Summary
Apresentamos um método detalhado para fabricar filmes cor ultra-fino com características melhoradas para revestimentos ópticos. A técnica de deposição de ângulo oblíquo usando um evaporador de feixe de elétrons permite pré-definido de cor melhorada e pureza. Filmes fabricados de Ge e Au em substratos de Si foram analisados por medições de reflectância e conversão de informação de cor.
Abstract
Estruturas de filmes ultrafinos têm sido estudadas extensivamente para uso como revestimentos ópticos, mas permanecem desafios desempenho e fabricação. Apresentamos um método avançado para fabricar filmes cor ultra-fino com características melhoradas. O processo proposto aborda várias questões de fabricação, incluindo o processamento de grande área. Especificamente, o protocolo descreve um processo para a fabricação de filmes ultrafinos cor usando um evaporador de feixe de elétrons para deposição de ângulo oblíquo de ouro (Au) em substratos de silício (Si) e germânio (Ge). Porosidade de filme produzida pela deposição ângulo oblíquo induz mudanças de cor no filme ultra-fino. O grau de mudança de cor depende de fatores como espessura de filme e ângulo de deposição. Fabricado com amostras dos filmes ultrafinos cor mostrou pré-definido de cor melhorada e pureza de cor. Além disso, a reflectância medida das amostras fabricadas foi convertida em valores cromáticos e analisada em termos de cor. Nosso filme ultra-fino, método de fabricação é esperado para ser usado para diversas aplicações de filme ultra-fino como eletrodos cor flexíveis, células solares de película fina e filtros ópticos. Além disso, o processo desenvolvido aqui para analisar a cor das amostras fabricadas é amplamente útil para estudar várias estruturas de cor.
Introduction
Em geral, o desempenho de revestimentos ópticos de película fina é baseado no tipo de interferência ótico que eles produzem, tais como alta reflexão ou transmissão. Em filmes-dielétricos finos, interferência ótico pode ser obtida simplesmente, satisfazendo as condições tais como a espessura de onda trimestre (λ/4n). Princípios de interferência têm sido muito utilizados em diversas aplicações ópticas como interferômetros de Fabry-Perot e distribuído Bragg refletores1,2. Nos últimos anos, película fina, estruturas usando materiais absorventes como metais e semicondutores têm sido amplamente estudados3,4,5,6. Forte interferência ótico pode ser obtida por filme fino revestimento de um material semicondutor absorvente em uma película do metal, que produz mudanças de fase não-trivial nas ondas refletidas. Este tipo de estrutura permite revestimentos ultra-fino que são consideravelmente mais finos do que o dielétricos revestimentos de película fina.
Recentemente, estudamos formas de melhorar o pré-definido de cor e pureza de cor altamente absorvente fino-filmes usando porosidade7. Ao controlar a porosidade do filme depositado, o índice de refração eficaz do meio de filme fino pode ser alterado8. Esta mudança no índice de refração eficaz permite que as características óticas de ser melhorado. Baseado neste efeito, nós projetamos filmes ultra finos de cor com diferentes espessuras e porosidades por cálculos usando onda acopladas rigorosa análise (RCWA)9. Nosso projeto apresenta cores com espessuras de filme diferente em cada porosidade7.
Utilizamos um método simples, deposição de ângulo oblíquo, para controlar a porosidade de revestimentos de película fina altamente absorventes. Basicamente, a técnica de deposição de ângulo oblíquo combina um sistema de deposição típica, como um evaporador do feixe de elétron ou evaporador térmica, com um substrato inclinado10. O ângulo oblíquo de fluxo incidente cria sombreamento atômica, que produz áreas que o fluxo de vapor não pode atingir diretamente o11. A técnica de deposição de ângulo oblíquo foi amplamente utilizada no revestimento de película fina vários aplicativos12,13,14.
Neste trabalho, detalhamos os processos para a fabricação de filmes ultrafinos cor pela deposição oblíqua usando um evaporador de feixe de elétrons. Além disso, métodos adicionais para processamento de grande área são apresentados separadamente. Além das etapas do processo, algumas notas que devem ser tomadas em consideração durante o processo de fabricação são explicadas em detalhes.
