以验证APTES沉积和MnTBAP固定的成功。从12个硅样品中心进行的椭圆偏振测量产生的平均APTES层厚度为8.5±1.02 Å，而理论单层厚度为7 Å。 表 1 中提供了 XPS 的结果。在气相APTES处理之后，氮和碳的原子浓度百分比增加，这表明化学沉积物。在溶液相固定化过程之后，这些结果表明锰的存在，锰是有助于MnTBAP活性的元素，在溶液相固定化之前无法检测到锰。
| 修改 | C (%) | N (%) | O (%) | 硅 （%） | 百万 （%） | ||
| 等离子体处理硅 | 3.06 | 0.5 | 49.84 | 46.605 | 0 | ||
| 气相沉积 | 13.63 | 3.2 | 43.98 | 39.2 | 0 | ||
| 锰铝固定化 | 44.16 ± 3.94 | 5.33 ± 0.37 | 21.81 ± 1.30 | 21.81 ± 2.39 | 0.79 ± 0.07 | ||
表 1：对芯片进行顺序修改的 XPS 分析。 为 MnTBAP 固定化步骤提供的值以样本数量为 4 的标准偏差显示。
使用电阻抗谱（EIS）50评估了涂覆工艺后密歇根式微电极阵列的功能。在两个器件上总共记录了20个微电极通道的EIS。测试中包含的通道是随机选择的，并在两个设备之间均匀分布（10个通道/设备）。测量是使用具有三电极设置的恒电位仪进行的。每个通道的测量在涂层过程之前完成三次，在涂层过程之后完成三次。在镀膜过程之前和之后，1 kHz时的阻抗幅度分别为238±10.22 kΩ和237±9.81 kΩ。选择成对 的t检验以确定涂层过程是否影响通道阻抗53。该器件的阻抗测量值存在显著差异。因此，在器件级上进行分析可能会失去涂层在制造噪声变化范围内的影响。在镀膜过程之前和之后的1 kHz下通道阻抗幅度之间的成对 t检验表明没有统计差异（p>0.937）。 图8提供了测试设备的波特图，显示了治疗前后10通道记录的结果。 图9提供了涂覆过程之前和之后的电极阵列的图像。有关材料分析仪器详细信息的其他信息，请参阅 补充文件1。
图 8：波特图显示涂层过程之前（灰色）和之后（红色）的一个被测设备（10 个通道）的平均电化学阻抗测量值。 条形表示均值的标准误差。阻抗幅度随着频率的增加而减小。相位角随着频率的增加而减小。 请点击此处查看此图的大图。
图 9：涂覆过程之前（顶部）和之后（底部）的电极阵列图像。 比例尺 = 50 μm .请点击此处查看此图的大图。
补充文件1：材料分析的工具性细节。请按此下载此档案。
补充编码文件1-16：请点击这里下载这个文件。
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Discussion
所述方案设计用于硅平面微电极阵列的表面处理。3D打印工具定制为密歇根风格的微电极阵列，带有薄型连接器50。非功能性探针是通过使用生物相容性粘合剂将硅探针粘附到3D打印标签上来组装的。3D打印的标签设计与所使用的商用设备上的连接器具有相似的尺寸。3D 打印选项卡的文件可用作 补充编码文件 15、补充编码文件 16。丙烯腈丁二烯苯乙烯（ABS）长丝用于构建3D打印件。如果需要，聚乳酸（PLA）长丝也可用于构建工具。使用24孔板与井深为17.4 mm的水溶液进行表面反应。在将协议调整为备用设备时，需要考虑电极的类型（连接器的尺寸，柄的长度），所用3D打印机的分辨率以及灯丝的化学相容性。
由于测试的尺寸和/或破坏性，分析表面处理的标准技术不可能在组装设备上执行。为了获得硅平面微电极阵列上表面处理的表示，可以将器件级硅样品与功能器件一起处理，以便以后进行分析。如果使用的是其他设备，则样品材料需要与设备的基板相匹配。虽然是间接的，但这种方法允许在批次处理之间进行质量检查。用于气相沉积的3D打印工具包括容纳方形样品的功能，以确保足够的表面沉积条件。容纳方形样品的特征具有1 mm的狭缝以插入样品。所介绍的工作中使用的硅样品厚度为525μm。如果需要替代样品材料并且厚度大于1 mm，则需要对提供的文件进行调整。 图1 所示为气相沉积组件的组件。 图2 显示了24孔板中水溶液反应的组装组件。
波特-贝克等人描述的MnTBAP固定化方法的适应性用于证明所提出的工具40的效用。这些实验是使用市售的密歇根式微电极阵列和硅方形样品完成的，以便对涂层方法进行材料分析。为了确认APTES的存在，对硅方形样品进行了椭圆体测量和X射线光电子能谱（XPS）。椭圆偏振测量显示，样品厚度增加，对应于预期的APTES沉积物。对样品进行的XPS分析显示，氮和碳原子浓度的百分比增加，表明APTES沉积。XPS分析表明，在溶液阶段固定化过程之前不存在锰，随后存在锰。这些数据一起被作为涂层存在的理由。在此阶段，设备已准备好进行 体外 和 体内 测试。例如，可以进行将装置植入啮齿动物 体内的体内 实验，以允许记录分析和免疫组化染色，以确定涂层对装置性能的影响36，40。
