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Engineering

Metodo ambiente per la produzione di un ionicamente Gated Nanotubi di carbonio catodo comune in celle solari tandem Organic

doi: 10.3791/52380 Published: November 5, 2014

Introduction

Semiconduttori polimerici sono i principali fotovoltaico organico (OPV) materiali a causa di elevato assorbimento, buone proprietà di trasporto, flessibilità e compatibilità con i substrati sensibili alla temperatura. Dispositivi OPV efficienza di conversione di potenza, η, hanno saltato in modo significativo negli ultimi anni, con l'efficienza delle celle singole più in alto del 9,1% 1, che li rende una tecnologia energetica sempre più valida.

Nonostante i miglioramenti nella η, i sottili spessori ottimali attivi dei dispositivi limitano l'assorbimento della luce e impediscono la fabbricazione affidabile. Inoltre, la larghezza spettrale di assorbimento della luce di ciascun polimero è limitato rispetto ai materiali inorganici. Abbinamento polimeri di diversa sensibilità spettrale scavalca queste difficoltà, rendendo architetture tandem 2 una innovazione necessaria.

Dispositivi tandem della serie sono l'architettura più comune tandem. In questo disegno, un materiale di trasporto degli elettronial, uno strato metallico ricombinazione opzionale, e un livello di trasporto buco collegano due strati fotoattivi indipendenti dette sotto-cellule. Collegamento sub-celle in configurazione serie aumenta la tensione a circuito aperto del dispositivo combinato. Alcuni gruppi hanno avuto successo con livelli di trasporto degenerately drogati 3 - 5, ma più gruppi hanno usato le particelle di oro o argento per favorire la ricombinazione di buche ed elettroni l'intercalare 6,7.

Al contrario, tandem paralleli richiedono un elettrodo ad alta conducibilità, sia l'anodo o il catodo, che unisce i due strati attivi. Lo strato intermedio deve essere altamente trasparente, che limita interstrati tandem serie contenenti particelle metalliche, e ancor più per le interstrati tandem parallele composte di sottili elettrodi metallici continui. I nanotubi di carbonio (CNT) fogli mostrano maggiore trasparenza di strati metallici. Così l'Istituto NanoTech, in collaborazione con l'Università di Shimane, ha introduced il concetto di utilizzare come elettrodo intercalare nella monolitici, dispositivi tandem parallele 8.

I precedenti tentativi presenti monolitici, tandem, dispositivi OPV paralleli con fogli CNT che fungono da anodi intercalare 8,9. Questi metodi richiedono una particolare attenzione per evitare corto circuito di una o entrambe le cellule o strati precedenti dannosi al momento del deposito strati successivi. Il nuovo metodo descritto in questo documento facilita fabbricazione ponendo l'elettrodo CNT sopra i polimerici strati attivi di due singole cellule, poi laminando insieme i due dispositivi separati come mostrato in Figura 1. Questo metodo è notevole come dispositivo, inclusi un'aria -stable CNT catodo, può essere realizzata esclusivamente in condizioni ambientali impiegando solo lavorazione a secco e soluzione.

Fogli CNT non sono intrinsecamente buoni catodi, in quanto richiedono drogaggio di tipo n per diminuire la funzione lavoro per raccogliere gli elettroni dalla regione fotoattivodi una cella solare 10. Doppio strato elettrico carica in un elettrolita, come un liquido ionico, può essere utilizzato per spostare la funzione di lavoro del CNT elettrodi 11 - 14.

Come descritto in un articolo precedente 15 e illustrato nella Figura 2, quando la tensione di gate (gate V) è aumenta, la funzione lavoro dell'elettrodo comune CNT viene diminuita, creando asimmetria dell'elettrodo. Questo impedisce la raccolta foro dal donatore OPV a favore della raccolta di elettroni da accettore del OPV, ei dispositivi accende, passando da fotoresistenza inefficiente in fotodiodo 15 comportamento. Va inoltre notato che l'energia utilizzata per caricare il dispositivo e il potere perso a causa di correnti di dispersione cancello è banale rispetto alla potenza generata dalla cella solare 15. Gating ionico di elettrodi CNT ha un grande effetto sulla funzione lavoro a causa della bassa densità di stati e l'altosuperficie in rapporto al volume di elettrodi CNT. Metodi simili sono stati utilizzati per migliorare una barriera Schottky all'interfaccia di CNT con n-Si 16.