Revisamos também processos de medição do coeficiente de reflexão das amostras fabricadas e convertê-los em informações de cores para análise, para que possam ser expressos nas coordenadas de cor CIE e RGB valores15. Além disso, algumas questões a serem consideradas no processo de fabricação de filmes ultra finos coloridos são discutidos.
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Protocol
Atenção: alguns produtos químicos (i.e., tamponada óxido ácido, álcool isopropílico, etc.) utilizados neste protocolo podem ser perigosos para a saúde. Por favor consulte todas as fichas de dados de segurança antes de qualquer preparação de amostra tem lugar. Utilizar equipamento de protecção adequado (por exemplo, aventais, óculos de segurança, luvas, etc) e controles (por exemplo, a estação molhada, fume hood, etc.) de engenharia ao manusear ácidos e solventes.
1. preparação do substrato Si
- usando um cortador de diamante, corte um wafer de silício (Si) de 4 polegadas em 2 x 2 cm quadrados de tamanho. Para fazer amostras coloridas, o substrato é normalmente cortado 2 cm x 2 cm, mas pode ser maior, dependendo do tamanho do porta-amostras utilizado para deposição de ângulo oblíquo.
- Para remover o óxido nativo usando dipper de politetrafluoretileno (PTFE), mergulhe os substratos de Si clivada em buffer óxido ácido (BOE) para 3 s. atenção: por favor, use uma protecção adequada segurança.
- Limpar os substratos de Si clivados sequencialmente em acetona, álcool isopropílico (IPA) e deionizada (DI) para 3 s cada.
- PTFE usando limpeza jig, proceda à sonicação os substratos de Si clivados com acetona em um banho ultra-sônico para 3 min com uma frequência de 35 kHz.
- Para remover a acetona, enxagúe os substratos de Si clivados com IPA.
- Como a última etapa da limpeza, enxaguar os substratos de Si clivados com água DI.
- Para remover a umidade, secar o substrato limpo com uma arma de sopro de nitrogênio, mantendo-se com fórceps.
2. Deposição do refletor Au
- usando fórceps e carbono fita, consertar os substratos de Si limpados em um porta-amostras plana e coloque o suporte para a câmara do evaporador do feixe de elétron com fontes de Ti e Au.
- Evacuar a câmara por 1h alcançar o alto vácuo. A pressão de base da câmara de vácuo deve ser 4 x 10 -6 Torr.
- Depósito a camada de Ti como uma camada de aderência para uma espessura de 10 nm, com 5-7% dos elétrons do feixe poder controlado no modo manual em uma tensão DC de 7.5 kV, que dá uma taxa de deposição de 1 Å / SEC.
Nota: Uma camada de Cr da mesma espessura, em vez de uma camada de Ti, pode ser depositada como camada de aderência. - Depósito a camada de Au como uma camada de reflexão para uma espessura de 100 nm com 13-15% dos elétrons do feixe poder controlado no modo manual em uma tensão DC de 7.5 kV, que dá uma taxa de deposição de 2 Å / SEC.
Nota: A espessura da camada de reflexão Au pode ser maior que 100 nm. Uma espessura de 100 nm é depositado aqui para tornar a camada de reflexão tão finas quanto possível, mantendo as propriedades óticas da UA.
Deposição de camada de - após o Au, a câmara de ventilação e tirar as amostras. Eles precisarão ser recarregado com o titular da amostra inclinada para a deposição de ângulo oblíquo.
3. Preparação do porta-amostras inclinado para deposição de ângulo oblíquo
Nota: existem vários métodos que podem ser usados para deposição oblíqua, tais como o giro do eixo z chuck 16, mas isso requer filmes e modificação de equipamento somente podem ser depositadas em um ângulo de cada vez. Para eficientemente observar as alterações na cor produzido por ângulos diferentes de deposição, usamos os titulares de amostra que inclinado as amostras em diferentes ângulos. Para precisão, o porta-amostras inclinado pode ser feito usando equipamento de processamento de metal. No entanto, neste trabalho, apresentamos um método simples que pode ser facilmente seguido.
- Preparar uma placa de metal, feita de um metal facilmente dobrável como alumínio.
- Cortar a placa de metal em pedaços 3 2 cm x 5 cm.
- Corrigir o pedaço de metal no chão ao lado de um transferidor, segure o lado mais curto e dobrar o metal para o ângulo desejado deposição (ou seja, 30 °, 45 ° e 70 °).
