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Chemistry

In Situ SIMS y espectroscopia IR de superficies bien definidas Preparado por Soft Landing de iones seleccionados-Mass

Published: June 16, 2014 doi: 10.3791/51344
Automatic Translation
1, 1, 1
1Physical Sciences Division, Pacific Northwest National Laboratory

Summary

Aterrizaje suave de los iones de masa-seleccionada sobre las superficies es un enfoque poderoso para la preparación altamente controlada de nuevos materiales. Junto con el análisis por espectrometría de masas de iones secundarios situ (SIMS) y espectroscopía de absorción reflexión infrarroja (IRRAS), aterrizaje suave proporciona una visión sin precedentes en las interacciones de las especies bien definidas con las superficies.

Abstract

Aterrizaje suave de los iones de masa-seleccionada sobre las superficies es un enfoque poderoso para la preparación altamente controlada de materiales que son inaccesibles usando técnicas de síntesis convencionales. El acoplamiento de aterrizaje suave con la caracterización in situ utilizando la espectrometría de masas de iones secundarios (SIMS) y espectroscopía de absorción reflexión infrarroja (IRRAS) permite el análisis de superficies bien definidas en condiciones de vacío limpias. Las capacidades de los tres instrumentos de soft-aterrizaje construidas en nuestro laboratorio se ilustran para el sistema representativo de compuestos organometálicos unidos a la superficie preparada por un aterrizaje suave de la masa-seleccionado de rutenio tris (bipiridina) dicationes, [Ru (bpy) 3] 2 + (bpy = bipiridina), sobre ácido carboxílico terminado superficies monocapas auto-ensambladas en el oro (COOH-SAMs). In situ de tiempo de vuelo (TOF)-SIMS da una idea de la reactividad de los iones de soft-terratenientes. Además, la cinética de reducción de carga, de neutralización y deabsorción ocurre en el COOH-SAM, tanto durante como después del aterrizaje suave de iones son estudiados empleando en Fourier situ transformar ion ciclotrón resonancia mediciones (FT-ICR)-SIMS. En IRRAS situ experimentos proporcionan datos sobre cómo la estructura de los ligandos orgánicos que rodean centros metálicos es perturbado a través de la inmovilización de los iones organometálicos sobre COOH-SAM superficies de aterrizaje suave. En conjunto, los tres instrumentos proporcionan información complementaria acerca de la composición química, la reactividad y la estructura de las especies bien definidas apoyados en superficies.

Introduction

Suave aterrizaje de iones en serie seleccionado en superficies sigue siendo un tema de interés en la investigación actual, debido a las capacidades demostradas de la técnica para la preparación altamente controlada de materiales novedosos 1-6. Los esfuerzos recientes han indicado posibles aplicaciones futuras de aterrizaje suave de los iones de masa-seleccionado en la preparación de matrices de péptidos y proteínas para su uso en el cribado de alto rendimiento biológico 7,8, la separación de las proteínas y el enriquecimiento conformacional de péptidos 9-12, unión covalente de péptidos a superficies 9,10,13,14, enriquecimiento quiral de compuestos orgánicos 15, la caracterización electroquímica de proteínas redox activos específicos 16-18, producción de películas delgadas moleculares 19,20, el procesamiento de macromoléculas como el grafeno 21 y la preparación del modelo de sistemas de catalizador a través de un aterrizaje suave de los clusters iónicos 22-39, 40-48 y nanopartículas co organometálicamplexes sobre materiales de apoyo 19,49-56. El concepto de modificación de superficies a través de un aterrizaje suave de los iones poliatómicos fue propuesto inicialmente por los cocineros y compañeros de trabajo en el año 1977 57. En los años posteriores se han desarrollado una amplia gama de enfoques instrumentales para la deposición controlada de iones de masas-seleccionada del gas- fase en superficies 1,4,5. Los iones se han producido a través de procesos tales como ionización por electrospray (ESI) 10,58,59, láser asistida por matriz de desorción / ionización (MALDI) 21, ionización por impacto electrónico (EI) 60,61, pulsada descarga de arco 62, la condensación de gas inerte 36 , de 63 años, la pulverización de magnetrón 64,65, y el láser de vaporización 25,66,67. La selección en masa de los iones en fase gaseosa antes del aterrizaje suave se ha logrado empleando principalmente filtros de masas cuadrupolo 58,68,69, dispositivos magnéticos de deflexión 70, y los instrumentos de trampa de iones lineales 8,59. Una nota particularble avance en la metodología de aterrizaje suave de iones ocurrió recientemente con la implementación exitosa de iones ambiente aterrizaje suave y reactiva por cocineros y compañeros de trabajo 71,72. Utilizando estas diversas técnicas de ionización y de selección de masa, las interacciones de hipertérmica (<100 eV) iones poliatómicos con superficies se han estudiado con el fin de comprender mejor los factores que influyen en la eficiencia de aterrizaje suave de iones y los procesos que compiten de dispersión de reactivo y no reactivo como así como la superficie inducida por la disociación 4,73-75.

