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Los parámetros de anodización para el crecimiento de la capa dieléctrica de óxido de aluminio de transistores de película delgada de zinc-óxido (TFT) son variados para determinar los efectos en las respuestas de los parámetros eléctricos. El análisis de varianza (ANOVA) se aplica a un diseño de experimentos (DOE) de Plackett-Burman para determinar las condiciones de fabricación que dan como resultado un rendimiento optimizado del dispositivo.