Journal
/
Engineering
/
-Plasma ondersteunde Moleculaire bundel epitaxie van N-polaire InAlN-barrière High-elektron-mobiliteit Transistors
JoVE Journal
Engineering
A subscription to JoVE is required to view this content.  Sign in or start your free trial.
JoVE Journal Engineering
Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors
Please note that all translations are automatically generated. Click here for the English version.

-Plasma ondersteunde Moleculaire bundel epitaxie van N-polaire InAlN-barrière High-elektron-mobiliteit Transistors

DOI:
10.3791/54775-v

•

10:31 min

•

November 24, 2016

•

, , , , ,
1NRC Postdoctoral Scholar,Naval Research Laboratory, 2Electronics Science and Technology Division,Naval Research Laboratory

Chapters

  • 00:05Title
  • 00:53RF-assisted Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) System and Sample Preparation
  • 04:36N-polar InAIN-barrier High-electron-mobility Transistor (HEMT) Growth
  • 08:03Results: N-polar InAIN-barriers High-electron-mobility Transistors Grown with PAMBE
  • 09:30Conclusion

Summary

Automatic Translation

Automatic Translation

Moleculaire bundel epitaxie wordt gebruikt om N-polar InAlN-barrier high-elektron-mobiliteit transistoren (HEMTs) groeien. Controle van de wafer voorbereiding, laag groeiomstandigheden en epitaxiale structuur resulteert in gladde, compositorisch homogene InAlN lagen en HEMTs die slecht ter been zo hoog als 1750 cm2 / V ∙ sec.

Tags

Plasma-assisted Molecular Beam EpitaxyN-polar InAlN-barrier High-electron-mobility TransistorsSemiconductor MaterialsWide Bandgap TransistorsGallium Nitride SubstrateOutgassingSubstrate Transfer

Article

Embed

ADD TO PLAYLIST

Usage Statistics

Related Videos

Moleculaire Beam massaspectrometrie met afstelbare Vacuum Ultraviolet (VUV) Synchrotron Radiation

Ruimtelijke scheiding van moleculaire conformers en clusters

Meting van röntgenbundel coherentie langs meerdere richtingen gebruiken 2-D schaakbord faseraster

Speciatie en biologische beschikbaarheid Metingen van Milieu Plutonium gebruik van Diffusion in Thin Films

Effect van Buigen op de elektrische eigenschappen van flexibele organische Single Crystal-gebaseerde field-effect transistors

Gerichte Ion Beam fabricage van LiPON gebaseerde Solid-state Lithium-ion Nanobatteries voor het testen van In Situ

Fabricage van Schottky Diodes op Zn-polaire BeMgZnO/ZnO Heterostructure gegroeid door moleculaire Beam Plasma-bijgewoonde epitaxie

Single-Digit Nanometer Electron-Beam Lithography met aberratie-gecorrigeerde scannen transmissie elektronenmicroscoop

Voorbereiding van een Isotopisch zuivere 229e Ion Beam voor studies van 229mth

Demonstratie van gelijke-intensiteit Beam generatie door diëlektrische meta vlakken

Read Article