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Der Effekt von Eloxierungsparametern auf die Aluminiumoxid-Dielektrikumsschicht von Dünnschichttransistoren
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The Effect of Anodization Parameters on the Aluminum Oxide Dielectric Layer of Thin-Film Transistors
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Der Effekt von Eloxierungsparametern auf die Aluminiumoxid-Dielektrikumsschicht von Dünnschichttransistoren

DOI:
10.3791/60798-v

•

12:32 min

•

May 24, 2020

•

, , , ,
1School of Technology and Sciences,São Paulo State University – UNESP, 2Scholl of Electronic Engineering,Bangor University, 3Institute of Geosciences and Exact Sciences,São Paulo State University – UNESP

Chapters

  • 00:00Introduction
  • 02:48Preparation of the Electrolytic Solution
  • 03:55Substrate Cleaning
  • 05:24Al Gate Electrode Evaporation
  • 06:31Anodization of the Al Layer
  • 07:41ZnO Active Layer Deposition
  • 08:38Drain and Source Electrodes Deposition
  • 09:36TFT Electrical Characterization
  • 10:09Results
  • 11:22Conclusion

Summary

Automatic Translation

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Die Eloxierungsparameter für das Wachstum der Aluminiumoxid-Dielektrizitätsschicht von Zinkoxid-Dünnschichttransistoren (TFTs) werden variiert, um die Auswirkungen auf die elektrischen Parameterreaktionen zu bestimmen. Die Varianzanalyse (ANOVA) wird auf ein Plackett-Burman-Experimentdesign (DOE) angewendet, um die Herstellungsbedingungen zu bestimmen, die zu einer optimierten Geräteleistung führen.

Tags

Aluminum OxideAnodizationThin-film TransistorsDielectric LayerElectrolytic SolutionSubstrate CleaningAluminum Electrode DepositionAnodization ProcessElectrical CharacterizationPlackett-Burman Design Of Experiments

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