Name: Síntese de hierárquicos ZnO / CdSSe heterostructure Nanotrees (Vídeo) | JoVE Journal
Uploaded: 2016-11-29T12:30:00.000+00:00
Duration: 6 min 50 s
Description: Aprenda a sintetizar nanoárvores hierárquicas de ZnO/CdSSe por deposição química em fase vapor. Este método permite caracterizar morfologia, estrutura cristalina e propriedades ópticas para aplicações em conversão de energia solar e dispositivos optoeletrônicos.

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Os autores agradecem Svilen Bobev por sua ajuda com os espectros de DRX e K. Booksh de assistência com o equipamento de pulverização catódica coater.

1. Síntese de árvore-como ZnO / CdSSe Nanoestruturas <ol><li> O pré-tratamento e ouro revestimento de substratos de safira NOTA: O filme de ouro actua como um catalisador no crescimento dos nanofios de ZnO. <ol><li> lâminas de safira limpa (a-avião, 10 × 10 × 1 mm) em 99,5% de etanol com 5 min de sonicação para preparar o substrato para Au pulverização catódica. </li><li> Depositar a 10 nm (± 2 nm) filme -grossa de ouro nas lâminas de safira com um revestidor por crepitação e alvo de ouro. </li></ol></li><li> Síntese de nanofios de ZnO NOTA: O passo de sonicação 1.2.2 resulta em uma ZnO homogênea e carbono (/ C ZnO) mistura. Após a mistura, a mistura muda para uma cor cinza. A etapa de compactação 1.2.3 garante que nenhum ar está presente na mistura e que o ZnO e carbono estão em contato próximo. Depois de DCV, uma película branca de nanofios de ZnO deve ser depositado sobre o substrato, lado voltado para baixo para o barco. <ol><li> Misture 1 g de nanopowder ZnO e activated carbono (fracção de massa de 50:50) em 10 ml de etanol a 99,5% e agita-se bem com uma espátula. </li><li> Sonicar a mistura num banho de água a 20 ºC durante 30 min, e em seguida secá-lo numa estufa durante ~ 5 horas a 80 ºC. </li><li> Coloque a mistura de ZnO / C numa barquinha de alumina e compacta-lo bem com uma espátula. </li><li> Colocar as lâminas de safira revestido a ouro no topo da barquinha de alumina, com o lado revestido a ouro voltado para baixo. Coloque a barquinha de alumina no centro do tubo de quartzo num forno tubular horizontal. </li><li> Purga-se o tubo de quartzo, durante 1 h com atmosfera de Ar a uma taxa de fluxo de 40 sccm à temperatura ambiente (RT). Aumentar a temperatura de RT a 900 ° C a uma taxa de 80 ° C / min e manter constante a taxa de fluxo de árgon. </li><li> Mantenha a temperatura a 900 ° C durante 2 horas. Abrir o tubo de quartzo em ambas as extremidades, removendo as entradas de gás e de rolha de borracha que o ar entre o tubo para fornecer oxigénio para a reacção. </li><li> Manter a temperatura da reacção a 900 ° C durante 3 h com o RUrolhas bber removido. Arrefecer até à TA, a uma taxa de 10 ° C / min. </li><li> Pegue o barco e deslizar para fora do forno. </li></ol></li><li> Deposição de ramos CdSSe em nanofios de ZnO NOTA: O barco de alumina do CDS / Se foi apresentada no centro do tubo de quartzo. Os nanofios de ZnO foram preparadas virada para cima, e foram de 10 cm a jusante a partir do barco. Após esta segunda DCV, uma laranja / filme amarelo, que é a nanoestrutura ZnO / CdSSe, deve ser depositada sobre a lâmina. <ol><li> Misture 0,5 g de CDs e CdSe (CDS / Se) bem pó (fração de massa de 50:50) e coloque a mistura em um barco de alumina. Compactar bem a mistura. </li><li> Coloque o barco