- Anexar as peças de metal dobradas para o titular da amostra 4 polegadas usando fita de carbono.
4. Ângulo oblíquo deposição de camada de Ge
Nota: nesta seção, consulte os Diagramas esquemáticos em Figura 1 das amostras depositadas sobre a amostra inclinado e os filmes de Ge porosas, seguindo oblíqua ângulo de deposição.
- Corrigir as quatro amostras de Au depositado com fita de carbono para uma porta-amostras inclinado em ângulos de 0°, 30°, 45° e 70°, respectivamente.
- Carregar as amostras Au-depositado no porta-amostra inclinada para o evaporador de feixe de elétrons com uma fonte de Ge para deposição de ângulo oblíquo.
- Evacuar a câmara por 1h alcançar o alto vácuo. A pressão de base da câmara de vácuo deve ser 4 x 10 -6 Torr.
- Depositar a camada de Ge como uma camada de coloração com 6-8% da potência de feixe de elétron controlada no modo manual em uma tensão DC de 7.5 kV, que dá uma taxa de deposição de 1 Å/seg. As espessuras de deposição da camada de Ge em quatro amostras são 10 nm, 15 nm, 20 nm e 25 nm, respectivamente.
Nota: As deposição espessuras de 10 nm, 15 nm, 20 nm e 25 nm foram selecionados para facilitar a comparação das alterações de cor para cada ângulo de deposição. Um ângulo diferente e a espessura (5-60 nm) podem ser escolhidos para atingir uma determinada cor. - Deposição de camada após a Ge, a câmara de ventilação e tirar as amostras.
5. Processo de deposição de ângulo oblíquo para grandes áreas
Nota: se o tamanho da amostra utilizada para deposição de ângulo oblíquo é pequeno, podem ser fabricado pelo processo detalhado na etapa 4. No entanto, se o tamanho da amostra a ser fabricados é grande, torna-se difícil manter a uniformidade do filme devido à variação do fluxo de evaporação ao longo do eixo z 16. Portanto, um processo adicional separado, passo 5, é necessário para fabricar amostras maiores e atingir uma cor uniforme.
- Para um 2 polegadas bolacha, depois de depositar a camada Au na amostra grande na etapa 2, consertar a amostra grande Au-depositado no suporte de amostra inclinada 45°.
Nota: Desde que o nossa porta-amostras inclinado é projetada para caber pequenas amostras, carregar amostras grandes em todos os os ângulos (i.e., 0 °, 30 °, 45 ° e 70 °) criará interferências entre as amostras. Portanto, para depositar obliquamente amostras de grande porte em diversos ângulos em um processo, é necessário ter um porta-amostras inclinado adequado para amostras de grande porte. - Carregar a amostra grande Au-depositado no porta-amostra inclinada para o evaporador de feixe de elétrons com uma fonte de Ge para deposição de ângulo oblíquo.
Nota: Ao carregar a amostra, a segunda camada de deposição deve ser depositado na mesma direção que o primeiro depoimento, então Observe a direção da amostra carregada. Para sua conveniência, é recomendável que o titular da amostra é carregado de virada para a frente da câmara. - Evacuar a câmara por 1h para alcançar o alto vácuo. A pressão de base da câmara de vácuo deve ser 4 x 10 -6 Torr.
- Depositar a camada de Ge como uma camada de coloração para uma espessura de deposição de 10 nm, que é metade da espessura da alvo de 20 nm, com 6-8% da potência de feixe de elétron controlada no modo manual em uma tensão DC de 7.5 kV, que dá uma taxa de deposição de 1 Å / SEC.
- Após a deposição da primeira camada Ge é terminada, a câmara de ventilação e tirar a amostra, porque a amostra precisa ser reposicionado e recarregado.
- Corrigir a amostra para o titular da amostra inclinada em uma posição que é de cabeça para baixo em relação à posição da primeira deposição.
- Carregar a amostra no porta-amostra inclinada com a fonte de Ge, para que o titular enfrenta na mesma direção que o primeiro depoimento.
- Evacuar a câmara por 1h alcançar o alto vácuo. A pressão de base da câmara de vácuo deve ser 4 x 10 -6 Torr.