提高皮质内微电极 体内 性能是该技术在临床应用上取得进展的必要条件。正在进行的研究工作旨在阐明和减轻设备故障背后的过程54.本研究的一个重要领域旨在减轻有害组织对慢性器械植入的反应7，55，56，57。聚焦于装置和组织之间的界面允许对受影响的组织58，59进行靶向治疗。对皮质内微电极的几种表面修饰已经并将继续被探索60，61，62，63。
所介绍的程序提供了将涉及气相沉积和水溶液反应的表面处理应用于组装设备的方法。在表面处理的发展中，向功能器件的转换提出了几个处理问题64。考虑到功能性微电极阵列的脆弱性和费用，所介绍的工具极大地促进了在处理过程中保持器件完整性6.安全处理方法与长时间发生的修改过程相关，并且包括多个步骤。涉及薄膜沉积和分子固定的官能化表面可以包括几轮过程，总孵育时间超过数小时23，24，40，60。处理功能微电极阵列的方法尚未详细报道。所提交的报告打算详细披露一种处理方法。
通过开发表面处理和涂层来提高皮质内微电极阵列性能的研究工作可能受益于使用这些工具安全地应用处理。虽然设计用于为所述密歇根式微电极阵列建模的硅平面器件的表面处理，但这些文件可用于将3D打印件调整为替代器件。进行调整时，请考虑设备尺寸、所用 3D 打印机的分辨率和化学兼容性。
在为任何自定义表面改性协议确定最合适的方法时，将解决详细方法的局限性。3D打印件是定制的，需要时间和访问才能制作。此外，这些部件是为特定风格的微电极阵列而设计的。因此，有必要对3D打印件进行调整，以适应替代设备和相应的连接器包装。最后，此处详述的协议尚未评估其与各种金属触点或与其他器件设计相关的有机基导电聚合物的相容性。为了确保绝对的器件完整性和研究人员的安全，必须考虑用于反应化学的试剂。
总之，已经提出了一种强大的协议，可以对功能性神经电极进行表面修改，同时最大限度地降低损害设备完整性的风险。该方法可以作为进一步修改类似或替代设备类的平台。
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Disclosures
内容不代表美国退伍军人事务部、美国国立卫生研究院或美国政府的观点。
Acknowledgments
这项研究得到了美国退伍军人事务部康复研究与发展服务部的优异审查奖IRX002611（卡帕多纳）和研究职业科学家奖IK6RX003077（卡帕多纳）的部分支持。此外，这项工作还得到了美国国立卫生研究院，国家神经疾病和中风研究所R01NS110823（Capadona / Pancrazio）以及美国国家科学基金会研究生研究奖学金计划（克雷布斯）的部分支持。
Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| 1-[3-(Dimethylamino)propyl]-3-ethylcarbodiimide methiodide (EDC) | Sigma-Aldrich | 165344-1G | Solid, stored desiccated at -20 °C |
| 15 mL Conical Centrifuge Tubes | Fisher Scientific | 14-959-70C | |
| 18 Pound Solid Nylon Cable/Zip Ties | Cole-Parmer | EW-06830-66 | Length 4 inches |
| 2-(N-Morpholino)ethanesulfonic acid (MES) | Sigma-Aldrich | 4432-31-9 | Solid |
| 3-aminopropyltriethoxysilane (APTES) | Sigma-Aldrich | 440140-100ML | Liquid, container with Sure/Seal |
| 50 mL Conical Centrifuge Tubes | Fisher Scientific | 14-959-49A | |
| Aluminum foil | Fisher Scientific | 01-213-103 | |
| Aluminum weighing dishes | Fisher Scientific | 08-732-102 | Diameter 66 mm |
| Bel-Art Vacuum Desiccator | Fisher Scientific | 08-594-15B | |
| Corning Costar TC-Treated Multiple Well Plates | Millipore Sigma | CLS3527-100EA | 24-well plate, polystyrene |
| Cyanoacrylate Adhesive | LocTite | N/A | |
| Digital Microscope | Keyence | VHX-S750E | |