La preparación de catalizadores modelo bien definido para los propósitos de la investigación ha sido una aplicación especialmente fructífero de aterrizaje suave de los iones en serie seleccionada 25,34,35,56,76-81. En el rango de tamaño de las agrupaciones de nanoescala, donde el comportamiento físico y químico no escala linealmente con el tamaño del cluster, se ha demostrado que la adición o eliminación de los átomos individuales o de grupos pueden influir drásticamente ªreactividad química eir 82-84. Este fenómeno nanoescala, que resulta de confinamiento cuántico, se demostró convincentemente por Heiz y compañeros de trabajo 85 para un catalizador de modelo que consta de grupos blandos aterrizado de ocho átomos de oro (Au 8) soportado sobre una superficie de MgO defecto-rica. Varios estudios han proporcionado pruebas adicionales de la magnitud dependiente de la reactividad de los grupos que soportan en superficies 34,77,86,87. Además, las imágenes de microscopía electrónica de alta resolución indican que los grupos que contienen tan pocos como 88 diez y cincuenta y cinco 89 átomos pueden ser en gran parte responsable de la actividad superior de los catalizadores de oro a granel-sintetizado soportados sobre óxidos de hierro. El empleo de aterrizaje suave de los iones de masa-seleccionado, es posible preparar matrices estables de grupos seleccionado por tamaño y nanopartículas que no se difunden y se aglomeran en estructuras más grandes en la superficie de materiales de soporte 90-92. Estos estudios anteriores indican que con continuidading desarrollo, aterrizaje suave de las agrupaciones de masas-seleccionado y nanopartículas puede llegar a ser una técnica versátil para la creación de catalizadores heterogéneos altamente activos que explotan el comportamiento emergente de un gran número de grupos idénticos y nanopartículas en matrices extendidas sobre superficies. Estos sistemas extremadamente bien definidos, pueden ser utilizados con fines de investigación para entender cómo los parámetros críticos, tales como el tamaño del clúster, la morfología, la composición elemental y la actividad catalítica cobertura superficial influencia, la selectividad y la durabilidad.

Complejos organometálicos que se utilizan típicamente en las fase de solución como catalizadores homogéneos también se pueden inmovilizar en superficies a través de aterrizaje suave de los iones de masa seleccionado 56,80,81. Colocación de los complejos metal-ligando iónicos a soportes sólidos para producir materiales híbridos orgánico-inorgánico es actualmente un área activa de investigación en la catálisis y la ciencia de superficies comunidades 93. El objetivo general es obtener el altaselectividad hacia un producto deseado de los complejos de metal-ligando en fase de solución, mientras que facilitan una separación más fácil de los productos a partir de catalizadores y reactivos restantes en solución. De esta manera, la superficie inmovilizada complejos organometálicos aprovechar los beneficios de ambos catalizadores homogéneos y heterogéneos. A través de la selección de un sustrato apropiado es posible mantener o incluso mejorar el medio ambiente ligando orgánico alrededor del centro de metal activo al mismo tiempo lograr un fuerte inmovilización superficie 94. Superficies monocapas auto-ensambladas (SAMs) en el oro se pueden terminar con una serie de diferentes grupos funcionales y, por lo tanto, los sistemas ideales para investigar la viabilidad de la inmovilización de complejos organometálicos de superficies a través de un aterrizaje suave de iones de masas seleccionadas 95. Además, los métodos de ionización tales como la presión atmosférica de ionización de desorción térmica (APTDI) se han demostrado previamente para producir complejos inorgánicos mixtos de metal en fase gaseosaque no son accesibles a través de la síntesis en solución 96. En el mismo sentido, las técnicas de síntesis cinéticamente limitada-no térmica y de ionización tales como pulverización catódica magnetrón 65, la agregación de gas 63 y la vaporización con láser 66 también se pueden acoplar con el ion instrumentación aterrizaje suave para proporcionar una ruta versátil para clusters y nanopartículas inorgánicas nuevos soportados en superficies.

Con el fin de evolucionar aterrizaje suave de los iones de masa-seleccionado en una tecnología madura para la preparación de materiales, es crítico que los métodos analíticos informativos pueden acoplar con la instrumentación aterrizaje suave para investigar las propiedades químicas y físicas de las superficies antes de, durante y después de la deposición de iones. Hasta la fecha, una multitud de técnicas se han aplicado para este propósito, incluyendo la espectrometría de masas de iones secundarios (SIMS) 19,97-100, TPD y la reacción de 50,52, por láser de desorción e ionización 101, la reacción de haz molecular pulsado 102, espectroscopia infrarroja (FTIR y Raman) 98103104, superficie mejorada espectroscopia Raman 103105, ringdown cavidad espectroscopia 106, x-ray fotoelectrones espectroscopia de 35.107, la microscopía de efecto túnel 33,108-111, microscopía de fuerza atómica 112-114, y microscopía electrónica de transmisión 39. Sin embargo, para caracterizar con más precisión las superficies preparadas o modificados por el aterrizaje suave de iones, es crucial que el análisis se lleva a cabo in situ sin la exposición del sustrato con el medio ambiente en el laboratorio. Los análisis previos realizados in situ han proporcionado información sobre los fenómenos tales como la reducción de la carga iónica de iones suaves aterrizado en el tiempo 37,38,115,116, la desorción de iones aterrizó suave de las superficies 52, la eficiencia y la dependencia de la energía cinética de los iones de aterrizaje reactiva 14,81 , y la influencia del tamañosobre la actividad catalítica de los clusters y las nanopartículas depositadas sobre superficies 117. A modo de ejemplo, en nuestro laboratorio, hemos estudiado sistemáticamente la cinética de reducción de la carga de péptidos protonadas en las superficies de diferente SAM 3. Estos experimentos se realizaron con un instrumento de aterrizaje suave único acoplado a una transformada de Fourier de resonancia ciclotrón de iones espectrómetro de masas de iones secundarios (FT-ICR-SIMS) que permite el análisis in situ de las superficies, tanto durante como después de aterrizaje suave de iones 97. Para ampliar estas capacidades analíticas, otro instrumento fue construido de manera que permite la caracterización in situ de iones aterrizado suaves en superficies utilizando IRRAS 104. Esta técnica de infrarrojos sensibles a la superficie permite la formación de enlaces y procesos de destrucción, así como los cambios conformacionales en iones complejos y capas superficiales para ser monitoreados en tiempo real tanto durante como después del aterrizaje suave 12. Por ejemplo, el uso de IRRAS que erademostró que el aterrizaje suave de iones puede ser utilizado para inmovilizar covalentemente los péptidos de masas-seleccionado en N-hidroxisuccinimidil éster funcionalizado SAM 13,14.

