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Chemistry

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Análisis Cuantitativo Del Sitio Atómico De Los Dopantes Funcionales / Defectos Puntuales En Materiales Cristalinos Por Microanálisis Mejorado Por Canalización De Electrones-Mejorado
 
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Análisis Cuantitativo Del Sitio Atómico De Los Dopantes Funcionales / Defectos Puntuales En Materiales Cristalinos Por Microanálisis Mejorado Por Canalización De Electrones-Mejorado

Article DOI: 10.3791/62015-v 07:24 min May 10th, 2021
May 10th, 2021

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Proporcionamos un esquema general de los métodos cuantitativos de microanálisis para estimar las ocupaciones del sitio de impurezas y sus estados químicos aprovechando los fenómenos de canalización de electrones en condiciones incidentes de balanceo de haz de electrones, que extraen de manera confiable información de especies minoritarias, elementos ligeros, vacantes de oxígeno y otros defectos puntuales / de línea / planar.

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Química Número 171 Microscopía electrónica de transmisión Canalización electrónica Espectroscopia de rayos X dispersiva de energía Espectroscopia de pérdida de energía electrónica Ocupación de dopantes Geometría de defectos puntuales Análisis estadístico Análisis cuantitativo Balanceo de haz de electrones
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