Summary
私たちは、解析的に定義された多粒子フォノン閉じ込めモデルを用いたラマン分光法を用いて定量的に半導体ナノ結晶のサイズ分布を決定する方法を示します。得られた結果は、透過型電子顕微鏡とフォトルミネッセンス分光法のような他のサイズの分析技術とよく一致しています。
Abstract
ナノ結晶のサイズ分布の分析は、それらのサイズ依存特性の処理および最適化のための重要な要件です。サイズ分析のために使用される一般的な技術は、透過型電子顕微鏡（TEM）、X線回折（XRD）及びフォトルミネッセンススペクトル（PL）です。これらの技術は、しかしながら、同時に、高速の非破壊的で信頼性の高い方法で、ナノ結晶のサイズ分布の分析には適していません。この作品で私たちの目的は、サイズ依存フォノン閉じ込め効果の対象となる半導体ナノ結晶のサイズ分布を示すために、定量的に、ラマン分光法を用いて、非破壊高速かつ信頼性の高い方法で推定することが可能です。また、混合したサイズ分布を別々にプローブすることができ、それらのそれぞれの体積比は、この手法を用いて推定することができます。サイズ分布を分析するために、我々は、一粒子PCMおよびpの解析式を定式化しています分析ナノ結晶のサイズ分布を表す一般的な分布関数にそれをrojected。モデル実験として、我々は、マルチモーダルサイズ分布を有する自立シリコンナノ結晶シリコン（Si-NCS）のサイズ分布を分析しました。推定サイズ分布は、我々のモデルの信頼性を明らかにし、TEMおよびPL結果とよく一致しています。
Introduction
その電子的及び光学的特性は、単にそれぞれの励起子ボーア半径に比べて範囲で自分のサイズを変更することによって調整することができるように、半導体ナノ結晶が注目されている。1これらのユニークなサイズ依存機能は、様々な技術的応用のために、これらのナノ結晶は、関連してください。例えば、キャリア増倍効果は、高エネルギー光子は、CdSeのはSi、およびGeのナノ結晶によって吸収されたときに、太陽電池用途におけるスペクトル変換の概念に使用することができる観察; 2 -から4またはサイズ依存発光PBS-のNCとSi-NCSでは、ダイオード（LED）用途の発光に用いることができる。ナノ結晶サイズ分布に5,6正確な知識および制御は、したがって、信頼性および基づいて、これらの技術のアプリケーションの性能に決定的な役割を果たしますナノ結晶に。
サイズdの一般的に使用される技術ナノ結晶のistributionおよび形態分析は、X線回折（XRD）、透過型電子顕微鏡（TEM）、フォトルミネッセンススペクトル（PL）、及びラマン分光法などを挙げることができます。 XRDは、分析材料の形態学的情報を明らかに結晶学の技術です。回折ピークの広がりから、ナノ結晶のサイズの推定は7しかしながら 、明確なデータを得ることは通常、時間がかかり、可能です。また、XRDは、唯一のナノ結晶サイズ分布の平均値の計算を可能にすることができます。マルチモーダルサイズ分布の存在で、XRDとサイズ分析は、誤解を招くことができ、間違った解釈につながります。 TEMは、マルチモーダルサイズ分布の個々の分布の存在を明らかにすることが可能であるが、TEMは、ナノ結晶のイメージングを可能にする強力な技術である。 図8は 、試料調製の問題は、測定の前に費やされる努力が常にあります。また、高密度に充填されたナノに取り組んで異なるサイズの結晶アンサンブルがあるため、個々のナノ結晶イメージングの難易困難です。フォトルミネッセンススペクトル（PL）は、光学分析技術であり、光学的に活性なナノ結晶を診断することができます。ナノ結晶のサイズ分布は、サイズ依存発光から得られる。9により間接バンドギャップナノ粒子の効果を閉じ込め受けない大きなナノ結晶欠陥が豊富な小さなナノ結晶のそれらの乏しい光学特性にPLと観測されたサイズによって検出することができません分布は、良好な光学特性を有するナノクリスタルのみに制限されています。これら上述の技術のそれぞれが独自の利点を有するが、それらのどれも期待（すなわち、高速の非破壊的、かつ信頼されている）から、および理想的なサイズの分析技術を満たす能力を持っていません。
ナノ結晶のサイズ分布分析の他の手段は、ラマン分光法です。ラマン分光法は、広く利用可能ですラボのほとんどにおいて、それが迅速かつ非破壊的技術です。また、ほとんどの場合、サンプル調製は必要とされません。ラマン分光法は、分析物質の異なる形態（結晶質または非晶質）の情報を得るために使用することができる振動技術、及び（周波数スペクトルに現れるフォノンモードにおけるサイズ依存シフトから）サイズに関する情報であります10ラマン分光法のユニークな特徴は、サイズ依存性の変化は、周波数スペクトルのシフト、フォノンピークの形状（拡大、非対称）で観察しながら、ナノ結晶のサイズ分布の形状に関する情報を与えることです。したがって、分析され、ナノ結晶のサイズ分布を得るために、ラマンスペクトルから、必要な情報、 すなわち 、平均サイズ及び形状係数を抽出するために、原則として可能です。マルチモーダルサイズ分布サブ分布の場合にも、別途deconvoluを介して同定することができます実験的なラマンスペクトルのる。