Protocol

1. Indium Tin Oxide (ITO) Patterning e pulizia

NOTA: Utilizzare 15Ω / □ vetro ITO, e l'acquisto o tagliare il vetro ITO in dimensioni adatte per spin coating e fotolitografia. È più efficiente per eseguire i passaggi 1,1-1,7 su un pezzo di vetro più grande possibile, e poi tagliato in piccoli dispositivi. Si noti inoltre che i passaggi 1,1-1,7 richiedono il vetro ITO essere orientato con l'ITO rivolta verso l'alto. Questo può essere controllato facilmente con livello di resistenza di un multimetro.

  1. Cappotto Spin 1 ml di S1813 photoresist positivo sul ITO-lato del vetro ITO ad una velocità di 3.000 rpm per 1 min. Utilizzare più resistere per i più grandi pezzi di vetro, assicurarsi che l'intero vetro è rivestito, ed eliminare eventuali bolle prima di iniziare la verniciatura di spin.
  2. Ricottura resist vetro rivestito, su una piastra calda, a 115 ° C per 1 min.
  3. Caricare il campione e la fotomaschera sul allineatore contatto.
  4. Esporre il photoresist rivestito di vetro ITO per un approtempo dei casi. Il tempo di esposizione è di circa 10 secondi, ma variano questa volta sulla base dell'intensità della lampada UV, tipo di photoresist, e spessore.
  5. Sviluppare i substrati-UV esposti in Developer MF311. Processo automatico di un processore centrifuga produce migliori e più ripetibili risultati, ma lo sviluppo può essere fatto manualmente come seguito.
    1. Immergere il substrato-UV esposto per 1 min nello sviluppatore, seguita da risciacquo in acqua deionizzata (DI) e asciugatura con una pistola azoto. Perché lo sviluppatore perde forza in fretta, sostituire lo sviluppatore tra i campioni, o in alternativa aumentare il tempo di sviluppo in cui il riutilizzo di sviluppo.
  6. Etch i substrati ITO in acido cloridrico concentrato (HCl). Questo richiede tra 5-10 min in funzione della concentrazione di HCl. Sciacquare in acqua deionizzata, asciugare, e verificare la resistività delle parti incise con un multimetro. Se una conducibilità rimane, etch per un tempo più lungo.
  7. Dopo l'attacco, rimuovere il photoresist con acetone. Si noti che pronta rimozione del photoresist residuo impedisce HCl da over-incisione del ITO fantasia.
  8. Se necessario, tagliare i incise ITO substrati di vetro in dimensioni del dispositivo.
  9. Pulire i substrati ITO in un ultrasonicatore bagno in una sequenza di solventi - acqua distillata, acetone, toluene, metanolo, ed infine alcool isopropilico.