alumina do CDS / SE e da amostra de ZnO nanofio previamente preparado no tubo de quartzo. </li><li> Purga-se o tubo com atmosfera de Ar a uma taxa de fluxo de 40 sccm à TA durante 1 h. Aumentar a temperatura de reacção para 820 ° C a uma taxa de 80 ° C / min. Mantenha a temperatura a 820 ° C durante 30 min. </li><li> Arrefecer até à RT emuma taxa de 10 ° C / min. Pegue o barco e deslizar para fora do forno. </li></ol></li><li> Síntese das amostras de controlo: ZnO e CdSSe nanofios <ol><li> Sintetizar nanofios de ZnO como na secção 1.2, sob as mesmas condições experimentais. </li><li> Sintetizar nanofios CdSSe como no ponto 1.3, sob as mesmas condições experimentais, com a mesma quantidade de CDs e composição CdSe, mas com, um slide de safira revestido a ouro limpo como substrato em vez do slide depositados-ZnO. </li></ol></li></ol> 2. morfológica e cristalográfica Caracterização <ol><li> Montar a amostra na fase SEM com uma braçadeira e colocar a amostra na câmara de vácuo do instrumento SEM. Tome imagens de MEV no modo de alta resolução com uma distância de trabalho de 12,0 mm a uma tensão de 3 kV e uma ampliação entre 3,000X e 10.000 vezes 11,12. </li><li> Tome dados de EDS com a mesma amostra usando o detector de raios-X à mesma distância de trabalho de12.0 mm. Ajustar o instrumento para o modo de análise e ajustar a tensão de 20 kV, resultando em uma corrente de 20 a 40 uA 13. </li><li> Recolhe espectros de DRX, em um difractómetro de pó por raios-X usando radiação Cu Ka filtrada (λ = 1,5418 Â) 11,12. </li></ol> 3. PL Espectroscopia de Emissão e Medidas Lifetime PL resolvida no tempo Observação: Os espectros de PL e contagem de fotão único correlacionados em tempo (TCSPC) medições a RT foram realizadas utilizando um amplificado Ti: oscilador safira após a segunda geração de harmónica (SHG), a produção de um trem de 50 impulsos FSEC centrado no comprimento de onda de 400 nm e com uma potência de saída de 1,76 mW 14. <ol><li> Fixar a amostra num suporte de amostras que posiciona a face da amostra até o laser e o detector. Alinhar o laser para focar a amostra. Medir o espectro de emissão PL das amostras a partir de 500 nm, comprimentos de onda de 900 nm utilizando um espectrómetro de fibra. </li><li> Use um detector de fóton único (avalanche foto diodo ou phototube) para medir vidas PL resolvidas no tempo com um filtro de vidro de cor e um filtro de interferência de banda de 500 ou 650 nm. </li><li> Inserir ZnO, CdSSe ou ZnO / CdSSe desliza no suporte da amostra. Meça os nanofios de ZnO puros com o filtro de banda de 500 nm e as amostras CdSSe ou ZnO / CdSSe com um filtro de banda de 650 nm. </li><li> Usar um contador de fóton único correlacionados em tempo ou um osciloscópio rápido para medir o tempo de vida de fluorescência de decaimento resolvidas no tempo. </li></ol>

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<li>Li, Z., Nieto-Pescador, J., Carson, A. J., Blake, J. C., Gundlach, L. <a target="_blank" href="http://www.ncbi.nlm.nih.gov/pubmed?term=((Efficient+Z-scheme+charge+separation+in+novel+vertically+aligned+ZnO%2FCdSSe+nanotrees%5BTitle%5D)+AND+%22Nanotechnology%22%5BJournal%5D)">Efficient Z-scheme charge separation in novel vertically aligned ZnO/CdSSe nanotrees.</a> Nanotechnology. 27 (13), 135401(2016).</li>
</ol>

Dados e números neste artigo são citados na literatura em nanotecnologia por Li et al. 17.