文献では、二つの理論は、一般に、ラマンスペクトルの形状でナノ結晶のサイズ分布の影響をモデル化するために参照されます。債券分極モデル（BPM）11は、そのサイズ内のすべての結合の貢献からナノ結晶の分極率を示しています。 1粒子フォノン閉じ込めモデル（PCM）10は、特定のサイズのナノ結晶のラマンスペクトルを定義するにはサイズ依存の物理的変数、 すなわち 、結晶運動量、フォノン周波数と分散、および閉じ込めの程度を、使用しています。これらの物理量は、大きさに依存するため、明示的にナノ結晶のサイズの関数として定式化することができるPCMの解析的表現を定義することができます。一般的なサイズの分布関数でこの表現を投影することは、nanocrを決定するために用いることができるPCM内のサイズ分布の影響を考慮することができるであろう実験的なラマンスペクトルからystalサイズ分布。12
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Protocol
実験1.計画
- 合成または対象13（ 図1a）のナノ結晶を得ます。
- 基板材料は、ナノ結晶（ 図1a）のラマンスペクトルのピークを重複していないことを確認することでバックグラウンド信号との混同を避けます。
- ラマン分光法のセットアップのレーザーをオンにします。レーザー強度が安定するのに十分な時間（約15分）を待ちます。
- 12を分析するナノ材料のバルクの参照を測定する（ 図1b）、バルク材料のピーク位置から、ステップ2に記載した測定手順に従って、相対的なシフト12を推定します 。
- 測定されようとしてナノ結晶に異なるパワーを用いたラマン測定に必要なレーザパワーを推定します。十分な信号（のピーク強度の比を得るために、可能な限り低い消費電力で測定を開始バックグラウンドノイズ）は、少なくとも50であること、および必要な場合に限り、ナノ結晶のラマンピークの位置及び形状は同じ12,13のままとして、レーザパワーを増大させるべきです。
興味のナノ結晶の2ラマン分光法
- 測定室に基板上に堆積されたナノ結晶粉末試料をロードします。
注：基板寸法は、それが試料ホルダーステージに収まるように（数十センチメートルミリメートルであることができる）重要ではありません。粉末または薄膜の厚さはナノメートルの、少なくとも数十が、ラマン分光器からの検出可能なシグナルを有するようにすべきです。平面基板ホルダーのステージでは、単に光学系（ 図1b）下の基板を置きます。- 「レーザー」と「アクティブ」ライトが作動レーザーの不要な照明から安全であるためにドアを開ける前にオフになっていることを確認してください。これらのライトがオフになっていない場合は、ステップのアクションを実行する20.5と2.6。 「インターロック」記号は常にオンのまま。
- プレス「ドアリリース」および測定室のドアを開けて、試料ホルダーのステージ（ 図1b）上にサンプルを置きます。
- 可能な限り最高の信号を取得するために測定される試料の焦点合わせを調整します。
- 50Xの目的を選択して、ナノ結晶粉末（ 図1b）の表面に焦点を当てます。
- サンプルホルダーのz方向のマニピュレータを使用してフォーカスの下にサンプルを持参してください。コンピュータ画面上のライブカメラビューから合焦画像の鮮明度を確認してください。
- 測定室のドアを閉じます。
- レニショーソフトウェアから「シャッターアウト」ボタンをクリックすることでシャッターを取り外し、サンプル上のレーザ光の輝きを測定することができます。 「レーザー」と「アクティブ」の兆候は今、それぞれ、緑点滅し、赤色に点滅していることを確認します。 Sからのライブ画像でcreen、レーザーは目に見える（ 図1c）となります。
- ライブ画像から、微調整最良の焦点である最小のレーザースポットまでホイールマニピュレータを用いて試料の焦点合わせ、ライブ画像上で観察されます。
- 以下に説明するように、レニショー解析ソフトウェアからの測定を設定し（ 図1D）。
- 「測定」から新しいスペクトル取得]オプションを選択します。
