Modèles atomique définies pour croissance épitaxiale d'oxyde complexe couches minces

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08:49 min

4 décembre 2014

10.3791/52209-v

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Différentes procédures sont décrites pour préparer modèles atomique définis pour la croissance épitaxiale de couches minces d'oxyde complexe. Les traitements chimiques de simple SrTiO cristalline 3 (001) et DYSCO 3 (110) substrats ont été effectuées pour obtenir des surfaces atomiquement lisses, simples terminés. Ca 2 Nb 3 O 10 - nanofeuillets ont été utilisés pour créer des modèles atomique définies sur des substrats arbitraires.

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Surfaces à terminaison unique

Chapters in this video

0:05

Titre

1:15

Surfaces de scandate de dysprosium atomiquement lisses et à terminaison unique

3:46

Couches d'amorçage de nanofeuillets sur substrats arbitraires

6:43

Résultats : Caractérisation des matrices

8:21

Conclusion

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