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Asistida por plasma Molecular Beam epitaxia de N-polar InAlN de barrera de transistores de alta movilidad de electrones
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Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy of N-polar InAlN-barrier High-electron-mobility Transistors
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Asistida por plasma Molecular Beam epitaxia de N-polar InAlN de barrera de transistores de alta movilidad de electrones

DOI:
10.3791/54775-v

•

10:31 min

•

November 24, 2016

•

, , , , ,
1NRC Postdoctoral Scholar,Naval Research Laboratory, 2Electronics Science and Technology Division,Naval Research Laboratory

Chapters

  • 00:05Title
  • 00:53RF-assisted Plasma-assisted Molecular Beam Epitaxy (PAMBE) System and Sample Preparation
  • 04:36N-polar InAIN-barrier High-electron-mobility Transistor (HEMT) Growth
  • 08:03Results: N-polar InAIN-barriers High-electron-mobility Transistors Grown with PAMBE
  • 09:30Conclusion

Summary

Automatic Translation

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epitaxia de haces moleculares se utiliza para producir transistores InAlN barreras de alta movilidad de electrones-N-polares (HEMT). De control de la preparación de la oblea, condiciones de crecimiento y estructura de capa epitaxial resultados en capas InAlN lisas, de composición homogénea y HEMTs con movilidad tan alto como 1.750 cm2 / V ∙ seg.

Tags

Plasma-assisted Molecular Beam EpitaxyN-polar InAlN-barrier High-electron-mobility TransistorsSemiconductor MaterialsWide Bandgap TransistorsGallium Nitride SubstrateOutgassingSubstrate Transfer

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