O alinhamento vertical das nanofios de ZnO (hastes) baseia-se no crescimento epitaxial sobre o substrato. Nanofios de ZnO crescer preferencialmente ao longo da &lt;0001&gt; direção que combina com a periodicidade de um plano de safira 12. Portanto, o tipo e a qualidade do substrato são muito importantes. Diferentes espessuras do revestimento de ouro no substrato, a partir de 5 nm a 20 nm, foram testados e mostraram nenhuma diferença significativa no crescimento de nanofios de ZnO. O comprimento dos nanofios d...

ZnO é um semicondutor II-VI com um gap (BG) de 3,3 eV, uma alta mobilidade de elétrons e um 1,2 energia de ligação grande éxciton. É um material semicondutor abundante com uma infinidade de aplicações presentes e futuras em dispositivos ópticos, células solares, e fotocatálise. No entanto, ZnO é transparente, o que limita a sua aplicação na gama espectral visível. Portanto, materiais absorventes de luz visível, tais como semicondutores narrow-gap 3, moléculas de corante 4, e polímeros fotossensíveis 5, têm sido frequentemente utilizados para sensibilizar ZnO a absorção de luz visível. CDs (BG 2,43 eV) e CdSe (BG 1,76 eV) são comuns II-VI semicondutores narrow-gap e têm sido intensamente investigados. Os parâmetros de BG e gelosia da liga ternária CdSSe pode ser ajustado através da variação das razões molares dos componentes VI 6,7. nanocompósitos ZnO / CdSSe ter sido relatada como resultando em photov eficienteconversão de energia oltaic 8,9. Combinando a via de transporte de elétrons eficiente de nanofios de ZnO alinhados verticalmente contra um substrato com a absorção de luz visível melhoria dos ramos CdSSe levou à transferência de elétrons eficiente entre o caule e ramos 9,10. Assim, sintetizamos uma nova árvore-como ZnO / CdSSe nanoestrutura, onde nanofios de ZnO alinhados verticalmente são decorados com ramos CdSSe. Este material compósito pode actuar como um bloco de construção de novos dispositivos de conversão de energia solar. Este protocolo descreve como matrizes de nanofios de ZnO são cultivados num substrato de safira por deposição de vapor químico de um passo (DCV) a partir de pós de ZnO e C, seguindo um procedimento que foi anteriormente publicado a 11. Seguindo o crescimento de nanofios de ZnO, um segundo passo de DCV é empregue para crescer em ramos CdSSe os nanofios de ZnO. Empregamos de difracção de raios-X em pó (XRD), microscopia electrónica de varrimento (SEM), eespectroscopia de raios-X de energia dispersiva (EDS) para medir a estruturas de cristal, morfologia e composição das nanotrees ZnO / CdSSe (NTs). O mecanismo de transferência de propriedades ópticas e carga transportadora entre os ramos e caule foram investigados por fotoluminescência (PL) espectroscopia e as medições ao longo da vida PL resolvidas no tempo.