- の（1〜30秒、2倍などの買収の合計数、および0.5％であるレーザパワーの割合として測定するための時間を設定-ポップアップウィンドウから、150〜700センチの測定範囲を設定します25ミリワットのレーザー）は、測定中に使用されます。挿入されたパラメータを受け入れ、ウィンドウが閉じられます。
- メニューバーの収集開始ボタンをクリックすることで、測定を開始します。測定中「レーザー」と「アクティブ」のライトが残ります上。
- これらの光は、レーザが動作中であり、測定が行われているようにしている場合の測定室を開けないでください。
- 測定が終了した後に、レニショーソフトウェアからボタン」でシャッター」をクリックすることで、シャッターを置きます。 「レーザー」と「アクティブ」のライトがオフになっていることを確認します。プレス「ドアリリース "とし、測定室のドアを開けます。
- サンプルを除去するための測定試料と拡大レンズの表面との間の安全な距離があるまでサンプルを取り出す前に、Z-マニピュレータとサンプルホルダーのステージを下げます。そして、そのコンテナに戻るサンプルを置きます。
- レーザーの電源をオフにします。
- レニショー製品の形式、「.wxd」内のデータを保存し、テキストファイル形式で、「.TXT」。後者は、実験データの分析のために使用されます。
3.サイズDistribut興味のナノ結晶のイオン決意
- ナノ結晶の測定のための測定値のテキストファイル、およびバルクの参照を開きます。
- データをプロットする前に、次スプラインを使用してそれらを滑らかにし、相対的なピークシフトの良い比較を持っているために、彼らの最高のピーク位置での1にデータを正規化します。
- シリコンナノ結晶および参照シリコンデータをプロットした基準シリコンのピーク位置を決定し、521 cm -1での実際のピーク位置から、もしあれば、シフト量を推定12は次に.txtのように処理されたシリコンナノ結晶のデータを保存しますファイル。
- フィッティングの手順を開始します。
- フィッティング手順については、このようなMathematicaのよう解析プログラムに図2Fに示すフィッティング関数を入力します。
- 「インポート」コマンドを使用して、非線形フィッティングモデルの入力として正規化されたと訂正されたデータをインポートします。
- インターバルていることを確認してください歪度0.1と1.0の間であり、平均サイズ間隔が2nmから20nmの間です。
- 必要に応じて、フィッティング関数を使用して測定されたピークの下に別のピーク（複数可）を挿入し、他のサブ分布（複数可）に合うようにステップ3.4.2と3.4.3を繰り返します。
- 押し、「Shift + Enter」フィッティング手順を実行します。
- その後、平均サイズおよび図2bに示されている事前定義された一般的な分布関数で歪みについて得られた値を挿入します。
- その後、 図2bに示されている事前定義された一般的な分布関数で、平均粒径、D 0、及び歪度、σについて得られた値を挿入します。
- 1ナノメートルのように一体型のの下限を設定します。ラマンスペクトル内の任意のシフトを示さない任意のサイズ（のSi-NCのための20 nm）の12に積分の上限を設定します。
- 図2bに分布関数を統合D対プロットΦ（D）。代替的に、サイズがD D対（例えば、1〜20ナノメートルの増分1を有するSi-のNC用nm）のプロットΦ（D）の各値に対してΦ（D）値のセットを見つけます分布。
- マルチモーダルサイズ分布が存在する場合は、最初のピークは、他のサイズ分布に適合するように定義します。そして、第1の（サイズ分布決意の手順で）測定データのデコンボリューション後に得られる各ピークの面積を求めると、次にに対する各ピークの面積比を計算することによって互いに異なる大きさの分布のその体積分率を推定します総ラマンピーク。
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Representative Results
サイズ分析ツールとしてラマン分光法を使用するため、測定されたラマンスペクトルの大きさに関する情報を抽出するためのモデルが必要である。2は、分析多粒子フォノン閉じ込めモデルをまとめた図 12のすべてのサイズに依存するフォノン閉じ込め機能（ 図図2c）対数正規分布関数として選択される一般的な粒度分布関数（ 図2のB）に投影されます。半値（ 図2 E）、及び周波数シフト（ 図2 F）の値に振幅（ 図2 D）、全幅を考えると、このモデルは、正常サイズ分布を決定するために用いることができます。
