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犠牲ナノ粒子の使用は、電子ビームリソグラフィにより作製したコンタクトホール内にショットノイズの影響を除去します
 
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犠牲ナノ粒子の使用は、電子ビームリソグラフィにより作製したコンタクトホール内にショットノイズの影響を除去します

Article DOI: 10.3791/54551
February 12th, 2017

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Summary February 12th, 2017

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均一なサイズのナノ粒子は、電子ビーム(Eビーム)リソグラフィによりポリパターニングコンタクトホール寸法の変動(メチルメタクリレート)(PMMA)フォトレジスト膜を除去することができます。プロセスは、フォトレジストのリフロー及びプラズマ・湿式エッチング工程に続いて、コンタクトホール内にナノ粒子を中心と堆積する静漏斗を含みます。

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