利用同步辐射微断层调查的多尺度三维微电子封装

Summary

在这项研究中同步加速器辐射微断层摄影术中，非破坏性的三维成像技术中，用于研究整个微电子封装为16×16毫米的截面积。由于同步的高通量和亮度样品成像，在短短3分钟，8.7微米的空间分辨率。

Abstract

同步辐射的微断层摄影术（SRμT）是一个非破坏性的三维（3D）成像技术，提供了高通量为高空间分辨率的快速数据采集时间。在电子行业中有三维微电子封装，其中许多含有高密度互连的多个层面进行故障分析的浓厚兴趣。常在断层有图像分辨率和可成像的样品的体积之间的折衷。这种反比关系限制常规计算机断层扫描（CT）系统的实用性，因为微电子封装的横截面面积100-3,600毫米²常大，但对微米尺度的重要功能。在先进光源（ALS），在加州伯克利USA，微断层扫描光束线有一个设置是适应性强，可以根据样本的属性， 也就是说，密度，厚度等 ，最大允许的36×36毫米能够截面。这样的设置也有成为全能量范围〜7-43千电子伏无论是单色或使用多色束白光模式下最大磁通操作选项。这里呈现的是一个包中采取的图像的整个16×16 mm系统的实验步骤的细节，以便获得系统的3D图像具有8.7微米的所有的空间分辨率小于3分钟的扫描时间范围内。还示出了从不同的方向和一个切片包更高分辨率成像扫描包的结果。对比度的常规CT系统将需要数小时具有潜在的较差的分辨率来记录数据。事实上，使用同步加速器辐射断层设置时场的视图可以通过时间的比例要高得多。下面的实验装置的说明可以实施并适于使用与许多其它多材料。

Introduction

在微电子领域中，如在许多其它领域，表征样品时在微米尺度的非破坏性评价是必要的。专门用于微电子工业中有探测三维微电子封装，含有多层次，多材料，并且在热学，电学，和机械应力的组件的标识中的包的故障的兴趣。在世界各地同步辐射设施已指定了用于微电子封装的失效分析断层扫描和衍射光束线。其中一些例子是成像造成电^1-3空洞形成，在评估锡须生长^4,5 ​​机制， 在过冷和锡的各向异性的热膨胀和金属间化合物（法团校董会^）6,7的实地观测， 在原位观测凝固并形成IMC ^8-10，各向异性的机械行为，锡的再结晶和无铅焊料^10，空隙在倒装芯片凸点，并在银nanoink烧结¹¹的实地观测。所有这些研究都进一步推进了微电子工业的理解和组件的开发。然而，许多这些研究都集中在包内的小区域。更多信息，可从测试和使用高分辨率SRμT为了进一步发展自己的特性全尺寸封装中收集。

所生产的电子产品的现在包含互连的多层。这些包和设备正变得越来越多的复合体用于非破坏性评价关于故障分析，质量控制，可靠性风险评估，和发展的三维溶液呼叫。某些缺陷需要，可以检测出特征小于5μm的大小，其中包括空隙和裂缝铜ス内部形成技术bstrate通路，识别非接触式开放和nonwet焊盘在多层包装^12中 ，定位和定量在球栅阵列（BGA）和C4焊点空隙。在衬底组件过程中，这些类型的缺陷必须确定并广泛地监测，以避免不必要的故障。

使用基于实验室的来源，也称为桌面目前CT系统中，能够提供高达〜1微米空间分辨率，和被用来隔离在与有希望的结果的多级封装的故障。然而，相对于SRμT设置^13,14时桌面CT系统有一定的局限性。桌面系统仅限于成像的材料，因为它们通常仅包含一个或两个x射线源光谱一定的密度范围内。此外通量时间（TPT）保持长期为需要几个小时的数据采集时间每兴趣1-2毫米²区域，该区域CA传统的桌面CT系统n个极限其实用性;例如，穿硅通孔（TSV），BGA的或C4接头通常需要在样品中采集感兴趣视图（FOV）或区域的多个场的分辨率高，导致在分析失败的8-12小时总TPT，这是一个显示塞何时多个样品必须分析传统的桌面CT系统。同步加速器辐射提供高得多的通量和亮度比传统的x射线源，从而导致更快的数据采集时间为感兴趣的给定区域。虽然SRμT确实允许用于相对于类型的可以成像和样品体积的材料更大的灵活性，但它确实有局限性，这是特定于同​​步加速器源和使用的设定，具体而言最大可接受厚度和样品大小。为ALS的SRμT设置可以被成像的最大截面积为<36×36毫米，厚度是由能量范围和磁通可用限制，并且是材料Specific。