En esto, se expone las capacidades de tres instrumentos hechos a medida único situado en el Laboratorio Nacional del Noroeste del Pacífico, que están diseñados para in situ TOF-SIMS, FT-ICR-SIMS, y el análisis IRRAS de sustratos producidos a través de un aterrizaje suave de los iones en serie seleccionada sobre superficies. Como un sistema representativo, se presentan los resultados para el aterrizaje suave de la masa-seleccionado organometálicos de rutenio tris (bipiridina) dicationes [Ru (bpy) 3] 2 + sobre ácido carboxílico terminado SAMs (COOH-SAM) para preparar los complejos organometálicos inmovilizados. Se muestra que in situ TOF-SIMS ofrece las ventajas de una sensibilidad extremadamente alta y gran rango dinámico general que facilita la identificación de las especies de baja abundancia incluyendo intermedios reactivos que sólo puede ser preenviado por cortos periodos de tiempo en las superficies. TOF-SIMS también proporciona una idea de cómo la eliminación de un ligando de un ion organometálico en la fase de gas, antes del aterrizaje suave, influye en su eficacia hacia la inmovilización sobre superficies y su reactividad química hacia moléculas gaseosas. Caracterización complementaria utilizando in situ FT-ICR-SIMS proporciona información detallada sobre la reducción de la carga, la neutralización y la cinética de desorción de los iones doblemente cargados en la superficie mientras que en situ IRRAS sondas de la estructura de los ligandos orgánicos que rodean los centros metálicos cargados, que pueden influir en la propiedades electrónicas y reactividad de los iones inmovilizados. Colectivamente, ilustramos cómo aterrizaje suave de los iones en serie seleccionada en combinación con el análisis in situ por SIMS y IRRAS da una idea de las interacciones entre las especies y superficies que tienen implicaciones para una amplia gama de actividades científicas bien definidas.

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Protocol

1. Preparación de Superficies COOH-SAM en el oro de aterrizaje suave de iones seleccionados-Mass

  1. Obtener sustratos de oro planas en silicio (Si) o soportes de mica. Alternativamente, preparar películas de oro sobre el Si o superficies de mica de acuerdo con los procedimientos descritos en la literatura 118.119. Nota: Utilice las superficies que tienen las siguientes especificaciones: 1 cm 2 o circular y 5 mm de diámetro, 525 m de espesor capa de Si, 50 capa de adhesión Ti gruesa Å, 1000 Å capa de Au.
  2. Coloque las superficies frescas de oro sobre silicio en viales de centelleo de vidrio y sumergirse en el más puro (no desnaturalizado) etanol.
  3. Coloque los viales de centelleo que contienen superficies de oro sumergidos en etanol en un limpiador ultrasónico y lavar durante 20 minutos para eliminar los residuos de la superficie. Nota: No lavar por ultrasonidos de oro en las superficies de mica, ya que se separará la película de oro del material de soporte de mica.
  4. Retire las superficies de oro lavadas procedentes de viales y seco, con una corriente deN pura 2 para evitar la formación de manchas residuales de etanol.
  5. Coloque las superficies de oro secos boca arriba en una luz ultravioleta (UV) más limpio y irradian durante 20 minutos para eliminar la materia orgánica de la superficie.
  6. En viales de centelleo de vidrio, se preparan 5 ml de solución 1 mM de ácido 16-mercaptohexadecanoico (COOH-SAM) en etanol no desnaturalizado.
  7. Añadir ácido clorhídrico a una concentración final de 1% de HCl en etanol para asegurar la protonación de los grupos ácido carboxílico de las moléculas.
  8. Coloque el lavado, secado y superficies UV-limpiado de oro cara arriba en las soluciones COOH-SAM que garanticen que toda la superficie de oro se sumerge por completo en cada vial. Permita que las superficies monocapa sobre el oro para montar por lo menos durante 24 horas en la oscuridad (envolver en papel de aluminio viales).
  9. Retire las superficies de las soluciones COOH-SAM y lugar en los nuevos viales de centelleo que contienen 5 ml de HCl al 1% en etanol. Ultrasonidos lavar el SAM superficies durante 5 min para eliminar las moléculas adsorbidas frOM la superficie monocapa.
  10. Retire las superficies lavadas de los viales y enjuague con varias alícuotas de 1 ml de HCl al 1% en etanol. Secar el extremo COOH-SAM superficies bajo una corriente de N 2.
  11. Con unas pinzas metálicas limpias y el uso de guantes colocan una superficie SAM en una de las tres sujeciones de los modelos de metal que son compatibles con cada instrumento aterrizaje suave teniendo cuidado de no tocar la superficie de oro frente a frente en el proceso. Asegúrese de que la superficie se fija firmemente en su lugar y que hay un fuerte contacto eléctrico entre el lado posterior de la superficie y la muestra de metal montar.
  12. El empleo de las capacidades de introducción de muestras de carga de bloqueo de los instrumentos de aterrizaje suave (cada uno es ligeramente diferente), asegúrese de que la válvula de compuerta que separa la región de introducción de muestras del instrumento de la cámara de aterrizaje suave se cierra. Llevar la muestra introducción cámara hasta la presión atmosférica al apagar la bomba de vacío turbomolecular y manómetro de ionización y closing de la válvula a la bomba de vacío mecánica línea frontal.
  13. Cuando la cámara de introducción de la muestra alcanza la presión atmosférica abrir la puerta de la muestra y asegurar el soporte de la muestra firmemente al manipulador (XYZ-etapa o Z-traductor) en el interior del instrumento. Cierre la puerta y abrir la válvula de la bomba de vacío mecánica línea frontal. Cuando la cámara de introducción de la muestra alcanza una presión de 10 -3 Torr, encender la bomba de vacío turbomolecular y manómetro de ionización.
  14. Cuando la cámara de introducción de la muestra alcanza una presión de 10 -5 Torr, abra la válvula de compuerta de la cámara de aterrizaje suave. Utilice el manipulador magnético o xyz-etapa de posicionar la superficie SAM en línea con el haz de iones para comenzar aterrizaje suave.