2. OPV Fabrication Sub-cell

  1. Preparare P3HT: PC 61 soluzione BM.
    NOTA: Per i risultati più consistenti, preparare le soluzioni in un ambiente di azoto. E 'possibile seguire questa procedura in condizioni ambientali.
    1. Trova e annotare la massa di due pulita, ~ 4 fiala di vetro ml e il berretto, e segnarli con un pennarello indelebile per distinguerli da un altro.
    2. In un vano portaoggetti azoto o argon, trasferire circa 10 mg di poli (3-hexylthiophene-2,5-diil) (P3HT) per una fiala e circa 10 mg di fenil-C 61 -butyric acido metil estere (PC 61 BM) all'altro.
    3. Pesare nuovamente le fiale per trovare la massa del P3HT e PC 61 BM.
    4. Trasferire i flaconcini con P3HT e PC 61 BM in un vano portaoggetti per il resto del processo di fabbricazione soluzione.
    5. Aggiungi un ancoretta magnetica in ciascuna provetta e aggiungere abbastanza clorobenzene per ogni per creare 45 mg / ml soluzione.
    6. Collocare le soluzioni su una piastra calda agitazione magnetica a 55 ° C per circa 2 ore o fino a quando i soluti completa dissoluzione.
    7. Miscelare volumi uguali della P3HT e PC 61 BM soluzioni insieme, e lasciare che il mescolare soluzione mista per un'altra ora prima dell'uso.
  2. Preparare PTB7: PC 71 soluzione BM.
    1. Ripetere i punti da 2.1.1 a 2.1.4 con poly({4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene-2,6-diyl}{3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl}) (PTB7) e fenil-7,1-butirrico estere metilico (PC 71 BM) invece di P3HT e PC61 BM.
    2. Fare una miscela del 3% in volume 1,8-diiodooctane (DIO) in clorobenzene. Questo mix si chiama DIO-CB.
    3. Aggiungere una ancoretta magnetica in ciascuna provetta e aggiungere abbastanza DIO-CB nella fiala PTB7 avere una soluzione 12 mg / ml e abbastanza DIO-CB al PC 71 BM flaconcino di avere un / ml soluzione 40 mg.
    4. Lasciate che queste soluzioni muovono su una piastra riscaldante a 70 ° C per due giorni.
    5. Mescolare le soluzioni in rapporto in peso di PTB7 a PC 71 BM di 1 a 1,5.
    6. Lasciare agitare soluzione mista per un'altra ora a 70 ° C prima dell'uso.
  3. Poli del filtro (3,4-ethylenedioxythiophene): poli (styrenesulfonate) (PEDOT: PSS) attraverso un filtro dimensioni di nylon 0,45 micron pori. Nota: questa procedura utilizza P VP AI4083.
  4. Spin Coat strati attivi.
    1. Inserite il substrato ITO puliti, ITO rivolta verso l'alto, in un pulitore UV-Ozono per 5 min.
    2. Spin-coat 120 ml di PEDOT filtrato: PSS sul UV-ozono trattati, fantasia ITO- substrato di vetros a 3.000 rpm per 1 min. Questo dovrebbe produrre uno strato spesso 30 nm.
    3. Ricottura il PEDOT: substrati ITO PSS rivestiti per 5 minuti a 180 ° C.
    4. Spin-coat 70 ml di P3HT misto: PC 61 BM soluzione su PEDOT: PSS rivestito ITO substrati a circa 1000 rpm per 1 min. Variare la velocità come necessario per depositare uno strato attivo di spessore 200 nm.
    5. Ricottura il P3HT: substrati PC 61 BM rivestito a 170 ° C per 5 min. I risultati possono variare dalla temperatura di ricottura ottimale.
    6. Spin-coat 70 ml di PTB7 misto: PC 71 BM soluzione su PEDOT: PSS rivestito ITO substrati a circa 700 rpm per 1 min. Variare la velocità come necessario per depositare uno strato attivo di spessore 100 nm.
    7. Caricare il PTB7: PC 71 BM substrati rivestiti in alto vuoto (<2 x 10 -6 Torr) camera per rimuovere DIO residuo. In genere, lasciare i campioni nella camera di O / N.

