Journal
/
/
İnce Film Transistörlerinin Alüminyum Oksit Dielektrik Tabakasına Anodizasyon Parametrelerinin Etkisi
JoVE Journal
Chemistry
Author Produced
A subscription to JoVE is required to view this content.  Sign in or start your free trial.
JoVE Journal Chemistry
The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
DOI:

12:32 min

May 24, 2020

, , , ,

Chapters

  • 00:00Introduction
  • 02:48Preparation of the Electrolytic Solution
  • 03:55Substrate Cleaning
  • 05:24Al Gate Electrode Evaporation
  • 06:31Anodization of the Al Layer
  • 07:41ZnO Active Layer Deposition
  • 08:38Drain and Source Electrodes Deposition
  • 09:36TFT Electrical Characterization
  • 10:09Results
  • 11:22Conclusion

Summary

Automatic Translation

Çinko-oksit ince film transistörlerinin (TFT) alüminyum-oksit dielektrik tabakasının büyümesi için anodizasyon parametreleri, elektriksel parametre yanıtları üzerindeki etkilerini belirlemek için çeşitlidir. Varyans analizi (ANOVA), optimize edilmiş cihaz performansıyla sonuçlanan üretim koşullarını belirlemek için Plackett-Burman deney tasarımına (DOE) uygulanır.

Related Videos

Read Article