本研究用于演示SRμT可以如何被用于图像中的封装（SIP）的带有使用高分辨率和低TPT（3-20分钟）的整个多级系统中检查三维半导体封装。在比较桌面CT对同步加速器源CT的更多细节可以在参考文献^13,14找到。

实验概述和光束线8.3.2描述：
有可为世界各地的断层实验同步加速器设施;大多数这些设施需要提交所在的实验者描述了实验，以及其科学影响力的提议。这里描述的实验都在ALS劳伦斯伯克利国家实验室（LBNL）的光束线8.3.2执行。对于此束线有两种能量模式选择：1）在能量范围〜7-43千电子伏或2）多色“白”光，其中整个availa单色扫描高密度材料时，竹叶提取能量谱被使用。期间在束线8.3.2一个典型的扫描一个样本被安装在一旋转台，其中x射线穿透样品，然后将衰减的X射线通过闪烁器转换成可见光，由透镜放大，然后投射到CCD记录。这是当样品从0到180°产生的图像的堆叠是重建以获得具有微米分辨率的样品的3D视图旋转完成。所得断层数据集大小从〜3-20千兆根据扫描参数的范围内。 图1示出了样品被扫描的笼的示意图。

这里提出了以下方案描述了实验装置，数据采集，和用于成像的整个微电子封装所需的处理步骤，但该步骤可被修改，以图像的各种样品。修改取决于样品的大小，密度，几何形状，和特征的兴趣。 表1和2本可在束线8.3.2分辨率和样本大小的组合（ALS，LBNL，伯克利，CA）中。对于这里研究的微电子封装的样品用的多色（“白”）的光束，这是由于厚度和样品的组分的高密度选成像。将样品安装在水平方向上的卡盘架，该取向允许整个样本以适应光束，这是具有〜4个毫米，〜40毫米宽的高度并行的高度内，因此只需要一个扫描捕获整个样本。

Protocol

注：下述协​​议的细节是专门为工作在光束线8.3.2在ALS大学伯克利分校，加州写调整可能需要其他同步加速器设施，可以在全球各地找到了工作。适当的安全和辐射培训需要运行这些设施和训练的指导方针实验可以在每个单独的同步工具的网站上找到。任何更改或更新的断层协议（ALS，LBNL，伯克利，CA）可以在光束线手册¹⁵上找到。在断层扫描过程的细节可以参考¹⁶中找到。束线的科学家都可以回答任何问题，并将促进实验装置。