- Depositar a camada de Ge como uma camada de coloração para uma espessura de deposição de 10 nm, que é metade da espessura da alvo de 20 nm, com 6-8% da potência de feixe de elétron controlada no modo manual em uma tensão DC de 7.5 kV, que dá uma taxa de deposição de 1 Å / SEC.
- Deposição de camada após a Ge, a câmara de ventilação e tirar a amostra.
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Representative Results
Figura 2a mostra imagens das amostras de 2 x 2 cm fabricado. As amostras foram fabricadas para que os filmes tinham espessuras diferentes (ou seja, 10 nm, 15 nm, 20 nm e 25 nm) e foram depositados em ângulos diferentes (ou seja, 0 °, 30 °, 45 ° e 70 °). A cor das alterações dependendo da combinação de ambos a espessura das amostras e o ângulo de deposição de filmes depositados. As alterações na cor resultam de mudanças na porosidade do filme. Dependendo do ângulo de deposição, inclinados matrizes de nano-colunas individuais são criados sobre o substrato, como mostrado nas imagens SEM esquerda da Figura 2. Partir dos resultados experimentais, pode ser visto que em ângulos de deposição mais altos, a mudança de cor para cada ângulo de deposição é menos pronunciada.
Figura 2b mostra os resultados das medições de reflectância das amostras fabricadas. A cor é alterada por uma mudança no molho mínimo de reflectância. Como mostra a mudança de cor na Figura 2a, o mergulho de reflexão deslocou-se lentamente em ângulos de deposição mais altos. Com espessura de camada cada Ge, o mergulho de reflexão muda com o ângulo de deposição. A cor é alterada por estes deslocamentos em molho de reflexão.
Para analisar as amostras fabricadas a partir de uma perspectiva de cor, as medida refletâncias precisam ser convertidas para valores cromáticos. Para conversão de valores cromáticos, nos nossos cálculos, a função de observador padrão CIE 1931, o mais comumente usado a função de combinação de cores, foi empregada13. No cálculo, a reflectância medida é multiplicada pela função como uma distribuição de potência espectral de combinação de cores. Figura 3a demonstra a resposta espectral com a cor correspondente a função de reflexão medido de amostras com ângulos diferentes de deposição (ou seja, 0 °, 30 °, 45 ° e 70 °) e uma espessura de camada de Ge de 15 nm. Ao integrar estas respostas espectrais, os valores do tristimulus de X, Y e Z, que são os parâmetros básicos para expressar informações de cores, podem ser obtidos. As coordenadas de cor CIE, a cromaticidade de cor é especificada pelos parâmetros derivados dois x e y e os valores normalizados de todos os três valores tristimulus utilizando as seguintes equações:
Baseado nestas equações, Figura 3b mostra a cromaticidade de amostras com ângulos diferentes de deposição no sistema de coordenadas CIE.
Figura 4a mostra os valores cromáticos, após terem sido convertidos da reflectância medida na Figura 3a para o sistema de coordenadas de cor CIE. Para comparação, os resultados calculados também foram plotados, como mostrado pelas linhas tracejadas. No cálculo, os índices eficazes da Ge foram calculados com base nas porosidades esperadas para cada ângulo de deposição7. Em seguida, usando estes índices eficazes, os valores de reflectância foram calculados pela onda acopladas rigorosa análise (RCWA)9. Comparados usando o sistema de coordenadas CIE, os resultados experimentais foram equilibrados para os resultados calculados.
Comparando-se os intervalos de valores cromáticos das amostras, as amostras com ângulos de deposição alta exibiram uma gama cromática mais ampla. Isto significa que a gama de expressões de cor foi ampla, com maior pureza de cor. A maior pureza de cor em ângulos de deposição mais altas é atribuída à redução do reflexo superfície resultantes da maior porosidade devido à deposição em ângulos maiores.
As informações de cor convertidas de reflexão podem ser convertidas em valores RGB para representar cores15. Figura 4b mostra a representação de cor depois de converter as informações de cor da reflectância medida das amostras em valores RGB. As fotografias podem não representar fielmente as verdadeiro amostras de cores, devido a diferenças na iluminação ou outras condições, mas a tendência global em mudança da cor da amostra a amostra pode ser vista.