図3は、マルチパートの使用を想定ICLEフォノン閉じ込めモデルは、Si-NCのサイズ分布を（詳細は続く）を決定します。 TEM画像に示すように、この分析に用いたSi-NCSでは、大小のSi-NCの二峰性のサイズ分布を有する。13 TEM径分析（ここでは図示せず）によれば、小SI-NCSでは、範囲2-内分布を有します10nmであり、大のSi-NCSが40〜120 nmの範囲に分布を持っています。左パネルでラマンスペクトルの分析は、小のSi-NCのサイズ分布は、範囲2-10 nmのに実際にあることを明らかにする。分布は、4.2ナノメートルの平均サイズを有する対数正規であり、そして0.27の歪度（形状異方性因子）を有します。
図4は、プラズマ強化化学蒸着（PECVD）システム内を流れる異なる前駆体を用いて合成したSi-NCの詳細な比較分析を表します。測定されたラマンデータをフィッティングするために、我々は、我々は、Si-NC混合物に二つのサブ分布を持っていたことを知っている2フィッティング機能を使用していました。シリコンので、「大Siのように表す（20ナノメートルより大きいサイズの大きさに依存するピークシフトを示し、バルクのようなローレンツピークが大きいのSi-NCのために割り当てることができ、この場合には40〜120 nmの範囲内にあるどのませんプロット内-NCS」）。小にSi-NCのために、我々は（プロット内の「小のSi-のNC」として表される）フィッティング関数として多粒子フォノン閉じ込めモデルを用いました。平均サイズ、及びサイズ分布の歪度は、 図2bに実証サイズ分布をプロットするために必要なパラメータであり、この当てはめから得られます。このフィッティング関数は、ピークシフトがもはや観察されないから、サイズ、 すなわち 、のSi-NCの20ナノメートルまで統合することができます。その結果、我々は成功し、平均サイズ、歪度、およびラマン分光法を用いたSi-NCの完全な粒度分布（パネルCおよびD）を決定することができることを示します。また、小のSiのNCと大型のSi-NCの体積分率は、統合されたピーク面積の比によって決定することができます。SiのNCは、SiH 4を流通の3 SCCS（毎秒立方センチメートル）を用いて合成し、10 SCCSの場合についてのSiH 4流量 、小のSi-NCの体積分率であるが、小のSi-NCの体積分率は、80％でした88％。
図5は 、様々な技術からのSi-NCの求めた平均粒径の比較を示しています。まず、我々の分析-PCM 12（星）はPCMと非常によく一致する。10第二に、ラマン分光法から得られた結果は、透過型電子顕微鏡（TEM）及びフォトルミネッセンススペクトル（PL）から得られた結果とよく一致しています（ PLサイズ分布はドルリューら 16）のモデルを用いて得られます。これは、Si-NCのサイズ分析のための分析-PCMとラマン分光法を使用しての信頼性を証明します。加えて、我々はまた、半導体ナノ結晶のサイズ分析のために使用されるBPM 11を示します。図5は、PCMは、BPMが行うよりも良い、そのサイズに依存するラマンシフトからのSi-NCのサイズを予測することも結論付けています。
図1。ナノ粒子の表現とラマン分光計。A）のSi-NCSがPECVDツールを使用して、プレキシガラス基板上のAr / SiH 4をガス混合物中に堆積されます。 SI-NCSでは、粉末の形態です。基板上のトーンの違いは、合成13中に異なるプラズマ領域にさらされている形態とSi-NC粉末の厚さの違いに起因しています。 Si-NCの堆積形態は、ラマン分光測定のための準備ができているように。基板の短辺側には、2 cmである。b）の参照試料、 すなわち 、結晶Siウエハ、バルクSiのラマンピーク位置を観察するために測定。このinformatioそのバルクのピーク位置からのSi-NCの相対的なシフトを決定するときにnが基準点として使用される。サイズ決意研究のために使用されるラマン分光計のC）画像。d）のデータを実行し、記録するためのソフトウェアのスクリーンショット分析すること。
図2のSi-NCのサイズ分布の分析に使用される式のサイズ分布を有するSi-NCのa）のラマン強度。b）は 、一般的な粒度分布関数のSi-NCのサイズ分布を決定する。c）の一次元の解析的表現サイズ D。d）の振幅、e）の半値幅と、を有するSi-NCについての粒子PCM f）は 、明示的にサイズ D、を有するSi-NCの振動周波数表現）（c）に表示されます。
図3。ラマン分光分析から、ナノ結晶のサイズ分布 。ラマン分光法のように、測定されたデータは、多粒子分析-PCMを用いたナノ結晶の定量的なサイズ分布に変換することができます。