<table><tbody><tr><td>ZnO</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1314-13-2</td><td></td></tr><tr><td>Carvão Ativado</td><td>Alfa</td><td>231-153-3</td><td></td></tr><tr><td>CdSe</td><td>Sigma Aldrich</td><td>1306-24-7</td><td></td></tr><tr><td>CdS</td><td>Sigma</td><td>Aldrich 1306-23-6</td><td></td></tr><tr><td>Safira</td><td>MTI</td><td>2SP</td><td>a-plane, 10 &vezes; 10 &vezes; 1 mm</td></tr><tr><td>Forno</td><td>Lindberg Blue M</td><td>SSP</td><td></td></tr><tr><td>Microscópio eletrônico de varredura</td><td>Hitachi</td><td>S5700</td><td>montado com um detector Oxford Inca X-act</td></tr><tr><td>Difratômetro de pó de raios-X</td><td>Rigaku</td><td>MiniFlex</td><td>filtrado K&alpha; radiação (&lambda;=1.5418&nbsp; &Aring;)</td></tr><tr><td>Oscilador de Ti:safira amplificado</td><td>Coherent Mantis</td><td>Coherent Legend-Elite</td><td></td></tr><tr><td>Módulo de detecção de fóton único</td><td>ID Quantique</td><td>ID-100</td><td></td></tr><tr><td>Revestidor de pulverização catódica</td><td>Cressington</td><td>308</td><td>montado com alvo de ouro</td></tr><tr><td>Espectrômetro de sonda de fibra</td><td>Controle de fótons</td><td>SPM-002</td><td></td></tr><tr><td>Filtro de Vidro Colorido</td><td>Thorlabs</td><td>FGB37-A - & Oslash; 25 mm BG40</td><td>Revestido AR: 350 - 700&nbsp; nm</td></tr><tr><td>Gás argônio comprimido</td><td>Keen</td><td>7440-37-1</td><td></td></tr></tbody></table>

síntese de hierárquicos zno / cdsse heterostructure nanotrees

Synthesis of Hierarchical ZnO/CdSSe Heterostructure Nanotrees

Um procedimento de deposição de vapor químico de duas etapas é aqui empregue para preparar hierárquicos ZnO / CdSSe hetero-nanoestruturas de árvore. As estruturas são compostas por ramos CdSSe cultivadas em nanofios de ZnO que estão verticalmente alinhados sobre um substrato de safira transparente. A morfologia foi medida através de microscopia eletrônica de varredura. A estrutura cristalina foi determinada por análise de difracção de pó de raios-X. Tanto o ZnO caule e ramos CdSSe tem uma estrutura de cristal predominantemente wurtzita. A proporção molar de S e Se, nos ramos CdSSe foi medido por espectroscopia de raios X de energia dispersiva. Os ramos CdSSe resultar em forte absorção de luz visível. Fotoluminescência (PL) espectroscopia mostraram que o caule e dos ramos formam um heterojunï¿½o tipo II. medições vida PL mostraram uma diminuição no tempo de vida de emissão das árvores, quando em comparação com a emissão de ZnO hastes individuais ou ramos CdSSe e indicar rápida transferência de carga entre CdSSe e ZnO. o verticamente alinhados ZnO hastes proporcionar uma via de transporte de electrões directamente para o substrato e para permitir a separação de carga eficiente após fotoexcitação pela luz visível. A combinação das propriedades acima mencionadas faz ZnO / CdSSe nanotrees candidatos promissores para aplicações em células solares, fotocatálise, e dispositivos opto-electrónicos.

A Figura 1 mostra o mecanismo de crescimento de ZnO / NTs CdSSe. O procedimento envolveu um processo catalítico de vapor-líquido-sólido (VLS), seguido por um crescimento de vapor-sólido não catalítico (VS). No primeiro passo VLS, ZnO e C reagem na atmosfera de Ar, resultando em Zn metálico e óxido de carbono. Zn é subsequentemente dissolvido no precursor de ouro no substrato de safira. nanofios de ZnO crescer a partir do Zn dissolvido e oxigênio residual. No segundo pass...

Aqui, nós preparar e caracterizar novos hierárquicos nanoestruturas de ZnO / CdSSe árvore-like, onde ramos CdSSe são cultivadas em nanofios de ZnO alinhados verticalmente. Os nanotrees resultantes são um material potencial para a conversão de energia solar e outros dispositivos opto-electrónicos.

Síntese de hierárquicos ZnO / CdSSe heterostructure Nanotrees

A two-step chemical vapor deposition procedure is here employed to prepare tree-like hierarchical ZnO/CdSSe hetero-nanostructures. The structures are ...

