耦合剂在提高聚合物纳米复合物介电性能方面的应用

实践证明，利用商用耦合剂可以改变陶瓷纳米填埋器的表面，从而在陶瓷聚合物界面上取得了良好的的可加工性，并采用适当数量的耦合剂获得增强的储能性能。本工作所开发的方法可用于柔性复合材料的制备，这是生产高性能薄膜电容器的极易选择。用 95 重量%乙醇水溶剂 15 分钟超声处理，准备 KH550 溶液。

在KH550溶液中用30分钟的超音速处理BT纳米粒子。在此工艺中，测量 KH550 和 BT 纳米颗粒填料的重量，在 KH550 稀释溶液中涂有 1、2、3、4 和 5 个重量百分比的耦合剂，体积为 5 毫升。将水乙醇溶剂从80摄氏度的基质中蒸发5小时，然后在真空烤箱中蒸发至120摄氏度12小时。

在准备BTVC-91纳米合成物时，使用干纳米粒子作为表面改性填料。其一，基于D分的聚合物溶液是在室温下溶解0.3克聚合物粉末，在室温下通过磁搅拌8小时。二、将钛酸盐纳米颗粒加入溶液中，然后搅拌12小时形成均匀悬浮液，并超声波化30分钟。

在制备过程中，使用了未加模的钛酸铵和涂有耦合剂的钛酸铵。之后，悬浮液被投射到预热类基板上以制作薄膜。将悬浮液的三毫升掉落在每个玻璃基板上。

五、带悬浮液的玻璃基板在70度下在烤箱中保存8小时，以蒸发溶剂。最后，从玻璃基板中释放出六片，在160摄氏度的空气中将自立薄膜退火12小时。根据协议，成功制造了自立的纳米合成薄膜。

SEM证实，用适当数量的耦合剂处理的陶瓷纳米粒子，在铸造过程中可以均匀地分布在纳米复合物中;而过量的耦合剂可能导致陶瓷纳米粒子之间的相互作用，导致填料的聚集。对于填充量低的纳米复合材料，复合材料的介电常数基本不变，使用少量耦合剂，随着未来耦合剂数量的增加，微减。对于含填料含量高的纳米复合材料，复合材料的介电常数随着少量耦合剂的减合而减小，并随着未来耦合剂数量的增加而急剧减小。

在介电损耗方面，带耦合剂的纳米微子比没有耦合剂的纳米微子具有更高的介电损耗。使用两个重量百分比的耦合剂时，获得了最大的分解强度。从具有较高耦合剂的纳米相微中发现分解强度较低。

由于分解强度增强，电荷放电效率相对较高，提高了具有少量耦合剂的纳米相合成物的最大能量密度。在这项工作中，最广泛研究的铁电材料，高介电常量被用作填料。PVDF-CTFE共聚合物用作制备陶瓷聚合物复合材料的聚合物基质。

为了改变钛酸盐纳米填充剂的表面，购买了市售的KH550作为耦合剂。纳米合成系统的关键量是由一系列实验决定的。提出了一种简单、低成本、广泛应用的方法，提高了纳米级复合材料系统的能量密度。