2. Aterrizaje suave de seleccionados a misa Ru (bpy) 2 + 3 en COOH-SAM Superficies

  1. Obtener tris (2,2 '-bipiridilo) dicloro-rutenio (II) hexahidrato sólido. Disolver los cristales rojos en metanol puro de create soluciones madre con una concentración de 10 -3 M. Diluir las soluciones madre por un factor de 10 o 100 con metanol para alcanzar la corriente de iones por electrospray óptima de la masa-seleccionado de Ru (bpy) 3 2 + m / z = 285.
  2. Cargue las soluciones diluidas en jeringas de 1 ml de vidrio. Utilice una bomba de jeringa para infundir la solución a través de un diámetro exterior de 360 ​​m 80 m de diámetro interno capilar de sílice fundida que está sesgada entre 2-3 kV para generar iones positivos. Ajuste el caudal de la bomba de jeringa entre 20-40 l / h para obtener la corriente de iones óptima y la estabilidad en la superficie.
  3. Ajuste el cuadripolo de masas-filtro a la masa de la Ru (bpy) 3 2 + iones de m / z = 285 para evitar el aterrizaje suave de especies distintas de Ru (bpy) 3 + 2 sobre la superficie. Usando una alta resistencia electrómetro conectado al sustrato a través del vacío, ajustar la configuración de tensión eléctrica de alimentación a través de la óptica de iones yde iones de radiofrecuencia guía para maximizar la corriente de iones y la estabilidad de Ru (bpy) 3 2 + mide en la superficie SAM. Permitir que el experimento funcione durante un período de tiempo seleccionado para lograr la cobertura deseada de iones en la superficie de los grupos COOH-SAM.
  4. Aumentar el gradiente de potencial en la región de cuadrupolo de colisión de alta presión de los instrumentos de aterrizaje suave para crear las duras condiciones que permiten a ligando en fase gaseosa de separación del ion organometálico a través de disociación inducida por colisión. Nota:. Examine el diagrama esquemático de uno de los tres instrumentos de aterrizaje suave, que también es representante de las primeras etapas de los otros dos instrumentos, que se presenta en la Figura 1 La fragmentación del Ru (bpy) 3 2 + iones se produce en región 4. Aumentar la tensión aplicada a la placa posterior del embudo de iones electrodinámico para eliminar un ligando de bipiridina de Ru (bpy) 3 2 + m / z = 285 producción de gas-fase de Ru (bpy) 2 2 + m / z = 207 en la región 4 del instrumento 81. Misa seleccionar el fragmento de iones undercoordinated altamente reactivo utilizando el filtro de masa cuadrupolar en la región 6 del instrumento y la tierra suave en COOH-SAM superficies para examinar cómo la extensión de la ligadura influye en las propiedades de los iones organometálicos soportados.
  5. Ajustar la óptica de iones circundantes, incluyendo los voltajes de CC aplicada a las varillas de cuadrupolo, así como el límite de la conductancia para maximizar la corriente de masa-seleccionado de Ru (bpy) 2 2 + iones de fragmentos en la superficie.