O objetivo geral deste experimento é sintetizar uma nanoestrutura semelhante a uma árvore, com hastes de óxido de zinco e ramificações de sulfoseleneto de cádmio. E caracterizar sua morfologia, estrutura cristalina e propriedades ópticas. Este método pode ajudar a responder perguntas fundamentais sobre a aplicação de materiais nanocompósitos em aplicações ópticas e eletro-ópticas.A principal vantagem desta técnica é que a deposição química de vapor é uma maneira simples e economicamente viável de produzir nanoestruturas semelhantes a árvores com interfaces bem definidas. Os ramos de sulfoseleneto de cádmio absorvem luz visível e formam uma heterojunção do tipo-II com um tronco de óxido de zinco. A heterojunção facilita a transferência eficiente de carga elétrica dos ramos para o tronco.As propriedades ópticas indicam que as nanoárvores são materiais promissores para aplicações que se beneficiam de um mecanismo de transferência de carga em z-esquema, como células solares e outros dispositivos optoeletrônicos. Embora este procedimento possa fornecer informações sobre nanoárvores de sulfoseleneto de cádmio e óxido de zinco, ele também pode ser aplicado a outros sistemas, como nanofios, nanotubos, nanorrobôs e assim por diante. Geralmente, indivíduos novos neste método enfrentarão dificuldades porque cada parâmetro, como emulsificação, temperatura e fluoreto, afetará a morfologia das nanoárvores.Primeiro, limpe um lâmina de safira por sonicacao em etanol 99,5% por cinco minutos. Em seguida, utilizando um sputter coater, deposite uma película de ouro com 10 nanômetros de espessura sobre a lâmina. Depois, agite um grama de uma mistura um para um em massa de nanopó de óxido de zinco e carvão ativado em 10 mililitros de etanol 99,5%.Sonicar a mistura em banho-maria a 20 graus Celsius por 30 minutos. Esta etapa garante que não haja ar presente na mistura e que o óxido de zinco e o carbono estejam em contato próximo.Seque a mistura sonicada a 80 graus Celsius por cinco horas. Em seguida, coloque a mistura seca em um barquinho de combustão de alumina e comprima-a com uma espátula para excluir o ar da mistura. Coloque uma lâmina revestida com ouro em cima do barquinho de combustão, com o lado dourado voltado para baixo.Coloque o barquinho no centro do tubo de quartzo de um forno de tubo horizontal. Em seguida, defina os parâmetros de aquecimento e resfriamento no forno. Purgue o tubo com gás argônio a uma vazão de 40 centímetros cúbicos padrão por minuto, à temperatura ambiente, durante uma hora.Em seguida, aumente a temperatura de ambiente até 900 graus Celsius a uma taxa de 80 graus Celsius por minuto e mantenha essa temperatura por duas horas. Depois, abra o tubo ao ar em ambas as extremidades para fornecer oxigênio para a reação. Continue aquecendo a amostra a 900 graus Celsius com o tubo aberto ao ar por três horas.Resfrie o forno até a temperatura ambiente a uma taxa de 10 graus Celsius por minuto e remova o barquinho e a lâmina. O filme branco na lâmina consiste em nanofios de óxido de zinco. Em seguida, misture completamente 0,25 gramas de cada um dos pós de sulfeto de cádmio e seleneto de cádmio e coloque a mistura em outro barquinho de combustão de alumina.Compacte bem a mistura. Coloque a lâmina revestida com nanofios de óxido de zinco cerca de 10 centímetros após o barco. Posicione o barco no centro do tubo de forno de quartzo.No lâmina, certifique-se de que os nanofios de óxido de zinco estejam voltados para cima. Novamente, ajuste os parâmetros do forno. Purgue o tubo de quartzo do forno com gás argônio a 40 centímetros cúbicos padrão por minuto, à temperatura ambiente, durante uma hora.Em seguida, aqueça o forno até 820 graus Celsius a uma taxa de 80 graus Celsius por minuto e mantenha a temperatura a 820 graus por 30 minutos. Uma temperatura diferente resultará em uma composição e morfologia distintas. Em seguida, resfrie o forno até a temperatura ambiente a uma taxa de 10 graus Celsius por minuto e remova a barca e a lâmina do forno.As nanoárvores de óxido de zinco e sulfoseleneto de cádmio são obtidas como um filme laranja-amarelado sobre a lâmina. Prepare amostras controle de nanofios de óxido de zinco e sulfoseleneto de cádmio sobre lâminas de safira limpas e revestidas com ouro, utilizando os mesmos procedimentos. Caracterize as nanoestruturas por microscopia eletrônica de varredura, difração de raios X em pó e espectroscopia de raios X dispersiva em energia.Obtenha espectros de emissão de fotoluminescência e meça os tempos resultantes de decaimento da fotoluminescência e das vidas médias de fluorescência. Nanofios de sulfoseleneto de cádmio foram cultivados por deposição química em fase vapor sobre nanofios de óxido de zinco para formar nanoestruturas semelhantes a árvores. Os troncos foram recobertos com sulfoseleneto de cádmio.As nanoárvores exibiram picos de difração de raios X característicos tanto das nanofios de óxido de zinco puro quanto das nanofios de sulfoseleneto de cádmio puro. Um pico adicional observado no espectro de DRX é atribuído a uma fase diferente de sulfoseleneto de cádmio que se forma em defeitos pontuais no tronco de óxido de zinco, iniciando o crescimento dos ramos. A razão percentual molar de enxofre para selênio nos ramos foi determinada por EDS e DRX como sendo cerca de 54 para 46.A razão molar afeta o band gap dos ramos e pode ser ajustada alterando a temperatura de crescimento dos ramos. O tempo de vida da fotoluminescência das nanoárvores foi menor do que os tempos de vida das nanofios de óxido de zinco e sulfoseleneto de cádmio. Isso sugere que ocorre uma transferência eletrônica rápida através da interface da nanoestrutura, fornecendo um caminho alternativo de relaxamento.Uma vez dominada, esta técnica pode ser realizada em oito horas, se for executada corretamente. Seis horas para a preparação do óxido de zinco e duas horas para o crescimento do sulfoseleneto de cádmio. E não se esqueça de que trabalhar com enxofre de cádmio e selênio de cádmio pode ser extremamente perigoso.E precauções, como o uso de luvas, jaleco laboratorial e calçados fechados, devem sempre ser tomadas ao realizar este procedimento.