3. Realizzare il dispositivo Tandem

<ol>
  • Elettrodi in laminato CNT.
    1. Tagliare i substrati PTB7 e P3HT a metà per creare un dispositivo in tandem. Un modello ITO specializzata non richiederebbe questo passaggio. Il modello ITO dovrebbe avere almeno due parallele ITO Elettrodi estende da un bordo ad un mm dalla altra.
    2. Innanzitutto preparare il PTB7 e substrati rivestiti P3HT pulendo via polimero e PEDOT dai bordi del vetro, ed esporre la striscia ITO che verrà utilizzato come elettrodo comune come visto nel primo pannello di figura 1.
    3. Laminato l'elettrodo comune CNT sulla parte superiore degli elettrodi PTB7 e P3HT. Applicare un film SWCNT posizionando il lato CNT della carta da filtro sul dispositivo, premendo leggermente, quindi peeling la carta da filtro di distanza. Ciò è mostrato nel secondo pannello di figura 1.
    4. Densificare l'elettrodo CNT sulla superficie applicando metossi-nonafluorobutane (C 4 F 9 OCH 3) (HFE) e rivestendo CNT con una piccola amount del liquido e poi lasciare asciugare le superfici.
    5. Eliminare il polimero e CNT sopra l'ITO e vetro che avrà l'elettrodo di gate, come mostrato nel terzo pannello di figura 1. Rimuovere tutto il polimero dal vetro per evitare perdite cancello con una lama di rasoio.
    6. Laminato l'elettrodo di gate CNT sulla zona pulita dei substrati PTB7 e P3HT rivestiti. Laminato la MWCNT tirando dal bordo della foresta MWCNT con una lametta e lasciare che il foglio di stare liberamente tra alcuni tubi capillari. Passare il dispositivo attraverso il foglio indipendente di laminare il CNT sul dispositivo. L'elettrodo di gate deve avere 2-3 volte il numero di strati di cui sull'elettrodo comune.
    7. Densificare l'elettrodo di gate con HFE.
  • Inserite una piccola goccia (≈10 ml) di liquido ionico, N, N -Diethyl- N -methyl- N - (2-metossietil) tetrafluoroborato ammonio, DEME BF-4, in cima a entrambi i CNT elettrodi di unadei substrati.
  • Posizionare con cura il substrato senza liquido ionico sulla parte superiore del substrato con liquido ionico con gli elettrodi comuni e porta uno sopra l'altro,. Questo è mostrato in ultimo pannello di figura 1.
  • Inserire un fotomaschera con una dimensione di apertura inferiore alla dimensione elettrodo sopra l'area attiva. Utilizzare piccole clip per tenere la fotomaschera in posizione e tenere il dispositivo insieme durante il test.
  • 4. Misurare il dispositivo

    1. Trasferire il dispositivo nel vano portaoggetti di misura.
    2. Effettuare i collegamenti elettrici.
      1. Collegare la tensione di gate di alimentazione tra l'elettrodo comune e l'elettrodo di gate con il comune terreno.
      2. Collegare i due anodi ITO ai fili che sono collegati ad un interruttore che permette la selezione di uno o di entrambi gli anodi anodo.
      3. Collegare l'uscita del sensore all'ingresso dell'unità di misura di origine.
      4. Collegare la massa dei meas di origineUnità ure all'elettrodo comune.
    3. Misurare le caratteristiche del dispositivo IV ripetendo le seguenti operazioni per ascendente V Gate.
      1. Impostare V Cancello al valore successivo, a partire dal V Porta = 0 V a V gate = 2 V con incrementi di 0,25 V.
      2. Attendere 5 minuti o fino a quando la corrente di gate è stabilizzata. Idealmente, la corrente di gate dovrebbe stabilizzarsi intorno 10s di nanoampere.
      3. Impostare l'interruttore di entrambe le sotto-cellule.
      4. Aprire l'otturatore della lampada.
      5. Eseguire una scansione di tensione sull'unità misura fonte da volt -1 a +1 volt a circa 100 incrementi o più.
      6. Eseguire una scansione di tensione da +1 a -1 volt volt.
      7. Chiudere l'otturatore della lampada.
      8. Eseguire di nuovo le spazzate di tensione.
      9. Impostare l'interruttore al sub-cellulare di fronte.
      10. Ripetere i passaggi da 4.3.4 a 4.3.8.
      11. Impostare l'interruttore al sub-cellulare di nuovo.
      12. Ripetere i passaggi da 4.3.4 a 4.3.8.
    4. Calcolare i parametri del dispositivo. <ol>
    5. Trova la corrente di corto circuito (J SC) di ogni sub-cellulare a ciascun V gate trovando la corrente prodotta dal dispositivo quando la tensione ai capi del sub-cellula è 0 V.
    6. Trova la tensione a circuito aperto (V OC) di ogni sub-cellulare a ciascun V gate trovando la tensione prodotta dal dispositivo quando la corrente attraverso il sub-cellula è 0 A.
    7. Trova la potenza massima della cella solare moltiplicando ogni valore di tensione con ciascun valore di corrente e selezionando il valore massimo (più negativo). Ciò presuppone che si misura Corrente negativo fotografico generati.
    8. Trova l'efficienza di conversione di potenza (η) dividendo la potenza massima per la potenza della luce di ingresso.
    9. Trova il fattore di riempimento (FF) dividendo la potenza massima dal prodotto di J SC e V OC.