| Disco DAD3350 Dicing Saw | Disco | DAD3350 | Used to cut silicon wafer into 1 cm x 1 cm samples |
| Double-Sided Polyimide Tape | Kapton Tape | PPTDE-1/4 | ¼” x 36 yds. |
| EP21LVMed – low viscosity, two component epoxy compound | Masterbond | EP21LVMed | Meets USP Class VI certification, Passes ISO 10993-5 for cytotoxicity |
| Epilog Fusion Pro 48 Laser Machine | Epilog | N/A | CO2 laser |
| Foam tape | XFasten | N/A | 1/8" Thick |
| Gamry Interface 1010E Potentiostat | Gamry | 992-00129 | |
| High precision 45° curved tapered very fine point tweezers/forceps | Fisher Scientific | 12-000-131 | |
| Lab tape | Fisher Scientific | 15-901-10L | |
| Mn(III)tetrakis (4-benzoic acid) porphyrin (MnTBAP) | EMD Millipore | 475870-25MG | Solid, stored at -20 °C |
| N-Hydroxysulfosuccinimide sodium salt, ≥98% (HPLC) | Sigma-Aldrich | 56485-250MG | Solid, stored desiccated at 4°C |
| Platinum clad niobium mesh anode | Technic | N/A | Clad with 125μ” of platinum on one side, framed in titanium with (1) 1” x 6” titanium strap centered on one 6” dimension |
| Silicon Planar Microelectrode Array, 16 Channel | NeuroNexus | A1x16-3mm-100-177-CM16LP | Electrode site material is iridium, shank thickness is 15 μm |
| Silicon Wafer | University Wafer | 1575 | Diameter 100 mm, p-type, boron-doped, 100 oriented, resistivity 0.01-0.02 Ohm-cm, thickness 525 um, single side polished, prime grade |
| Silver/silver Chloride reference electrode | Gamry Instruments | 930-00015 | |
| Solidworks | N/A | ||
| Stainless Steel Phillips Flat Head Screws | McMaster Carr | 96877A629 | #8-32, 1 1/2", fully threaded |
| Type I deionized water | ChemWorld | CW-DI1-20 | |
| Ultimaker 3 3D printer | Ultimaker | N/A | |
| Ultimaker Cura | Ultimaker | N/A | 3D printing software |
| Ultimaker NFC ABS Filament | Dynamism, Inc. | 1621 | 2.85 mm |
| Ultimaker NFC PLA Filament | Dynamism, Inc. | 1609 | 2.85 mm |
| Vacuum Gauge Vacuum Gauge | Measureman Direct | N/A | Glycerin Filled, 2-1/2” Dial Size, ¼”NPT, -30” Hg/-100kpa-0 |
| Wing nuts | Everbilt | 934917 | #8-32, zinc plated |
References
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