図4。サイズとSi-NCの体積分率分析 。 Si-NCのラマンスペクトルは、PECVDを使用してツール）3 SCCSとで合成されたb）は、それぞれのSiH 4（シラン）ガス流の10 SCCS、a）およびb）の大小にSi-NCのためのデコンボリューションの経路を示しています。デコンボリューションは、バルクのような大型のSi-のNCおよび多粒子分析-Pに対するローレンツピークを使用して行われます小のSi-NCのためのCM。対応サイズ3と10 SCCSのSiH 4流量のためのディストリビューションと小のSi-NCの体積分率が cで実証されている）およびd）、それぞれ。小のSi-NCの平均サイズは、パネルCの0.26の歪度と4.2 nm）で、パネルdの0.30の歪度と3.7 nm）です。体積分率は、それぞれ、80％、パネルcの88％）およびd）のように推定されます。
図5。様々な技術からのSi-NCのサイズ分布の比較 。ラマン分光法を用いて、様々な技術（TEM及びPL 16）とサイズ分析を用いたSi-NCのサイズ分析は、優れた一致が得られました。結果はまた、PCMは、BPMに対してより正確なサイズの決意をもたらすことを実証します。この図はなりました参考文献から修正アン。物理学のアメリカの協会の許可を得て12。
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Discussion
まず議論のポイントは、プロトコル内の重要なステップです。関心のある材料と重複ピークを持たないために、ステップ1.2で述べたように、基板材料の別のタイプを使用することが重要です。例えば、SiをNCのに関心がある場合、ラマン測定のためのシリコン基板を使用しないでください。 1 - 図1では 、例えば、SiをnCSがすなわち 、480から530センチ、おおよそ関心の範囲の周りに完全にフラットな信号を有し、プレキシガラス基板上に合成しました。それはまた、動作に応じて移動させることができるので、ステップ1.4で述べたように、ナノ結晶に関連するピークのシフトを推定するバルク基準信号を測定することに加えて、それは、また、バルク材料のピークの正確な位置を見つけることが重要ですラマン分光器の環境条件。 Si-NCの場合については、参照試料は、Tが知られている結晶シリコンウエハであり、O 521 cmでで横（TO）の光学モードを持っている- 。1 12が、これは、周囲条件で好まれる動作レーザーの温度、及び強度の結果としてシフトすることができます。したがって、測定の前に、基準データを毎回記録し、文献から既知のピーク位置に対して、それらを修正することが重要です。高いレーザーパワーは、ナノ結晶を加熱し、ラマンスペクトルにおけるレーザー誘起シフトをもたらすそれらのサイズを変更することができます。そのため、ステップ1.5で指示に従って安全に使用することができる最大のレーザパワーを決定することが重要です。フィッティング関数にステップ3.4.3で推定平均サイズと歪度を挿入すると、測定されたラマンスペクトルの形状をカバーしていないことができない場合は、分析物質がサブディストリビューションから構成されていることを意味します。そして、フィッティングのための追加のピークを追加するには、再度ステップ3.4.2と3.4.3を繰り返します。一体型準備するの決意サイズ分布のためdaries（ステップ3.4.7）は、他の重要なポイントです。分布関数の積分の境界は、ナノ結晶サイズ分布の最小と最大のサイズを表します。 1ナノメートルは、ナノ結晶システムのほとんどを最小安定サイズです。17サイズ依存シフト量は、ナノ結晶サイズの増加に伴って減少すると、のいずれかのシフトを示さない任意のサイズに積分の上限を設定しますラマンスペクトル（ステップ3.4.8）。例えば、SiをNCSでは、ラマンスペクトル内の任意のシフトを示さないから20nmよりも大きいサイズで、彼らはバルクのような動作に似ている。10,12ため、Si-のNCよりも大きい任意のサイズと一体の上限を設定します20 nmのは、結果を変更しません。
PCMは、複雑な式を介してナノ結晶の大きさに依存するラマンピークを説明します。実際には、PCMは、フォノン分散、閉じ込め機能、及びVIBに依存すべて暗黙的にサイズ、Dに依存レーション周波数、。さらに、PCMは、特定のサイズのためであり、粒度分布を決定するために、それは、一般的な分布関数に投影すると、大きさの範囲にわたって積分取得有します。この手順は複雑であり、今まで、実験者は、測定されたラマンピークのシフトからのSi-NCの平均サイズを決定するために、主にラマン分光法を使用していました。一方、我々は、定式化している多粒子分析-PCMのサイズが含まれ、Dは、明示的なパラメータとして、平均サイズだけでなく、完全な分布だけでなく、決定すると、それは簡単な方法で整形することを可能にしますラマン分光法を用いて。
