Waiting
Login processing...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
JoVE Journal
Engineering

A subscription to JoVE is required to view this content.
You will only be able to see the first 2 minutes.

Nanofabricage van Gate-gedefinieerde GaAs / AlGaAs Lateral Quantum Dots
 
Click here for the English version

Nanofabricage van Gate-gedefinieerde GaAs / AlGaAs Lateral Quantum Dots

Article DOI: 10.3791/50581
November 1st, 2013

Chapters

Summary November 1st, 2013

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

Dit document presenteert een gedetailleerde fabricage protocol voor gate-gedefinieerde halfgeleider laterale quantum dots op galliumarsenide heterostructuren. Deze nanoschaal apparaten worden gebruikt om enkele elektronen vangen voor gebruik als quantum bits in quantum information processing of voor andere mesoscopic experimenten zoals coherent geleidingsmetingen.

Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
Simple Hit Counter