    Representative Results

    Un dispositivo in tandem formato da polimeri, in particolare polimeri di significativamente differenti band gap, diversa è di interesse pratico in quanto questi dispositivi possono assorbire la più vasta gamma spettrale della luce. In questa struttura di dispositivo, il sub-cellulare PTB7 è la cella posteriore e P3HT è il sub-cellulare anteriore. Questo ha lo scopo di assorbire la maggior quantità di luce come sub-cellulare P3HT è in gran parte trasparente alla luce lunghezza d'onda assorbita dalla sub-cellulare PTB7. Per motivi di chiarezza, i parametri di cella solare, V OC, J SC, FF, e η sarà decorato con un apice T, F, B o in riferimento al tandem, anteriore o posteriore cellule rispettivamente. La tabella 1 mostra le abbreviazioni .

    Una lista di curve di corrente e di tensione per il dispositivo è illustrato nella figura 3, e parametri di cella solare estratto in Figura 4. Si osserva che il sub-cellulare PTB7(Indietro) acceso ad un V gate molto inferiore a quello sub-cellulare P3HT (anteriore). La figura 4 mostra che la cellula PTB7 comincia a girare su ON a V Porta = 0,5 V e picchi intorno V Porta = 1.5 V. Il sub anteriore -cell mostra segni di accendere intorno V Porta = 1.0 V, ma non si accende completamente ON sotto V Porta = 2.0 V. V T OC e FF T imitare il comportamento del sub-cellulare peggio, essendo leggermente superiore a quello del sub anteriore -cell per V gate <2.0 V e leggermente superiore alla cella posteriore per V gate> 2.0 V. J T SC è di gran lunga inferiore alla somma dei J F SC e J B SC per V gate <1,5 V, dopo di che il punto Inoltre corrente è abbastanza buono. η T è inferiore al maggiore di η B F o η per tutti V cancello se non a 1,5 V.

    I poveri aggiunta di corrente e di EFFICIENZAy per bassa V Porta sembra essere dovuto alla recitazione sub-cellulare di fronte come uno shunt nel suo stato OFF. Ciò si vede dalle curve altamente lineari della cella anteriori e tandem a V gate = 1,5 V nella figura 3. Al contrario, dopo la PTB7 posteriore cella è degradata, (a V gate = 2,25 V), mantiene ancora una caratteristica del diodo , come mostrato dalla curva di figura 3, e quindi non agisce come uno shunt. Ciò si traduce in aggiunta J SC, ma V T OC, FF T e T η sono ridotti a causa della bassa OC V B. Mentre il processo trae robustezza dalla sua semplicità, ci sono variazioni dovute alla lavorazione manuale e da lotto a lotto variazioni di materiali. Ciò può provocare spostamenti in volta sulla tensione di ± 0,25 V e la massima efficienza di ± 0,5%. Questa variazione può essere diminuita con un processo più automatizzato.

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    Figura 1. Tandem processo di progettazione del dispositivo. Il processo di fabbricazione e di laminazione utilizzato nella costruzione del OPV tandem ionicamente-dipendenti, con le frecce raffiguranti la sequenza. Uno schema della struttura del dispositivo finale è mostrato nell'angolo in basso a sinistra. Clicca qui per vedere una versione più grande di questa figura.

