온도는 화학 반응의 속도에 영향을 미칩니다. 따라서 평형 상태에서 반응에 대한 온도 변화는 시스템에 대한 부담으로 작용합니다. 르 샤틀리에의 원리에서는 이러한 장애를 최소화하기 위해 시스템이 어떻게 반응할 것인지를 예측합니다.온도의 변화는 K의 값을 변화시키지 않고 평형을 이동시키는 농도나 부피의 변화와 달리 평형 상수의 값을 변화시킵니다. 오염화인 기체를 삼염화인과 염소 기체로 분해하는 반응을 고려해봅시다. 이 내열 반응의 경우 흡수된 열을 반응물이라고 생각할 수 있습니다.온도가 증가하면 시스템에 열이 추가되는데 이는 반응물을 더 추가하는 것과 유사합니다. 따라서 평형 위치가 생성물 쪽으로 이동하며 더 많은 삼염화인과 염소를 생성하여 평형 상수 K의 값의 증가로 인한 여분의 열을 소비합니다. 다른 한편 온도가 낮아지면 시스템의 열이 제거되며 이는 반응물을 제거하는 것과 유사합니다.평형 위치는 반응물 쪽으로 이동하며 더 많은 오염화인을 생성하여 K 값의 감소에 의하여 발생한 열을 방출합니다. 이산화황과 산소사이의 기체 반응으로 삼산화황을 생성하는 것과 같은 발열 반응의 경우, 방출되는 열은 하나의 생성물로 생각할 수 있습니다. 온도 상승은 생성물을 더 추가하는 것과 유사합니다.이를 통해 평형 위치를 반응물 쪽으로 이동하게 되며 더 많은 아산화기체와 산소를 생성하여 K의 값의 감소로 인하여 발생한 열을 흡수합니다. 반대로, 이 발열 반응의 온도를 낮추면 열이 제거되여 생성물을 제거하는 것과 같습니다. 평형 위치는 생성물 쪽으로 이동하며 더 많은 삼산화 황을 생성하여 K가 증가함에 따라 발생한 열을 방출합니다.따라서, 온도의 증가는 내열 반응에서 생성물을 선호하는 반면, 온도의 감소는 발열 반응에서 생성물을 선호합니다.