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Contact ohmique fabrication utilisant une technique Focused Ion Beam-et caractérisation électrique pour la couche semi-conducteurs Nanostructures
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Contact ohmique fabrication utilisant une technique Focused Ion Beam-et caractérisation électrique pour la couche semi-conducteurs Nanostructures

Article DOI: 10.3791/53200-v • 08:12 min • December 5th, 2015
December 5th, 2015 •
1, 2, 2, 2
1Graduate Institute of Applied Science and Technology, National Taiwan University of Science and Technology, 2Department of Electronic Engineering, National Taiwan University of Science and Technology

Chapters

Tags

Ingénierie Numéro 106 faisceau focalisé d'ions (FIB) contact ohmique la couche semi-conductrice diséléniure de molybdène (MoSe Disulfure de molybdène (MoS La conductivité électrique la microscopie à force atomique (AFM) microscopie électronique en transmission haute résolution (HRTEM) diffraction d'électrons-zone sélectionnée (SAED) la spectroscopie des rayons X à dispersion d'énergie (EDX)
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