    Figura 2
    Figura 2. banda periferica tandem e schema elettrico. Il diagramma approssimativa banda del dispositivo in tandem è mostrata sul lato lungo lo schema elettrico del dispositivo. Le regioni ombreggiate con le frecce sugli elettrodi CNT mostrano lo spostamento della funzione di lavoro. Le linee continue ed elementi circuitali seguenti mostrano le connessioni elettriche.jove.com/files/ftp_upload/52380/52380fig1large.jpg "target =" _ blank "> Clicca qui per vedere una versione più grande di questa figura.

    Figura 3
    Figura 3. selezionati curve IV. IV curve di Porta V (1,5 V), in cui la parte posteriore (PTB7) cella mostra le sue migliori prestazioni e una maggiore V Gate (2,25 V), in cui la parte anteriore (P3HT) cella mostra le migliori prestazioni . 'T' e cerchi indicano la curva tandem, 'F' e piazze della parte anteriore, e 'B' e triangoli sul retro.

    Figura 4
    Figura 4. Parametri del dispositivo. Parametri solari cellulari estratte da misurazioni IV da V = 0,5 V Porta a Porta V = 2,25 V. 'T' e nero piazzeindicare la curva tandem, 'F' e triangoli blu sul davanti, e 'B' e cerchi rossi sul retro. Le linee tratteggiate mostrano risultati decrescente tensioni scansioni del dispositivo OPV mentre le linee continue indicano i risultati ascendenti.

    OPV Parametro Sub-cell misurata
    Tandem Anteriore Indietro
    V OC V T OC V F OC V B OC
    J SC J T SC J F SC J B SC
    FF FF T FF F FF B
    η η T η F η B

    Tabella 1. abbreviazioni dei parametri. Ricapitolati abbreviazioni dei parametri delle cellule solari. Apici, T, F e B denotano tandem, anteriore e posteriore, rispettivamente.

    Discussion

    I risultati evidenziano alcune considerazioni durante la progettazione di celle solari tandem parallelo. In particolare, se una delle sotto-cellule ha un rendimento scarso, le prestazioni in tandem influenzato negativamente. I risultati mostrano che ci sono due effetti principali. Se un sub-cellulare è in corto, ad esempio, mostra un comportamento ohmico, la FF T non sarà superiore al FF del sub-cellulare male. J T SC e V T OC saranno interessati in modo simile. Questo è il caso quando V Gate è bassa e la sub-cellulare P3HT non è acceso.

    Al contrario, se un sub-cellulare ha buone proprietà di diodi, ma a basso V OC o J SC, allora J T SC è quasi la somma di J F SC e J B SC. Tuttavia, se vi è una grande differenza tra ogni V OC sub-cellulare, allora V T OC è quasi equivalente al minor V OC. Questa performance è dimostrato whit V Gate è alta e la cella PTB7 si è spento. Il η T può essere leggermente più elevata nel caso, ma è ancora probabile che sia inferiore a quella del più sub-cellulare solo.

    Il sub-cellulare di nuovo accendere prima del sub-cellulare di fronte è stato inaspettato, come le sotto-cellule condividere elettrodi di gate e comuni. La funzione di lavoro del loro catodo, e quindi il grado di asimmetria dell'elettrodo tra ITO e catodo, devono essere identiche. Inoltre, la sub-cellulare indietro mostra un OC V maggiore della sub-cellulare anteriore e dovrebbe richiedere una maggiore asimmetria dell'elettrodo rispetto alla funzione di sub-cellulare di fronte, e quindi una grande V gate lavorare prima di accendere.

    Dato il livello HOMO inferiore del polimero PTB7, è possibile che la soppressione del foro di iniezione / estrazione avviene più rapidamente in PTB7, e quindi il dispositivo si accende a V gate più bassa. Altri effetti da considerare sono il fatto che è un PTB7copolimero, che è un polimero costituito da unità alternata donatore e accettore. Questo può avere un impatto sui dipoli interfaccia generati tra il polimero e l'elettrodo comune CNT.