3. Análisis por In Situ TOF-SIMS Antes y después de la exposición a los gases reactivos

  1. Apagar la bomba de jeringa y de alta tensión al emisor ESI. Abrir la válvula de compuerta que separa las dos regiones del instrumento durante la operación. Utilice el manipulador magnético para mover la superficie preparada de la cámara de aterrizaje suave para la etapa de análisis en el interiorla parte TOF-SIMS del instrumento.
  2. Desenganche el manipulador de la muestra y retractarse plenamente de la cámara de análisis SIMS. Cerrar la válvula de compuerta entre el aterrizaje suave y partes SIMS del instrumento debido a que el TOF-SIMS opera a una presión mucho más baja que la región aterrizaje suave del instrumento.
  3. Para realizar el experimento TOF-SIMS, cargue el archivo de control de instrumentos en el software y asegúrese de que la fuente de Ga + está produciendo una corriente suficientemente estable de iones primarios. Nota: Emplear 15 keV primarias iones de galio (Ga +, 500 Pa, 5 ns de ancho de pulso, frecuencia de repetición de 10 kHz) para inducir la desorción del material suave aterrizado de las superficies. Extracto de iones secundarios expulsadas desde la superficie en el analizador de masas, que consta de tres sectores separados electrostáticas.
  4. Adquirir perfiles de línea x-y del eje y a través de la superficie para determinar el centro de la mancha de iones depositados sobre el sustrato (típicamente en el centro de la superficie de unND 3 mm de diámetro). Coloque la superficie de modo que el haz de iones Ga + primaria es incidente en el centro de la mancha depositada de iones. Adquirir un espectro de masas TOF-SIMS durante 5 min.
  5. Apague el haz primario de iones Ga + y altos voltajes del TOF-SIMS. Utilice el manipulador magnético para mover la muestra de nuevo en la parte aterrizaje suave del instrumento. Asegúrese de que la válvula de compuerta que separa las dos cámaras se cierra antes de seguir adelante.
  6. Utilice una válvula de escape de alto vacío en la cámara de aterrizaje suave para introducir un flujo controlado de ultra alta pureza del oxígeno (O 2) de gas de un cilindro en el instrumento. Utilice la válvula de compuerta ajustable delante de la bomba de vacío turbomolecular de estrangular la velocidad de bombeo de la bomba para conseguir una presión de estado estacionario de 10 -4 Torr de O 2 en el interior de la cámara de aterrizaje suave.
  7. Tras la exposición de la superficie a O 2 durante 30 min cierre la válvula de escape, abrir la válvula de compuerta sobre el the bomba de vacío turbomolecular y deje que el O 2 restantes a la bomba de distancia. Después de la presión en la cámara ha disminuido, abrir la válvula de compuerta a la parte SIMS del instrumento y utilizar el manipulador magnético para posicionar la superficie de la plataforma de análisis para una segunda ronda de análisis de TOF-SIMS.
  8. Después de obtener el segundo espectro TOF-SIMS como se describe en las secciones 03.03 a 03.04, abra la válvula de compuerta y la posición de la superficie posterior de la cámara de aterrizaje suave de la exposición a 10 -4 Torr de C 2 H 4 durante 30 minutos. Realizar un análisis SIMS de nuevo como se describió anteriormente.

4. Análisis por In Situ FT-ICR-SIMS durante y después del aterrizaje suave

  1. Preparar las superficies de la SAM para experimentos con el in situ instrumento FT-ICR-SIMS de una manera similar a la descrita en la sección 1, pero sobre sustratos circulares de 5 mm de diámetro. Nota: Utilice sustratos que son cortados con láser de una oblea de silicio recubierto de oro (5 nm de cromocapa de adhesión y 100 nm de oro depositado por vapor policristalino). Tenga en cuenta que la diferencia más notable es que en el instrumento FT-ICR-SIMS la superficie se coloca dentro de la perforación de un imán superconductor. La presencia del imán requiere que las superficies de ser colocados en el extremo de un 5 pies manual de Z-traductor para que puedan ser posicionado de forma segura y de manera ajustable en la placa posterior de la célula ICR.
  2. Mediante la interfaz de carga de bloqueo, coloque una superficie SAM circular en la placa de captura posterior de la célula ICR ubicado dentro de los 6 Tesla imán. Nota: Tenga en cuenta que este instrumento es un diseño especial espectrómetro de masas de 6 Tesla FT-ICR configurado para el estudio de las interacciones ion-superficie 97120.
  3. Operar la porción de aterrizaje suave de iones del instrumento FT-ICR-SIMS de una manera similar a la descrita en la sección 2.
  4. Utilice una fuente de iones de cesio para crear un haz continuo de 8 kV Cs + iones primarios a fallar la superficie durante unand después del aterrizaje suave de iones.
  5. Utilizar la fuente ESI posicionado a 90 ° hacia el principal eje de instrumentos para generar iones para el aterrizaje suave. Enfoque de los iones a través de un 90 ° cuadrupolo 120 de flexión. Nota: Tenga en cuenta esta geometría instrumento facilita suave aterrizaje simultáneo de Ru (bpy) 2 + 3 y la transmisión del haz primario de iones Cs + a la superficie lo que permite el seguimiento del proceso de aterrizaje suave, tanto durante como después de la deposición de iones.
  6. Trampa y analizar los iones secundarios expulsadas desde la superficie utilizando FT-ICR-MS. Nota: Emplear condiciones SIMS estáticos correspondientes a un flujo de iones total de cerca de 10 10 iones / cm 2 (corriente 4 nA, duración 80 microsegundos, diámetro del punto 4.6 mm, 10 disparos por espectro, ~ 200 puntos de datos) para estos experimentos que duran aproximadamente 7 horas. Un promedio de cada espectro SIMS más de 10 disparos correspondientes a un tiempo de adquisición de ~ 10 seg.
  7. Adquirir datos de cinética mediante el muestreo de la surfa SAMce cada 4 minutos durante aproximadamente 7 horas durante y después de la deposición de iones.
  8. Realizar la adquisición de datos y control de instrumentos utilizando un sistema de control de datos modular automatizado descrito en la literatura 121.

