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14.9:

르샤틀리에의 원리: 온도 변화

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Chemistry
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Le Chatelier’s Principle: Changing Temperature

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온도는 화학 반응의 속도에 영향을 미칩니다. 따라서 평형 상태에서 반응에 대한 온도 변화는 시스템에 대한 부담으로 작용합니다. 르 샤틀리에의 원리에서는 이러한 장애를 최소화하기 위해 시스템이 어떻게 반응할 것인지를 예측합니다.온도의 변화는 K의 값을 변화시키지 않고 평형을 이동시키는 농도나 부피의 변화와 달리 평형 상수의 값을 변화시킵니다. 오염화인 기체를 삼염화인과 염소 기체로 분해하는 반응을 고려해봅시다. 이 내열 반응의 경우 흡수된 열을 반응물이라고 생각할 수 있습니다.온도가 증가하면 시스템에 열이 추가되는데 이는 반응물을 더 추가하는 것과 유사합니다. 따라서 평형 위치가 생성물 쪽으로 이동하며 더 많은 삼염화인과 염소를 생성하여 평형 상수 K의 값의 증가로 인한 여분의 열을 소비합니다. 다른 한편 온도가 낮아지면 시스템의 열이 제거되며 이는 반응물을 제거하는 것과 유사합니다.평형 위치는 반응물 쪽으로 이동하며 더 많은 오염화인을 생성하여 K 값의 감소에 의하여 발생한 열을 방출합니다. 이산화황과 산소사이의 기체 반응으로 삼산화황을 생성하는 것과 같은 발열 반응의 경우, 방출되는 열은 하나의 생성물로 생각할 수 있습니다. 온도 상승은 생성물을 더 추가하는 것과 유사합니다.이를 통해 평형 위치를 반응물 쪽으로 이동하게 되며 더 많은 아산화기체와 산소를 생성하여 K의 값의 감소로 인하여 발생한 열을 흡수합니다. 반대로, 이 발열 반응의 온도를 낮추면 열이 제거되여 생성물을 제거하는 것과 같습니다. 평형 위치는 생성물 쪽으로 이동하며 더 많은 삼산화 황을 생성하여 K가 증가함에 따라 발생한 열을 방출합니다.따라서, 온도의 증가는 내열 반응에서 생성물을 선호하는 반면, 온도의 감소는 발열 반응에서 생성물을 선호합니다.

14.9:

르샤틀리에의 원리: 온도 변화

질량 행동의 법칙에 따라, 농도의 변화에 의해 강조 평형은 평형 상수, K의가치에 변화없이 평형을 다시 설정으로 이동합니다. 그러나 온도 변화에 대응하여 평형이 변할 때, 평형 상수에 대해 상이한 값을 나타내는 상이한 상대 조성물로 재확립된다.

이 현상을 이해하려면 기본 반응을 고려하십시오.

 Eq1

이것은 기본적인 반응이기 때문에, 전방 및 역에 대한 비율 법은 균형 잡힌 방정식의 stoichiometry에서 직접 파생 될 수있다 :

 Eq2

시스템이 평형상태일 때,

 Eq3

이 평등에 속도 법률을 대체하고 재배열은

 Eq4

평형 상수는 전방 및 역반응에 대한 속도 상수의 수학적 함수로 표현될 수 있다. 속도 상수는 Arrhenius 방정식에 의해 설명된 것과 같이 온도에 따라 다르기 때문에 평형 상수가 온도에 따라 달라질 것이라는 추론을 의미합니다(온도 변화에 의해 상수가 다른 정도에 영향을 받는다고 가정). 다단계 반응 메커니즘을 포함하는 더 복잡한 반응의 경우, 평형 상수와 메커니즘내 단계의 속도 상수 사이에 유사하지만 더 복잡한 수학적 관계가 존재한다. 반응이 얼마나 복잡하든, 평형 상수의 온도 의존도가 지속됩니다.

온도 변화에 대응하여 평형이 경험하게 될 변화를 예측하는 것은 반응의 엔탈피 변화를 고려하여 가장 편리하게 달성된다. 예를 들어, Haber의 공정에 의한 암모니아 형성은 다음과 같은 외형 (열 생산) 과정입니다.

 Eq5

Le Châtelier의 원칙을 적용하기 위해 열, q는제품으로 간주될 수 있습니다.

 Eq6

시스템의 온도를 올리는 것은 제품의 양을 증가하는 것과 비슷하므로 평형이 왼쪽으로 이동합니다. 시스템 온도를 낮추면 평형이 오른쪽으로 이동하게 됩니다. 벤더믹 공정의 경우, 열은 반응의 반응으로 간주되므로 반대 온도 의존도가 관찰됩니다.

이 텍스트는 Openstax, 화학 2e, 섹션 13.3 변속 평형에서 적응되었습니다: Le Châtelier의 원리.