步骤1.在光束线执行断层扫描8.3.2（ALS，LBNL）

1. 通过将其安装在设计，以适应在束线的旋转载物台的样品夹持器准备为扫描样品。对于样品没有一个卡斯特OM接口，坚持样品后或钻夹头与粘土或蜡。
   注意：在此研究中扫描的样品的微电子封装，为16×16毫米和高度仅为〜3毫米。为了适应整个包在视样品安装水平利用在束线提供粘土的字段。
   1. 对准样品，以保证当它旋转180度它保持在视野内。在厨内的旋转台装样前存在被用于对准样品的脱机模拟旋转台。旋转中心的目视检查是通常的取向就足够了。
   2. 安装附加到厨内的样品支架的样品。一旦样品已经被安装在笼，两个正交定心电机使样品的位置相对于旋转的中心。
      注意：有时需要样品制备提前实验时间，以确保该样品尺寸为所需的分辨率正确。例如，某些16 X 16 mm的微电子封装的切片成小块为进一步高分辨率扫描。可使用表1和2来确定样本大小。
2. 选择用于基于感兴趣的样本大小和特征尺寸的扫描倍率。光束线8.3.2有几个镜头可供选择能产生与0.35的范围内的像素大小的图片 - 9微米。根据不同的放大倍数，样品必须是适当的横截面面积的，作为视场随放大率而减小。
   1. 因为这里扫描样品22.6毫米最长方向，选择1X透镜与PCO.4,000，如示于表1和2中，这种组合给出的视图最大样本场。所得像素尺寸为8.7微米。
3. 设置x射线能量或切换到polychromatic光束使用光束线控制计算机。在束线8.3.2的X射线能量范围是连续的从4-80千电子伏，但多层单色安装限制了能量范围来〜7-43千电子伏，而峰值通量在约12千电子伏时发生。为了获得最佳的图像质量，立足于一个目标〜30％的传输，可在数据采集计算机上测量的能量选择。在提高能源一般情况下，传输％增加。
   1. 用于微电子封装，由于封装的厚度和材料“中选择白色”的光。
      注：光束线8.3.2手动都有详细的步骤之间的“白光”和单色模式的变更。
   2. 当使用“白”光模式中，为了筛选出低能量的X射线添加管线2-4金属铝和铜的过滤器与X射线束。对于此示例，使用2个铜板与〜1.2mm的总厚度。
   3. 通过恬的样本计算提前传输e。通过使用：
      http://henke.lbl.gov/optical_constants/filter2.html或http://www.nist.gov/pml/data/xraycoef/或http://11bm.xray.aps.anl.gov/absorb/absorb .PHP。例如，输入为样本将输出表示百分透射率作为能量范围的函数的曲线图的化学式和估计的厚度。
4. 验证旋转舞台的中心与​​相机的中心对齐。检查该样本是通过使用光束线控制计算机上的软件180度对准旋转，并通过查看在计算机上的X光片目视观察在样品的位置的变化。控制对齐改变同一台计算机上。当样品的取向是关闭的足够使样品的区域中的样品在旋转过程中离开的视场图像质量劣化。
5. 手动设置样品检测器距离的扫描。该相机是一个平移的阶段，可以水平移动所使用改变样品检测器距离。当距离增加相衬贡献也增加。相作用是有益的，以更容易地图像细微裂缝和边缘，而且还引起其他“光环效应”伪像通常是不希望的。
6. 验证束线对齐。检查图像的焦点，并在必要调整聚焦马达。确认该像素大小校准是通过移动样品一预定量和测量样品移动到计算微米/像素的像素的数量是否正确。该体素尺寸将取决于实验设置发生变化。
   1. 检查作为图像水平移动，图像配轨道沿着一个恒定的像素水平地，如果没有，让他们做调整摄像机俯仰电机。此对齐旋转轴，使得它平行于像素列，这是以后由重建算法假定对齐。
7. 选择一个曝光时间为每个X光片。范围为曝光时间为1-1,500毫秒和选择取决于扫描能量和分辨率（它决定每个分辨率元素的观察到的通量）。在选定的时间应该提供最快的扫描时间与更多数量的扫描，因此最好信噪比之间的折衷。
   1. 对于微电子封装，使用每个曝光100毫秒的样本扫描时间。
      注意：请确保没有饱和的像素或至少比该控制系统被设置为在转换后的规模显示摄像机数量，使每个相机的最大数量为65,535的100推荐的指标少。
8. 使用数据采集计算机设置扫描参数。
   1. 输入所需的角度范围，和图像的数量以收集在该范围。的多个角度中选择的扫描时间越长，以及较大的数据集的大小。角度常见的数字是513，1025，和2,049超过0-180度的范围内。在这项研究中，使用1025角度数据采集过程中超过180度。
   2. 选择扫描模式。扫描模式下的两个选项是：1）正常，2）连续断层。优选的连续模式，因为它会导致在最短扫描时间，〜3分钟。在这种模式下，为图像被收集的旋转阶段连续地移动。在正常模式下，旋转台停在每个角度，然后图像被收集。
   3. 指定亮和暗场图像数量。明亮的暗场图像是必要的执行重建。对于暗场图像的快门关闭并且对于明场或背景的图像的样品移出视场的。验证该样品被转换得足够远，使得它未在亮场图像呈现，以避免在重建图像大的缺陷。在这里，获得15暗场图像和15亮场图像。
   4. 确定是否贴砖是必要的。如果样品比外地高ÒF观看有一个平铺选项，它会扫描样品，然后直到整个样本捕获垂直翻译。
9. 数据采集​​计算机上执行运行扫描。扫描将根据所输入的设置自动运行。