5. Análisis por In Situ IRRAS durante y después del aterrizaje suave

  1. Preparar las superficies de la SAM para experimentos con el in situ instrumento IRRAS de una manera similar a la descrita en la sección 1 Nota:. Tenga en cuenta que la mayor diferencia con los resultados de instrumentos IRRAS de la colocación precisa de la superficie con la Z-traductor que esté necesaria para localizar el sustrato en el punto focal de los espejos parabólicos y en línea con el haz de iones. Maximizar la superposición entre el haz infrarrojo y el punto de iones depositados sobre la superficie.
  2. Llevar a cabo los experimentos IRRAS en una geometría de pastoreo-incidencia empleando un espectrómetro FTIR equipado con un nitrógeno líquido refrigerado por mercurio-cadmio-teluro (MCT) Del detector.
  3. Utilizar un espejo plano recubierto de oro para dirigir la luz que sale del espectrómetro FTIR sobre un espejo parabólico de oro. Reflejar la luz del espejo parabólico través de un polarizador de rejilla de alambre del infrarrojo medio y en la cámara de vacío a través de una ventana.
  4. Dirigir la luz infrarroja del espectrómetro sobre la superficie COOH-SAM colocado dentro de la cámara de vacío. Nota: La cámara de vacío se mantiene a una presión de 10 -5 Torr durante el aterrizaje suave de iones.
  5. Coloque el SAM reflectante en la superficie de oro dentro de la cámara de vacío en el punto focal del primer espejo parabólico utilizando el z-traductor accionado por motor.
  6. Reflejar la luz IR de entrar en la cámara de vacío de la superficie de la SAM y fuera de la cámara a través de una segunda ventana gráfica. Utilice un segundo espejo de oro parabólica para enfocar la luz reflejada desde la superficie sobre un detector MCT.
  7. Purgar la vía del haz de IR fuera de la cámara de vacío con N 2.
  8. Corriente alternaespectros de mano de papel a intervalos fijos durante la deposición.

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Representative Results

1. Estudio de la reactividad de Ru (bpy) 2 + 3 en COOH-SAM mediante instrumentos in situ TOF-SIMS

Aterrizaje suave de iones organometálicos de masas-seleccionado en funcionalizado SAM se ilustra primero utilizando in situ TOF-SIMS para proporcionar la máxima sensibilidad hacia la detección de aductos formados entre los iones depositados y las moléculas individuales en las monocapas así como cualquiera de los productos de las reacciones químicas después de la exposición de las superficies a gases reactivos. El Ru doblemente cargado (bpy) 3 2 + iones proviene de la disolución y la disociación de tris en fase sólida (2,2 '-bipiridilo) cristales diclororrutenio (II) hexahidrato en metanol. El Ru (bpy) 3 2 + m / z = 285 dicatión seleccionado para los experimentos de aterrizaje suave representativos descritos en el presente documento es el ion más abundante generada a partir de ionización por electrospray de la solución. Undercoordinated Ru (bpy) 2 2 + de ioness se preparan mediante la fragmentación de un ligando de bipiridina de cada Ru totalmente ligado (bpy) 3 2 + iones. Este es inducida por colisión en fase gaseosa--disociación inducida en la primera región de cuadrupolo del instrumento aterrizaje suave se muestra esquemáticamente en la Figura 1. Una corriente de iones de alrededor de 100 Pa y 60 Pa se dirige en el extremo COOH-SAM superficies para 30 y 45 min para Ru (bpy) 3 2 + y Ru (bpy) 2 2 +, respectivamente, correspondiente a una entrega total de 5 x 10 11 iones de masas-seleccionado a un punto circular de aproximadamente 3 mm de diámetro. La energía cinética de los iones se aproximan a la superficie se determina mediante el ajuste de los potenciales aplicados a la segunda cuadrupolo de colisión (véase la Figura 1) y la superficie. La energía cinética se establece en alrededor de 10 eV por carga para todos los experimentos de aterrizaje suaves realizados usando el aparato de TOF-SIMS situ en.

Después de un aterrizaje suave de 5 x10 11 Ru intacta (bpy) 3 2 + iones sobre la superficie de la SAM-COOH, un número de nuevos picos que no están presentes antes de la deposición se hacen evidentes en los espectros de TOF-SIMS. Sobres correspondientes a isotópicas intacta doblemente cargado Ru (bpy) 2 + 3 m / z = 285 y una sola carga de Ru (bpy) 3 + m / z = 570 se observan después de un aterrizaje suave de Ru (bpy) 2 + 3 en el COOH- superficie SAM. La abundancia relativa de estas especies sugiere que la reducción de la carga iónica de Ru (bpy) 3 2 + a Ru (bpy) 3 + tiene lugar rápidamente en la superficie de los grupos COOH-SAM. Otro sobre isotópica está presente a m / z = 414 que corresponde al fragmento de Ru (bpy) 2 +. Este ion sola carga, que resulta de una pérdida de un ligando de bipiridina de una sola carga de Ru (bpy) 3 +, se probablemente se formó a través de la disociación de Ru (bpy) 3+ Durante el análisis por TOF-SIMS. En contraste, el espectro TOF-SIMS obtenidos después de aterrizaje suave del fragmento de Ru (bpy) 2 + 2 carece de cualquiera de los picos característicos relacionados con el complejo intacto (es decir, de Ru (bpy) 3 2 + o Ru (bpy) 3 +) . Lo más importante, un pico correspondiente a un Ru (bpy) + aducto de 2-tiol a m / z = 700 se observa que indica muy fuerte unión entre el ion undercoordinated y la superficie de la monocapa. Los picos correspondientes a esta especie son un lugar destacado en la figura 2a.