A Figura 5 mostra imagens das amostras fabricadas em uma bolacha de 2 polegadas, utilizando o processo da grande área. Quando uma grande amostra de fabricação, a espessura depositada difere dependendo da posição da superfície. Uma solução para este problema é executar a deposição em duas etapas, conforme detalhado na etapa 5 do protocolo. A primeira camada, com a metade da espessura desejada, é depositada em um ângulo de deposição positiva, e a segunda metade é depositada em um ângulo de deposição negativo. Desta forma, depositando-se em ângulos positivos e negativos, as diferenças de espessura irão compensar um ao outro, e uma espessura uniforme pode ser obtida.
Nossos destinos foram 20 nm e espessura de 40 nm em um ângulo de deposição de 45°, no entanto, os resultados mostraram os depósitos mais grossos. Isso ocorre porque a espessura média compensada formou-se na direção vertical em uma posição mais próxima à fonte de que o titular de amostra16. Assim, quando a fabricação em grande escala usando este método, deve presumir-se que o filme depositado será mais espesso do que a espessura do alvo.
A Figura 6 mostra imagens de amostras fabricadas em ângulos de visão diferentes e reflectância medida em diferentes ângulos incidentes. Como mostrado nas imagens, há pequena mudança de cor com base nos ângulos de visualização. Os mergulhos mínimos dos valores de reflectância medidos em diferentes ângulos também dificilmente foram deslocados pelos ângulos incidentes. Basicamente, como estes revestimentos são muito mais finos do que os comprimentos de onda da luz incidente, há pouca diferença de fase, resultante do aumento do ângulo de incidência em comparação com o caso da incidência normal.
Figura 1 : Diagramas esquemáticos de (um) as amostras depositadas sobre a amostra inclinado e os filmes de Ge porosas (b) criado pela deposição ângulo oblíquo. Clique aqui para ver uma versão maior desta figura.
classe = "xfig" > Figura 2: (um) imagens das amostras fabricadas em ângulos diferentes de deposição (ou seja, 0 °, 30 °, 45 ° e 70 °) com diferentes espessuras de Ge (ou seja, 10 nm, 15 nm, 20 nm, 25 nm e 100 nm). À esquerda, escala de cinza figuras mostrar imagens de microscopia, correspondentes às amostras com espessura de Ge de 200 nm para melhor Visualizar a morfologia. Barra de escala = 100 nm. (b) medido espectros de reflectância para cada espessura de Ge (ou seja, 10 nm, 15 nm, 20 nm e 25 nm) com ângulos diferentes de deposição (ou seja, 0 °, 30 °, 45 ° e 70 °). Clique aqui para ver uma versão maior desta figura.
Figura 3 : (uma) resposta cromática dos valores do tristimulus e (b), a trama CIE com ângulos diferentes de deposição (ou seja, 0 °, 30 °, 45 ° e 70 °) em uma espessura de Ge de 20 nm. Clique aqui para ver uma versão maior desta figura.
Figura 4 : (um) cromática valores as coordenadas CIE dos valores medidos de reflectância das amostras fabricadas, mostrando os resultados calculados. (b) representação de cor baseada nas medida refletâncias das amostras fabricadas. À esquerda, escala de cinza figuras mostrar imagens de microscopia, correspondentes às amostras com espessura de Ge de 200 nm para melhor Visualizar a morfologia. Barra de escala = 100 nm. Esta figura tem sido reproduzida de 7 com permissão da Real Sociedade de química. Clique aqui para ver uma versão maior desta figura.
Figura 5 : Imagens de amostras fabricadas em bolacha de 2 polegadas com espessuras diferentes Ge de (um) 20 nm e (b) 40 nm em um ângulo de deposição de 45 °.
Figura 6 : Imagens com diferentes ângulos de visão de 5° a 60° e espectros de reflectância medido em ângulos oblíquo de 20° a 60° de fabricaram amostras com (um) uma espessura de Ge de 15 nm em um ângulo de deposição de 0 °, (b), uma espessura de Ge de um 25 nm em um depoimento um gle 70 °. Esta figura tem sido reproduzida de Y. J. Yoo et al 7, com a permissão da Real Sociedade de química.