既に気付いたように、ラマン分光法は、Siは約20 nmである閉じ込め限界内のナノ結晶のサイズ分布を決定することができます。彼らはサイズ - を示さないようなより大きなサイズは、そのサイズ分布について分析することができませんラマンスペクトルにおける依存機能、 すなわち、それらは、バルクSi結晶と同様のピーク形状と位置を有します。この制限は、ラマンスペクトルの大きさに依存するピークシフトを示すナノ結晶系の任意のタイプにも当てはまります。しかし、閉じ込め限界は、ナノ結晶のシステムに依存して変化し得ます。例えば、GeをNCのための閉じ込め限界は約15nmである。18
ナノ結晶のサイズ分析時の懸念があるため、ラマン分光法を用いて間違ったサイズの解釈につながる可能性があり、二次的な理由、のナノ結晶のラマンピークのシフトです。これらの二次的な理由は、構造のラマン測定の間に過剰なレーザーパワーの下でナノ結晶の修飾（粒成長又は形状の変化）、およびナノ結晶が埋め込まれたマトリックスによって誘導されるストレス、（もしあれば）です。過剰なレーザー加熱を回避するためには、可能な限り低いレーザパワーで測定を開始し、それを増加させることが推奨され徐々にクリア信号を確立します。限り、ピーク形状と位置を使用し、レーザパワーの安定した独立したままのように、それが使用されるレーザパワーが安全限界内にあると考えることができる。また13、ラマンピークの加熱に関連広がり、越えた制限があります観察ファノ広がりとして文献に定義されている。12,19限りファノ拡大限界に達していないとして、ナノ粒子は、加熱関連の変更の対象ではありません。ストレスに関連したピークシフトが存在する場合、それは不可避であり、サイズ依存ピークシフトを決定する前に考慮される必要があります。応力の量は、回折ピーク位置のずれが、ストレスの指標であるX線回折（XRD）を用いて決定することができます。推定された応力は、その後、ストレス依存ピークシフト用語を加えて、ラマンスペクトルにおいて考慮することができる。18全く応力をXRDから観察されていない場合は、サイズ分布の直接的な分析を行うことができます測定されたラマンスペクトルから。すべてのナノ粒子は、安定した構造を有しているので、以前に観察されたように、14結晶性が十分に確立され、乏しい結晶構造に関連する問題は、ラマン分析のために除外されています。
多粒子分析-PCMは、分布関数と使用閉じ込め機能の点で柔軟性があり、図2に明らかにしました。それはフォノン閉じ込め機能に影響を与えずに、対数正規、通常の、またはロジスティック関数であり得る、すなわち 、例えば、一般的な分布関数の任意の種類は、対数正規分布関数で置き換えることができます。また、分析-PCMは、使用する材料の種類に応じて2 Cを再定義することができ、図に実証されました。サイズ依存ラマンピークシフトを示すいくつかのナノ結晶システム（そのサイズ分布はできるようにまた、GeをNCSでは、21のTiO 2 -NCS、22及びダイヤモンドNCS、20のSnO 2 -NCSである）、ラマン分光法を用いて決定すること。23
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Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| Raman Spectroscopy | Renishaw | In Via | Equipped with 514 nm Ar ion laser |
| Wire 3.0 | Renishaw | Raman spectroscopy record tool | |
| Mathematica | Wolfram | For fitting function and size determination | |
| Substrate | Plexiglass (to avoid signal coincidence with Si-NCs) | ||
| Si wafer | Reference to Si-NC peak position | ||
| Photoluminescence Spectroscopy | 334 nm Ar laser. For optical size distribution. | ||
| Transmission Electron Microscopy | Beam intensity 300 kV. For nanocrystal size and morphology determination. |
References
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