Después de aterrizaje suave, las superficies COOH-SAM están expuestos a presiones controladas de o bien O o 2 C 2 H 4 en la región de deposición del instrumento para examinar la reactividad química de los complejos organometálicos inmovilizados. Después de la exposición al gas, las superficies son analizadas de nuevo por in situ TOF-SIMS.Presentan en las figuras 2b y 2c son el in situ TOF-SIMS espectros obtenidos inmediatamente después de la exposición del COOH-SAM superficies que contienen suave aterrizado Ru (bpy) 2 + 3 y Ru (bpy) 2 2 + iones a O 2 y C 2 H 4. Como se discutió en el párrafo anterior, tras el aterrizaje suave de Ru (bpy) 2/3 + 2 en COOH-SAM superficies se observa una distribución isotópica correspondiente a un aducto electrostática formada entre los iones y las moléculas de la superficie. Después de la exposición de la superficie a 10 -4 Torr de O 2 durante 30 min los espectros TOF-SIMS indican que hay una reducción obvia en la abundancia del pico de aducto a m / z = 700 acompañado por un aumento concomitante en la abundancia de dos sobres nuevos isotópicos centrados en m / z = 716,2 y 732,2. Estos picos son consistentes con la adición de atómico (O) y (S 2) oxígeno molecularpara el aducto superficie organometálico, respectivamente. Por otra parte, este aducto parece ser oxidado con una eficiencia de conversión de cerca de 50%. Después de la exposición a O 2 y el análisis por in situ TOF-SIMS las superficies se colocan de nuevo en la región de aterrizaje suave del instrumento y se expusieron a 10 -4 Torr de C 2 H 4 durante 30 min. Después de la segunda exposición al gas de la superficie se transfiere de nuevo a la región de SIMS del instrumento para otra ronda de análisis. Inspección del espectro TOF-SIMS después de la exposición a C 2 H 4 indica una disminución en la abundancia relativa del producto de adición organometálico separado oxidado a m / z = 716. Esta observación es consistente con la desoxigenación del complejo organometálico inmovilizado después de la exposición a C 2 H 4. Esta es la hipótesis de resultar en la formación del hidrocarburo oxidado (C 2 H 4 O), que se libera a la fase de gas. Por lo tanto, ThrOugh una combinación de aterrizaje suave de los medios de iones y análisis seleccionados por in-situ TOF-SIMS es posible aislar selectivamente compuestos organometálicos en las superficies y examinar su reactividad frente a las moléculas gaseosas. Además, el comportamiento de los iones undercoordinated que no son accesibles en solución puede ser examinado. Un esquema que describe lo que se consigue para este sistema representativo a través de la combinación de aterrizaje suave de iones y el análisis por in situ TOF-SIMS se presenta en la Figura 3.

2. Estudiar la retención de la carga de Ru (bpy) 2 + 3 en COOH-SAM mediante instrumentos in situ FT-ICR-SIMS

Aterrizaje suave de los iones de masa seleccionado también se lleva a cabo empleando un segundo instrumento que permite el análisis de las superficies por in situ FT-ICR-SIMS. Este enfoque complementario, que permite el análisis SIMS de las superficies, tanto durante como después de aterrizaje suave de iones, es capaz de proporcionar insight en la cinética de reducción de carga y la neutralización así como la desorción de los iones depositados en las superficies 115. Es una técnica particularmente poderosa porque la abundancia relativa de los diferentes estados de carga iónica en la superficie podrá controlarse durante períodos de varias horas. Los resultados representativos de Ru (bpy) 3 2 + soft aterrizado sobre una superficie COOH-SAM se presentan en la Figura 4. Durante suave aterrizaje de la Ru doblemente cargado (bpy) 3 2 + ion exhibe un aumento lineal de la abundancia en la superficie COOH-SAM . La abundancia medido alcanza un máximo al final de aterrizaje suave y es seguido por una meseta prolongada en la superficie COOH-SAM. Esto indica que la superficie COOH-SAM es particularmente eficaz para preservar el estado de carga iónica de los iones intactos siguientes aterrizaje suave. La sola carga de Ru (bpy) 3 + iones también exhibe un aumento lineal en abundancia con respecto al tiempo durante el aterrizaje suave . Al final de aterrizaje suave, sin embargo, el ion sola carga disminuye en abundancia. La abundancia de los iones fragmento de una sola carga resultante de la pérdida de un ligando de bipiridina de Ru (bpy) 3 + formando Ru (bpy) 2 + También se muestra en la Figura 4. Este ion muestra un aumento lineal en la abundancia durante el aterrizaje suave seguido de una disminución de la abundancia en el extremo COOH-SAM después del final de la deposición. Debido a que la energía de enlace de los iones a la superficie aumenta con el estado de carga, es razonable suponer que los iones de una sola carga se someten a desorción más fácil de la superficie en comparación con los iones doblemente cargados, lo cual es consistente con la pérdida más rápida de iones cargados individualmente observado en este estudio. Aterrizaje suave junto con in situ FT-ICR-SIMS es, por lo tanto, una técnica poderosa para la investigación de procesos tales como la reducción de la carga, la neutralización y la desorción de iones depositados en las superficies.

ove_title "> 3. Sondeo de las características estructurales de Ru (bpy) 2 + 3 en COOH-SAMs Empleando In Situ IRRAS

La tercera instrumento utilizado para la caracterización de iones-suaves aterrizado es capaz de obtener espectros de vibración de la Ru (bpy) 3 2 + iones en el extremo COOH-Sams en Además de detectar los cambios a la superficie modificada químicamente debido a las interacciones de iones de la superficie. Este instrumento es especialmente poderosa, ya que mide los cambios en las características de vibración de la superficie, tanto durante como después del aterrizaje suave. Por lo tanto, una gran cantidad de información estructural con respecto a los iones suave aterrizado se puede obtener usando este instrumento, a condición de que los niveles de sub-monocapa de iones se depositan y que la transición momentos dipolares de la suave aterrizaron iones están alineados favorablemente y poseen suficiente intensidad para interactuar con la polarizada IR fotones incidentes sobre la superficie.