synthesis-of-hierarchical-znocdsse-heterostructure-nanotrees

Research

JoVE Journal

Chemistry

Química

Uma estratégia geral para o desenvolvimento de carga de separação de compostos semicondutores nanocristais implantáveis ​​para a produção de energia solar é apresentada. Mostra-se que a montagem de domínios dador-aceitador de nanocristais de uma geometria de nanopartículas único dá origem a uma função fotocatalítica, enquanto bulk-heterojunções de dador-aceitador de nanocristais películas podem ser usados ​​para a conversão da energia fotovoltaica.

Captação de energia solar por meio da carga de separação de nanocristais e seus sólidos

Nós relatamos um método simples para a fabricação de uma variedade de densidade vertical encomendados nanofios orgânicos pequeno molecular ultra. Este método permite a síntese de geometrias complexas heterostructured nanofios híbridas, que podem ser cultivadas em substratos de baixo custo arbitrárias. Estas estruturas têm potenciais aplicações em eletrônica orgânica, optoeletrônica, sensores químicos, energia fotovoltaica e spintrônica.

Ultra Density Array of alinhados verticalmente Nanofios orgânicos pequeno-moleculares sobre substratos Arbitrárias

Um protocolo para a síntese semeada de nanoestruturas multicomponentes em forma de bastonete e tetrápode-dado forma que consistem em CdS e CdSe é apresentado.