    La procedura descritta in questo testo si applica alle applicazioni che aderiscono ai seguenti vincoli. Il materiale attivo semiconduttore non deve essere solubile o influenzati negativamente dai materiali ionici. Nel caso di emissione di luce o di dispositivi fotovoltaici, gli strati anodo e semiconduttori non dovrebbero essere opachi nelle stesse regioni spettrali. Dati questi vincoli, è possibile applicare queste tecniche di diodi organici emettitori di campo, organico transistori ad effetto e dispositivi inorganici simili.

    In conclusione, il metodo di fabbricazione del dispositivo tandem parallelo che possiede vantaggi rispetto ai metodi tradizionali di lavorazione è descritta. Il metodo richiede alcuna elaborazione di vuoto, è scalabile, può essere eseguita in condizioni ambientali,ed ogni strato attivo è fabbricata in maniera ottimale, riducendo l'incidenza di pantaloncini e semplificare l'elaborazione. Caratteristiche salienti sono identificati nel funzionamento dei tandem OPV parallele. Mentre le efficienze complessive sono un po 'bassa, ulteriori miglioramenti possono essere fatti ottimizzando strati fotoattivi ed elettrodi CNT. Inoltre, se sub-cellulare acceso contemporaneamente, un η T oltre il 3% sarebbe osservata.

    Materials

    Name Company Catalog Number Comments
    Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly-(styrenesulfonate) Heraeus Clevios PVP AI 4083
    poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl)  Rieke Metals  Inc. P3HT:  P200
    phenyl-C61-butyric  acid methyl  ester 1- Material PC61BM
    Poly({4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b′]dithiophene-2,6-diyl}{3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl})  1- Material PTB7
    phenyl-C61-butyric acid methyl  ester Solenne PC71BM
    1,8-Diiodooctane Sigma Aldrich 250295
    Chlorobenzene Sigma Aldrich 284513
    Indium Tin Oxide Coated Glass 15 Ohm/SQ Lumtec
    S1813 UTD Cleanroom
    MF311 UTD Cleanroom
    HCl UTD Cleanroom
    Acetone Fisher Scientific A18-20
    Toluene Fisher Scientific T323-20
    Methanol BDH BDH1135-19L
    Isopropanol Fisher Scientific A416-20
    CEE Spincoater Brewer Scientific http://www.utdallas.edu/research/cleanroom/tools/CEESpinCoater.htm
    Contact Printer Quintel Q4000-6 http://www.utdallas.edu/research/cleanroom/QuintelPrinter.htm
    CPK Spin Processor http://www.utdallas.edu/research/cleanroom/tools/CPKsolvent.htm
    Spin Coater Laurell WS-400-6NPP/LITE
    Name Company Catalog Number Comments
    Glove Box M-Braun Lab Master 130
    Solar Simulator Thermo Oriel/Newport
    Keithley 2400 SMU Keithley/Techtronix 2400
    Keithley 7002 Multiplexer Keithley/Techtronix 7002
    Ultrasonic Cleaner Kendal HB-S-49HDT
    Micropipette Eppendorf 200 µl

    DOWNLOAD MATERIALS LIST

    References

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    Metodo ambiente per la produzione di un ionicamente Gated Nanotubi di carbonio catodo comune in celle solari tandem Organic
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    Cook, A. B., Yuen, J. D., Micheli, J. W., Nasibulin, A. G., Zakhidov, A. Ambient Method for the Production of an Ionically Gated Carbon Nanotube Common Cathode in Tandem Organic Solar Cells. J. Vis. Exp. (93), e52380, doi:10.3791/52380 (2014).More

    Cook, A. B., Yuen, J. D., Micheli, J. W., Nasibulin, A. G., Zakhidov, A. Ambient Method for the Production of an Ionically Gated Carbon Nanotube Common Cathode in Tandem Organic Solar Cells. J. Vis. Exp. (93), e52380, doi:10.3791/52380 (2014).

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