Login processing...

Trial ends in Request Full Access Tell Your Colleague About Jove
JoVE Journal
Engineering

A subscription to JoVE is required to view this content.
You will only be able to see the first 2 minutes.

InAlN 장벽 높은 전자 이동도 트랜지스터 N-극성 플라즈마를 이용한 분자 빔 에피 택시
 
Click here for the English version

InAlN 장벽 높은 전자 이동도 트랜지스터 N-극성 플라즈마를 이용한 분자 빔 에피 택시

Article doi: 10.3791/54775
November 24th, 2016

Summary November 24th, 2016

Please note that all translations are automatically generated.

Click here for the English version.

분자 빔 에피 택시는 N 극성 InAlN 장벽이 높은 전자 이동도 트랜지스터 (HEMT들)을 성장하는 데 사용됩니다. 1,750cm 2 / V ∙ 초만큼 높은 이동성을 가진 부드러운 구조적으로 균질 InAlN 층 및 HEMT들에서 웨이퍼 제조 관리, 층 성장 조건 및 에피 택셜 구조의 결과.

Read Article

Get cutting-edge science videos from JoVE sent straight to your inbox every month.

Waiting X
simple hit counter