步骤2.表演断层数据处理

1. 将数据传送到一个​​分析计算机可在束线来执行使用束线协议的数据集的重建和过滤。重构可以运行独立于数据采集。
   注：数据自动转移到NERSC，高性能计算机，它是处理和重建。用户可以在NERSC注册一个帐户spot.nersc.gov通过SPOT套房门户网站来访问他们的数据。该门户网站还处于发展模式，因此很多用户喜欢有超过重建参数，在这种情况下，他们按照其余步骤更多的控制。
2. Reconst构作以下步骤将RAW图像：1）图像正常化，2）创建正弦图的叠加，3）申请环去除/过滤器，以及4）执行平行束重建。重建是基于滤波反投影算法。重建过程的结果，包含在每个像素构成的样品体积的位置和强度信息TIFF图像。整个过程的示意图示于图2。
   1. 要访问插件开始斐济（这是斐济的缩写，是刚刚ImageJ的），然后选择菜单→插件→ALSmicroCT NormalizeStack832newnaming如下图所示。在ALS设备用户可以使用ImageJ的/斐济，它集成了旨在简化重建过程中几个软件包自定义插件执行整个重建进程。
      注：斐济和插件可用于多光束线8.3.2分析计算机使用。
   2. 一旦斐济对话框打开如下所示，选择用于重建原始文件。原材料，明亮，和深色图像的堆栈现在应该被加载。
   3. 通过点击“旋转检测中心”，然后以可视化的重建图像选择“预览重建”查找旋转中心。为旋转中心的值，也可以手动输入和预览。
   4. 使用这个接口有改变环除去参数的选项，图像（8，16或32位），象素范围的类型，图像的旋转角度，并限定裁剪区域。每一个新的参数集可以使用'预览重建“按钮被可视化。
   5. 一旦参数被选择，通过选择“运行”重建图像的整个堆叠。所有后续数据文件可以在指定的“输出目录”中找到，默认的目录将在原始数据文件夹中的输出文件。
3. 从断层的访问原始数据通过进入网站http://spot.nersc.gov/，这是NERSC（LBNL超级计算机）服务器通过SPOT门户从任何计算机罐。
   注意：每个单独的研究人员必须有自己的NERSC帐号来访问他们的特定数据集。用户可以设置在https://nim.nersc.gov/nersc_account_request.php一个帐户。在束线，各研究组被分配一个束线的帐户。此帐户用于访问束线计算机上，并且也可用于直接从使用的Globus在线束线服务器访问数据。
4. 通过加载2D的堆叠可视化3D和2D数据重建的图像转化成任何3D分析软件。这里介绍的样品和图像使用Avizo软件来执行分析和可视化，这可在任何的束线8.3.2分析计算机来束线用户。
5. 一组数据被上传到可视化软件后进行进一步的数据分析以获得关于特定FE量化信​​息样品内atures。常数据集下采样以便减少所述输出数据的大小。然而，这可以增加像素尺寸缩小的保真度，但平滑图像视图，便于分割。
   1. 由阈值2D的叠层的直方图重建的切片和分配一个新的像素值落入规定范围内的像素选择感兴趣段特征。
   2. 可视化分段体积和表面。一旦特征被分割他们正在使用Avizo或首选的可视化软件观看3D的。这允许特定功能的三维表面渲染，就像在某个感兴趣区域的焊球。
   3. 量化在样品的特征， 即 ，裂纹尺寸，通孔，孔隙率，缺陷等 。一旦感兴趣的特征是通过识别诸如或裂纹，特征可以分段和裂缝宽度，长度的体积信息，通过体积，孔隙率分布可以通过评估tomogr量化aphic数据集。
   4. 创建影片表示不同的取向样品的样品。电影1示出的用于在水平方向成像的微电子封装的不同的横截面视图和体绘制视图的示例。

