Summary

紫外发光二极管纳米图案蓝宝石基板的AlN薄膜的石墨烯辅助准范德瓦尔斯皮Taxy

Published: June 25, 2020
doi:

Summary

提出了一种在纳米图案蓝宝石基材上生产高质量AlN薄膜的石墨烯辅助生长方案。

Abstract

该协议演示了一种在纳米片形蓝宝石基材 (NPSS) 上采用石墨烯辅助快速生长和粘聚 AlN 的方法。使用无催化剂的大气压力化学气相沉积 (APCVD) 直接在 NPSS 上生长石墨烯层。通过应用氮反应离子蚀刻(RIE)等离子体处理,在石墨烯薄膜中引入缺陷,以提高化学反应性。在AlN的金属-有机化学气相沉积(MOCVD)生长过程中,这种N等离子体处理石墨烯缓冲液使AlN能够快速生长,NPSS上的聚化通过横截面扫描电子显微镜(SEM)得到确认。然后,通过 X 射线摇摆曲线 (XRCs) 评估石墨烯-NPSS 上的高质量,在半最大值 (FWHM) 下,全宽为 267.2 弧秒和 503.4 弧秒。与裸 NPSS 相比,石墨烯-NPS 上的 AlN 增长显示,根据拉曼测量,残余应力从 0.87 GPa 显著减小到 0.25 Gpa。其次是AlGaN多量子井(MQWS)在石墨烯-NPSS上的生长,基于AlGaN的深紫外发光二极管(DUV LED)被制造出来。制造的 DUV LED 还表现出明显的增强发光性能。这项工作为高品质 AlN 的生长和高性能 DUV LED 的制造提供了新的解决方案,使用更短的工艺和更少的成本。

Introduction

AlN和AlGaN是DUI-LED1、2,中最重要的材料,广泛应用于灭菌、聚合物固化、生化检测、非视线通信、特殊照明3等领域。由于缺乏内在基材,MOCVD蓝宝石基材上的AlN异质基已成为最常见的技术路线4。然而,AlN和蓝宝石基板之间的大晶格不匹配会导致应力积累5,5、6、高密度错位和堆叠故障7。因此,LED的内部量子效率降低了8。近几十年来,人们提出使用图案蓝宝石作为基材(PSS)来诱导AlN外延性横向过度生长(ELO)来解决这个问题。此外,AlN模板,,9、10、11的成长9也取得了很大进展。然而,由于表面粘附系数高,粘附能高(AlN为2.88 eV),Al原子表面流动性低,AlN的生长往往具有三维岛生长模式12。因此,NPSS 上的 AlN 薄膜的外延生长是困难的,并且需要比平蓝宝石基材更高的粘结厚度(超过 3 μm),这会导致更长的生长时间,并且需要高成本 9

最近,石墨烯显示出巨大的潜力,用于作为一个缓冲层作为AlN增长,由于其六边排列的sp2杂交碳原子13。此外,AlN的准范德瓦尔斯外延(QvdWE)可以减少不匹配效应,并为AlN生长14,15,铺平了一条新路。为了增加石墨烯的化学反应性,陈等人使用N 2等离子体处理石墨烯作为缓冲层,确定了优质AlN和GaN膜8的QvdWE,证明了石墨烯作为缓冲层的利用。

结合N2等离子处理石墨烯技术与商用NPSS基板,该协议提出了一种在石墨烯-NPSS基材上快速生长和合并AlN的新方法。石墨烯-NPSS上AlN的完全合并厚度确认小于1μm,外延AlN层具有高质量和释放应力。该方法为AlN模板批量生产铺平了一条新路,在基于AlGaN的DUILED的应用上显示出了巨大的潜力。

Protocol

注意:这些方法中使用的几种化学物质具有剧毒和致癌性。使用前请查阅所有相关材料安全数据表 (MSDS)。 1. 纳米印刷光刻(NIL)编制NPSS SiO2 薄膜的沉积 用乙醇清洗2英寸C平面蓝宝石基板,然后用去电化水三次。 用氮气枪擦干基材。 在300°C下通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)将200纳米SiO2薄膜沉积在扁平蓝宝石基材上。?…

Representative Results

为外延AlN薄膜(图1,图2)和基于AlGaN的DUV-LED(图3)采集了扫描电子显微镜(SEM)图像、X射线衍射摇摆曲线(XRC)、拉曼光谱、透射电子显微镜(TEM)图像和电致发光(EL)光谱。SEM 和 TEM 用于确定石墨烯-NPSS 上的 AlN 形态。XRD 和拉曼用于计算错位密度和残余应力。EL 用于说明制造的 DUV LED 的照明。 <p class="jove_content" fo:keep-tog…

Discussion

如图1 Figure 1A所示,NIL 技术制备的 NPSS 说明了具有 400 nm 深度、1 μm 图案周期和 300 nm 宽度的纳米凹锥形图案。在石墨烯层的APCVD生长之后,图1B显示了石墨烯-NPSS。B拉曼光谱图1C中N等离子体处理石墨烯的D峰显著增加,表明在RIE工艺16期间产生的悬垂键增加。在AlN直接MOCVD增长…

Disclosures

The authors have nothing to disclose.

Acknowledgements

这项工作得到了中国国家重点研发计划(2018YFB0406703)、中国自然科学基金(61474109、61527814、11474274、6142791)和北京自然科学基金(第4182063号)的财政支持。

Materials

Acetone,99.5% Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company 1090
APCVD Linderberg Blue M
EB AST Peva-600E
Ethonal,99.7% Bei Jing Tong Guang Fine Chemicals company 1170
HF,40% Beijing Chemical Works 1789
ICP-RIE AST Cirie-200
MOCVD VEECO P125
PECVD Oerlikon 790+
Phosphate,85% Beijing Chemical Works 1805
Sulfuric acid,98% Beijing Chemical Works 10343

References

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Zhang, X., Chen, Z., Chang, H., Yan, J., Yang, S., Wang, J., Gao, P., Wei, T. Graphene-Assisted Quasi-van der Waals Epitaxy of AlN Film on Nano-Patterned Sapphire Substrate for Ultraviolet Light Emitting Diodes. J. Vis. Exp. (160), e60167, doi:10.3791/60167 (2020).

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