Semeado Síntese de CdSe / CdS Rod e tetrápodes Nanocristais

Vários procedimentos estão descritos para preparar modelos atomicamente definidas para o crescimento epitaxial de óxido complexo de filmes finos. Os tratamentos químicos de único SrTiO cristalino 3 (001) e DyScO 3 (110) substratos foram realizados para obter individuais superfícies suaves atomicamente, terminadas. Ca 2 Nb 3 O 10 - nanofolhas foram usadas para criar templates atomicamente definidos em substratos arbitrárias.

Templates atomicamente definidos para crescimento epitaxial do Complexo Óxido Filmes Finos

Oferecemos um método para sintetizar diretamente filme fino de ZnO de alto eixo c (0002) por deposição de vapor químico aprimorada por plasma. O filme fino de ZnO sintetizado combinado com eletrodo interdigitado de Pt foi utilizado como camada sensora para fotodetector ultravioleta, apresentando alto desempenho através de uma combinação de sua boa responsividade e confiabilidade.

Síntese e Caracterização de alta c-eixo ZnO Thin Film por Plasma aprimorado Chemical Vapor Deposition Sistema e sua Aplicação Photodetector UV

Método de fabricação de uma etapa para a obtenção autônoma heterostructure dupla epitaxial é apresentado. Esta abordagem poderia atingir a cobertura de ZnO com uma densidade em número maior do que a do heterostrutura única epitaxial, levando a uma nanogenerator piezoeléctrico com um desempenho eléctrico aumento da produção.

Preparação de ZnO nanorod / Grafeno / ZnO nanorod Epitaxial Duplo heterostructure para piezoelétricos nanogenerator usando pré-aquecimento Hydrothermal

Este manuscrito descreve como projetar e fabricar SMPV1:PC invertido eficientes células solares de71BM com ZnO nanorods (NRs), cultivadas em uma camada de sementes de ZnO dopado com Al (AZO) de alta qualidade. O bem alinhados verticalmente orientado ZnO NRs exposição elevadas Propriedades cristalinas. A eficiência de conversão de energia de células solares pode chegar a 6,01%.

Bem alinhados verticalmente orientado ZnO Nanorod matrizes e sua aplicação em invertida pequena molécula células solares

Realização de contatos de Schottky de alta qualidade é fundamental para alcançar a modulação eficiente portão em transistores de efeito de campo heterostructure (virais). Apresentamos a metodologia de fabricação e características de diodos de Schottky na BeMgZnO/ZnO Zn-polar estende com gás de elétrons dimensional dois high-density (2DEG), cultivadas por Epitaxia de feixe molecular assistido por plasma em modelos de GaN.

Fabricação de diodos de Schottky na Zn-polar BeMgZnO/ZnO Heterostructure cultivadas por Epitaxia de feixe Molecular assistido por Plasma

Os cálculos realizados pelo pacote de simulação de Viena ab initio podem ser usados para identificar as propriedades eletrônicas intrínsecas dos materiais de nanoescala e prever os fotocatalisadores potenciais de divisão de água.

Tipo de sonda II alinhamento de banda em unidimensional Van der Waals Heterostructures usando cálculos de primeiros-princípios

Uma técnica de síntese para preparar o ZnCoS/ZnCdS responsivo à luz visível com fotocatalisador de estrutura cristalina dupla e a técnica de teste de reação fotorredox de sua atividade fotocatalítica e seletividade na evolução de H2 e produção de benzaldeído é apresentada.

Síntese e Avaliações de Desempenho de ZnCoS/ZnCdS com Estrutura de Cristal Duplo para Fotocatálise Redox Multifuncional em Aplicações de Energia

Aprenda a sintetizar nanoárvores hierárquicas de ZnO/CdSSe por deposição química em fase vapor. Este método permite caracterizar morfologia, estrutura cristalina e propriedades ópticas para aplicações em conversão de energia solar e dispositivos optoeletrônicos.

Síntese de hierárquicos ZnO / CdSSe heterostructure Nanotrees

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