Representative Results

使用断层摄影捕获的图像的发生是由于X射线在焊料互连，金属迹线和其他材料在微电子封装的不同衰减长度的函数，并且这些多材料的厚度的差的吸收。该SIP封装模具包括连接到直径约80微米的第一级互连（FLI）倒装芯片C4焊球陶瓷基板硅的;中级互连（MLI）约350微米的焊球该衬底连接到FR4环氧电路板;以及第二级互连（SLI）的在电路板的背面侧大约650微米的BGA焊球图2示出了当它被放置在水平方向的样本的示意图;这种取向，以适应在视为一个扫描场整个样本被选择; 图3示出了3D图像从相同样品，整个包，这是在一个扫描低TPT（ 见表2）进行成像。这个数据进行分析，并使用Avizo制备。用于微电子封装的0.175°的角度增量被选择导致1025的图像在180度。 图3A中的板通孔，铜通孔，以及一些在衬底的是可见的。 图3B放大上示出了现场可编程门阵列（FPGA）的一个角的所关注的区域模具和衬底。这示出了整个多级包的各个组件如何能迅速进行检查。 图4表明在一块FPGA SIP封装与SRμT检测到的特征。这里，电路板，VIA的，硅芯片，两个基板，和互连各级都是可辨别的。 图5和6演示如何使用断层摄影数据的可视化在3D，特征，其中互连件的两个不同视图displaye ð。 图6示出了垂直扫描的CPU芯片封装用FLI和MLI连接的3D图像。由于对图像的垂直扫描方向的整个样品没有在一次扫描中捕获的，以便在该方向平铺整个样本是必要的。图6B示出了放大了2D断层切片。这里图像的质量是足够的，观察焊料球，其被成像之前延长热循环期间创建内裂纹。

图1.示意图，显示了断层扫描设置。示意图在光束线8.3.2双雄在先进光源（劳伦斯伯克利国家实验室，加州大学伯克利分校美国）。 （从8.3.2显微断层手册截取的图，并且可以在被访问：http://microct.lbl.gov/manual）“目标=”_空白“>点击此处查看该图的放大版本。

图2.步骤用于重构数据。示意图示出步骤获得从断层设置一个样品的最终三维重建图像。这里的样本是16 X 16 mm的SIP封装在水平方向进行成像。 请点击此处查看该图的放大版本。

图3.包装的三维体积渲染 。一个整个FPGA SIP封装用8.7微米的分辨率为3分钟（A）中的扫描时间成像的3D渲染显示了整个包，和（B）放大的视图显示了FPGA基板和电路板互连的一个角落里包的区域的^。13 ，请点击此处查看该图的放大版本。

图4.断层图像示出通过FPGA SIP封装采取的包。2D重建切片的横截面 。该样品用4.5微米的分辨率和20分钟的扫描时间成像。硅芯片，底部填充，两基板和互连的水平都可以观察到^。13 ，请点击此处查看该图的放大版本。

683 / 53683fig5.jpg“/>
三个互连水平的图5的3D体绘制。分段3D图像表示具有8.7微米的分辨率（3分钟的扫描时间）整个SIP封装。这显示了三个层次互连（FLI，MLI和^SLI）。13 ，请点击此处查看该图的放大版本。

在焊球识别图6可见的孔。（A）的3D重建的垂直扫描的CPU芯片封装用FLI和MLI焊料连接的图像。 （B）在2D重建切片的区域缩放，显示了一个大的中心空隙并故意热应力测试期间引起的裂缝的MLI焊料球¹³PLOAD / 53683 / 53683fig6large.jpg“目标=”_空白“>点击此处查看该图的放大版本。

