Journal
/
/
השפעת הפרמטרים של אנוזציה על השכבה הדיאלקטרי של תחמוצת האלומיניום של טרנזיסטורים הסרט דק
JoVE Journal
Chemistry
Author Produced
A subscription to JoVE is required to view this content.  Sign in or start your free trial.
JoVE Journal Chemistry
The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
DOI:

12:32 min

May 24, 2020

, , , ,

Chapters

  • 00:00Introduction
  • 02:48Preparation of the Electrolytic Solution
  • 03:55Substrate Cleaning
  • 05:24Al Gate Electrode Evaporation
  • 06:31Anodization of the Al Layer
  • 07:41ZnO Active Layer Deposition
  • 08:38Drain and Source Electrodes Deposition
  • 09:36TFT Electrical Characterization
  • 10:09Results
  • 11:22Conclusion

Summary

Automatic Translation

פרמטרים של אנוזציה לצמיחה של שכבת אלומיניום תחמוצת מדידות של אבץ-תחמוצת הסרט דק טרנזיסטורים (TFTs תרי) הם מגוונים כדי לקבוע את ההשפעות על התגובות פרמטרים חשמליים. ניתוח השונות (ANOVA) מוחל על עיצוב מפלקט-בורטמן של ניסויים (DOE) כדי לקבוע את תנאי הייצור שיגרמו לביצועי המכשיר הממוטב.

Related Videos

Read Article