Análisis Cuantitativo Del Sitio Atómico De Los Dopantes Funcionales / Defectos Puntuales En Materiales Cristalinos Por Microanálisis Mejorado Por Canalización De Electrones-Mejorado

6.1K vistas

Citado 2 veces

07:24 min

10 de mayo de 2021

10.3791/62015-v

10 de mayo de 2021

6.1K vistas

Proporcionamos un esquema general de los métodos cuantitativos de microanálisis para estimar las ocupaciones del sitio de impurezas y sus estados químicos aprovechando los fenómenos de canalización de electrones en condiciones incidentes de balanceo de haz de electrones, que extraen de manera confiable información de especies minoritarias, elementos ligeros, vacantes de oxígeno y otros defectos puntuales / de línea / planar.

Explorar más videos

Electron Channeling

Chapters in this video

0:04

Introduction

0:59

Transmission Electron Microscopy (TEM) Alignment for Beam-Rocking

2:36

Incident Beam Collimation and Pivot Point Setup

3:47

Electron-Channeling Pattern (ECP) Acquisition

4:30

Energy-Dispersive X-Ray Analysis

5:10

Results: Representative ECP and ICP Emission Imaging

6:46

Conclusion

Related Videos