电影1断层扫描图像和3D封装的2D（ 右键点击下载 ）。这部电影显示了从不同的角度16×16 ^平方毫米封装的三维体积渲染。然后通过不同的切片盘以显示从包内的内部信息。

	PCO.4,000（4,008x2,672）		PCO.Edge（2,560x2,160）OPTIQUE彼得*]
镜片	像素（微米）	视场（毫米）	像素（微米）	视场（毫米）
20X *	-	-	0.33	0.8
10X	0.9	3.6	0.69	1.7
5X	1.8	7.2	1.3	3.3
2X	4.5	18	3.25	8.3
1X	9	36	6.5	16.6

表1显示详细信息可在ALS光束线8.3.2的相机和镜头。

资源	分辨率选项	相机/镜头弹匣。	像素尺寸（微米）	FOV宽度（mm）	FOV高度（mm）	图片时间TPT（分）	FOV / TPT（毫米2 /分钟）
同步ALS BL 8.3.2	低	A / 1X	8.7	36	6	3	72
	低	B / 1X	6.5	16.6	6	3	33.2
	MED	B / 2X	3.3	8.3	6	3	16.6
	MED	A / 2X	4.5	18	6	20	5.4
	高	B / 5X	1.3	3.3	2.8	五	1.84
	高	B / 10X	0.65	1.7	1.4	11	0.22
实验室基于源的MicroXCT-200	高	-	1.5-2	1.5-2	1.5-2	180-240	〜0.02

表2汇总决议的，视场，和成像时间为不同的照相机和镜头选择。

Discussion

所有的在协议部分中描述的步骤是获得多尺度和多材料样品的高分辨率图像的关键。其中最重要的步骤是将样品放置和光学，这对获得可用于定量质量的图像的重要的聚焦。具体地，即使样品的轻微运动将导致伪像的重建图像中和散焦将导致分辨率的恶化。以避免图像质量问题它重建一个测试图像，从而可以同时进行，而下一个样品扫描是重要的。这将有助于识别可能在扫描设置期间发生的任何问题或问题。如果有与所重建的图像的问题，可能有必要重新扫描样品仔细注意样品放置和对准。在安装过程中的其他问题可能出现，如与Labview的错误，以样本台电动机，或不存在第问题E X射线束。有对束线手册，它可以在光束线的网站上找到排除故障的详细步骤。咨询束线科学家，讨论如何改进图像质量，或者如果实验者遇到问题而无法覆盖的手册中进一步选择。

所有在这里显示的数字突出显示只有几分钟以高空间分辨率和内非破坏性样品上的特定特征进行分析的能力使用SRμT到图像的整个多级微电子封装的好处。对于这里成像的样本重建时间花了一个小时。在ALS的宽能谱能够与适当的过滤高和低原子序数元素的成像。这允许裂化，空隙，剥离，缺陷，和更的定量。对于一些在这里拍摄的快速数据采集时间援建的连续断层扫描模式的样本。虽然有广泛的可使用SRμT有由于可用能量范围为ALS的同步加速器设施若干限制被成像的材料和卷。具体而言，高密度的材料的厚度可以被约束。

这同步加速器源CT系统的高分辨能力为双方提供故障分析和装配工艺开发有价值的信息。相比之下桌面CT系统的相对低的亮度无法允许为一个单色能量的选择和有困难突出的铜或焊料周围的特征的存在的缺陷。断层摄影技术，以适应大样本更快TPT时间的能力的重要性至上的半导体产业。使用SRμT所得到的研究结果提供了前进道路在微电子¹⁴新的应用。总体而言有在这一领域未来的各种可能性工作，特别是在现场条件下，如循环温度和循环载荷调查在这些多材料多尺度微电子封装。

Materials

Name	Company	Catalog Number	Comments
Beamline 8.3.2	Advanced Light Source, Berkeley, CA, USA		http://microct.lbl.gov/