Summary
यह प्रोटोकॉल चुंबकीय आर्किमिडीज प्रभाव के आधार पर एक स्याही-मुक्त, लेबल-मुक्त, सब्सट्रेट-स्वतंत्र, उच्च-थ्रूपुट सेल पैटर्निंग विधि का वर्णन करता है।
यह प्रोटोकॉल चुंबकीय आर्किमिडीज प्रभाव के आधार पर एक स्याही-मुक्त, लेबल-मुक्त, सब्सट्रेट-स्वतंत्र, उच्च-थ्रूपुट सेल पैटर्निंग विधि का वर्णन करता है।