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Discussion
Em revestimentos de película fina convencional para coloração3,4,5,6, a cor pode ser controlada alterando materiais diferentes e ajustar a espessura. A escolha de materiais com diferentes índices de refracção é limitada para tuning várias cores. Para relaxar esta limitação, nós explorada a deposição de ângulo oblíquo para o revestimento de película fina de cor. Dependendo do ângulo de deposição, a porosidade da camada é alterada pelo atômico o Ge sombreamento11, conforme mostrado na Figura 1b. A porosidade aplicada para a película fina Ge provoca uma mudança no índice de eficaz do Ge camada7. A mudança de fase da luz no meio de Ge propagação varia com a mudança do índice eficaz pela deposição ângulo oblíquo. Como resultado, a cor muda com condições diferentes de interferência nos comprimentos de onda visíveis. Especialmente em nossos filmes ultra finos de cor, o baixo índice de eficaz em um ângulo de deposição altamente oblíquo reforçada a pureza da cor com baixa reflexão de superfície e o pré-definido com uma mudança de fase a menores.
Em nosso protocolo, passo 4 é o processo mais crítico para a coloração. Para executar com êxito o passo 4, considere que a qualidade do filme é um fator crítico na coloração de ótica do revestimento de película fina. A qualidade do filme pode mudar o índice de refração e sutilmente afeta a coloração. A qualidade do filme depende da natureza e condições do equipamento de deposição. No nosso caso, um evaporador de feixe de elétrons foi usado como o equipamento de deposição, e a pressão constante e em taxas de deposição foram mantidas para garantir a estabilidade do filme. Além disso, medimos as constantes óticas dos filmes finos depositados nestas condições constante, e usando as constantes óticas medidas, a cor do filme fino poderia ser prevista e analisada. Para conseguir uma cor exata desejada e para ajustar a cor usando a espessura de película, assegurar a estabilidade das condições, tais como a taxa de deposição e pressão do equipamento de deposição. Especialmente, no caso de aparelhos diferentes, as várias condições do equipamento precisam ser otimizado para filmes coloridos ultra-fino de tuning.
No processo de deposição do ângulo oblíquo de grande área, deposição de filmes é não-uniforme devido a diferença vertical entre a origem e o substrato. No processo de evaporação do feixe de elétron, a densidade de fluxo de vapor varia na direção vertical da fonte. Em altos ângulos oblíquo, há uma diferença vertical dependendo da posição do substrato, que faz com que a densidade de fluxo a ser depositado de forma diferente dependendo da posição de superfície.
O processo detalhado na etapa 5 do protocolo foi desenvolvido para compensar isso. Este método é simples e pode ser facilmente seguido sem modificar o equipamento. No entanto, como mencionado na seção de resultados, o processo tende a resultar em maior espessura que a espessura do alvo. Outro método de áre processo que pode resolver este problema de espessura é modificar o chuck na câmara onde a amostra é carregada para que ele gira no eixo z. Quando a amostra é carregada no centro de rotação do eixo z, o centro da amostra permanecerá sempre uma distância constante da fonte. Portanto, mesmo com a deposição em ângulos positivos e negativos, uma espessura uniforme pode ser alcançada. Além disso, note-se que o ângulo oblíquo da amostra pode ser alterado, mantendo o vácuo, porque o chuck é rotatable no eixo z dentro da câmara.
Em conclusão, apresentamos um processo para a fabricação de filmes ultrafinos cor usando ângulo oblíquo depoimento com um evaporador de feixe de elétrons. Além disso, nós detalhada um método para converter as medida propriedades óticas das amostras fabricadas em informações de cor e os analisou em termos de cor com suas coordenadas CIE. Este processo usado para medir e analisar as cores das amostras fabricadas também pode ser útil para a análise de diversas outras estruturas de coloração. Neste estudo, foram observadas alterações na cor, dependendo da espessura do filme ultra-fino e o ângulo de deposição. Nossas estruturas de cor ultra fino podem ser amplamente utilizadas para diversas aplicações de película fina como eletrodos cor flexíveis, células solares de película fina e filtros ópticos.
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Disclosures
Os autores não têm nada para divulgar.
