晶体场理论基于 过渡金属离子与配体分子之间的静电相互作用 描述了过渡金属络合物的 电子结构。它用来解释过渡金属络合物的某些性质,例如磁性和颜色。通过将配体近似为负点电荷,并计算由这些电荷引起的净静电场或晶体场,可以模拟过渡金属络合物中 配体分子与金属离子之间的 静电相互作用。然后,通过检查晶体场 对过渡金属离子价态轨道能量的影响,来描述过渡金属络合物的 电子结构。例如,当对八面体络合物 六氨合钴(III)建模时,每个胺配体被一个负点电荷取代,从而产生一个八面体晶体场。在这个场的影响下,Co(III)离子的五个 d 轨道的 能量不再相同。这里,dx²−y² 和 dz² 轨道 比 dxy、dyz 和 dxz 轨道具有更高的能量。这归因于 d 轨道的取向。dx²−y² 和 dz² 轨道的波瓣 直接指向配体,因此,这些轨道中的电子会受到配体电荷 更强的排斥。较高能量的轨道具有 e_g 对称性,称为 e_g 轨道集,而较低能量的轨道具有 t_2g 对称性,构成 t_2g 轨道集。两个集合之间的能量 称为晶体场分裂能,用符号Δoct 表示。Δoct 的大小取决于金属离子和 配体分子之间的净静电相互作用。羰基等配体会产生很强的晶体场,导致Δoct 的值较大。这种配体称为强场配体。相比之下,碘化物等配体的Δoct 值较小,称为弱场配体。在光谱化学系列中列出了配体引起Δoct 值 增加的能力。金属离子上电荷的增加 也增加了络合物内的净静电相互作用,从而导致Δoct 值更高。