Acknowledgments
Esta pesquisa foi apoiada pelo programa desenvolvimento através o não tripulados veículo avançado Research Center (UVARC) financiado pelo Ministério da ciência, TIC e planejamento de futuro, a República da Coreia (e veículos não tripulados Core Advanced Technology Research 2016M1B3A1A01937575)
Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| KVE-2004L | Korea Vacuum Tech. Ltd. | E-beam evaporator system | |
| Cary 500 | Varian, USA | UV-Vis-NIR spectrophotometer | |
| T1-H-10 | Elma | Ultrasonic bath | |
| HSD150-03P | Misung Scientific Co., Ltd | Hot plate | |
| Isopropyl Alcohol (IPA) | OCI Company Ltd. | Isopropyl Alcohol (IPA) | |
| Buffered Oxide Etch 6:1 | Avantor | Buffered Oxide Etch 6:1 | |
| Acetone | OCI Company Ltd. | Acetone | |
| 4 inch Silicon Wafer | Hi-Solar Co., Ltd. | 4 inch Silicon Wafer (P-100, 1 - 20 ohm.cm, Single side polished, Thickness: 440 ± 20 μm) | |
| 2 inch Silicon Wafer | Hi-Solar Co., Ltd. | 2 inch Silicon Wafer (P-100, 1 - 20 ohm.cm, Single side polished, Thickness: 440 ± 20 μm) |
References
- Macleod, H. A. Thin-film optical filters. Institute of Physics Publishing. 3, 3rd, (2001).
- Baumeister, P. W. Optical Coating Technology. , SPIE Press. Bellingham, Washington. (2004).
- Kats, M. A., Blanchard, R., Genevet, P., Capasso, F. Nanometre optical coatings based on strong interference effects in highly absorbing media. Nat. Mater. 12, 20-24 (2013).
- Kats, M. A., et al. Ultra-thin perfect absorber employing a tunable phase change material. Appl. Phys. Lett. 101 (22), 221101 (2012).
- Lee, K. T., Seo, S., Lee, J. Y., Guo, L. J. Strong resonance effect in a lossy medium-based Optical Cavity for angle robust spectrum filters. Adv. Mater. 26 (36), 6324-6328 (2014).
- Song, H., et al. Nanocavity enhancement for ultra-thin film optical absorber. Adv. Mater. 26 (17), 2737-2743 (2014).
- Yoo, Y. J., Lim, J. H., Lee, G. J., Jang, K. I., Song, Y. M. Ultra-thin films with highly absorbent porous media fine-tunable for coloration and enhanced color purity. Nanoscale. 9 (9), 2986-2991 (2017).
- Garahan, A., Pilon, L., Yin, J., Saxena, I. Effective optical properties of absorbing nanoporous and nanocomposite thin films. J. Appl. Phys. 101 (1), 014320 (2007).
- Moharam, M. G. Coupled-wave analysis of two-dimensional dielectric gratings. Proc. SPIE. 883, 8-11 (1988).
- Robbie, K., Sit, J. C., Brett, M. J. Advanced techniques for glancing angle deposition. J. Vac. Sci. Technol. B. 16 (3), 1115-1122 (1998).
- Hawkeye, M. M., Brett, M. J. Glancing angle deposition: Fabrication, properties, and applications of micro- and nanostructured thin films. J. Vac. Sci. Technol. A. 25 (5), 1317-1335 (2007).
- Jang, S. J., Song, Y. M., Yu, J. S., Yeo, C. I., Lee, Y. T. Antireflective properties of porous Si nanocolumnar structures with graded refractive index layers. Opt. Lett. 36 (2), 253-255 (2011).
- Jang, S. J., Song, Y. M., Yeo, C. I., Park, C. Y., Lee, Y. T. Highly tolerant a-Si distributed Bragg reflector fabricated by oblique angle deposition. Opt. Mater. Exp. 1 (3), 451-457 (2011).
- Harris, K. D., Popta, A. C. V., Sit, J. C., Broer, D. J., Brett, M. J. A Birefringent and Transparent Electrical Conductor. Adv. Funct. Mater. 18 (15), 2147-2153 (2008).
- Fairman, H. S., Brill, M. H., Hemmendinger, H. How the CIE 1931 color-matching functions were derived from Wright-Guild data. Color Research & Application. 22 (1), 11-23 (1997).
- Oliver, J. B., et al. Electron-beam–deposited distributed polarization rotator for high-power laser applications. Opt. Exp. 22 (20), 23883-23896 (2014).