El espectro infrarrojo obtenido después de Landi suaveng de 5 x 10 12 Ru (bpy) 3 2 + iones sobre la superficie COOH-SAM se presenta en la Figura 5. Tomamos nota de que debido a que el espectro IR del desnudo COOH-SAM fue utilizado como el espectro de fondo, los rasgos observados después deposición de iones se originan únicamente de los modos de vibración de los iones-suaves aterrizado. Nueve características vibratorias se indican con un asterisco en el espectro IR firmas espectroscópicas como únicas de Ru (bpy) 2 + 3. Estas características IR están en buen acuerdo con los valores previamente asignados para este ión organometálica 122.123. Fuera de las frecuencias vibratorias observados, el CC estiramiento (1606; 1570; 1042 cm -1) y CCH flexión (1466; 1450; 1420; 1257; 1186 cm -1) bandas, así como la firma IR de un tramo CN en 1549 cm -1 se asignan como características únicas de la estructura molecular de Ru (bpy) 3 2 +. Al llevar a cabo ionexperimentos de aterrizaje suave, es deseable caracterizar la superficie usando técnicas de espectroscopia con el fin de confirmar la identidad de las especies depositadas y para obtener información sobre posibles cambios en la estructura que pueden resultar de las interacciones de iones de la superficie. Con este fin, el in situ IRRAS instrumento aterrizaje suave resulta ser un recurso valioso que contribuye a la información más amplia sobre el sistema de recogida de interés utilizando TOF y FT-ICR-SIMS.

Figura 1
. Figura 1 Ilustración esquemática del instrumento de deposición de iones acoplado a la TOF-SIMS: I, región embudo de iones (7 x 10 -1 Torr). II, de colisión región de cuadrupolo (1 x 10 -1 Torr). III, la selección en masa y la región de enfoque (2 x 10 -4 Torr). IV, deposición de reregión (1 x 10 -6 Torr). (1) capilar calentado, (2) embudo de iones electrodinámica, (3) Límite de primera conductancia, (4) primer cuadrupolo colisión, (5) Límite segundo conductancia, cuadrupolo (6) resolver, (7) 2 lentes de enfoque, (8) segundo cuadrupolo colisión, (9) Límite tercera conductancia, la lente (10) Einzel, (11) cuadrupolo doblador, (12) dos lentes Einzel, (13) de la plataforma de destino, (14) de montaje de superficie, (15) traductores magnéticos. Esta cifra se ha modificado a partir de [Analytical Chemistry 2010, 82 (13), 5718-5727]. Haga clic aquí para ver la imagen más grande .

Figura 2
Figura 2. Espectros TOF-SIMS (m / z 690 a 740). Obtenido a) después de masdeposición seleccionado-s de Ru (bpy) 2 + 2 (negro) y Ru (bpy) 3 2 + (rojo) sobre la superficie de COOH-SAM, b) después de la exposición a O 2 y c) después de la exposición a C 2 H 4. Esta cifra se ha modificado a partir de [Química-A European Journal 2010, 16 (48), desde 14433 hasta 14438]. Haga clic aquí para ver la imagen más grande .

Figura 3
Figura 3. Representación esquemática de la inmovilización de Ru (bpy) 2 + 2 en el COOH-SAM superficies a través de ligando en fase gaseosa pelar y aterrizaje suave de iones de masas-seleccionado. Esta cifra se ha modificado a partir de [Química-A European Diario 2010, 16 (48), 14433-14438]. Haga clic aquí para ver la imagen más grande .

Figura 4
Figura 4. FT-ICR SIMS parcelas cinéticos. Obtenido de Ru (bpy) 3 2 + (m / z = 285, cuadrados negros), Ru (bpy) 3 + (m / z = 570, triángulos azules) y Ru (bpy ) 2 + (m / z = 414, puntos rojos) después de un aterrizaje suave de Ru (bpy) 2 + 3 sobre una superficie COOH-SAM. Haz clic aquí para ver la imagen más grande .

La figura 5 Figura 5. IRRAS espectro de ~ 5 x 10 12 Ru (bpy) 3 2 + iones suave aterrizado en la superficie de un SAM-COOH. Las principales características vibracionales asignados a Ru (bpy) 3 + 2 se indican con un asterisco. Haga clic aquí para ver la imagen más grande .

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Discussion

Suave aterrizaje de iones en serie seleccionada se realiza generalmente empleando instrumentos a la medida única que existe en varios laboratorios de todo el mundo que están especialmente equipadas para estos experimentos. Las modificaciones se están haciendo constantemente a estos instrumentos para facilitar la ionización de una gama más amplia de compuestos, para lograr las corrientes de iones más grandes y los tiempos de deposición más cortos, para multiplexar aterrizaje suave y de ese modo lograr la deposición simultánea de varias especies en diferentes lugares sobre la superficie, y para permitir la selección más precisa de iones por tanto relación de masa a carga y de movilidad de iones antes de la deposición. En una manera similar, una formación en constante cambio de técnicas de caracterización se está acoplada con iones de instrumentación aterrizaje suave para permitir el análisis in situ de material depositado. A pesar de estas diferencias entre los instrumentos individuales, uno de los problemas más comunes encontrados en los experimentos de aterrizaje suave es la incapacidad deruta un haz suficientemente fuerte y estable de los iones de masa-seleccionado de la región de origen del instrumento a la superficie. Esto puede ser el resultado de una pobre eficiencia de ionización en la fuente, mal ajustada tensiones que dirigen los iones a través del instrumento, y un mal contacto eléctrico entre la superficie y el electrómetro utilizado para medir la corriente de iones aterrizado suaves. En tales situaciones problemáticas, el haz de iones puede ser enrutado a través del instrumento manualmente por primera maximizar la corriente de iones medida en la etapa más temprana del instrumento y luego optimizar sistemáticamente la corriente medida en cada óptica posterior a lo largo de la trayectoria del haz total. Los problemas más comunes encontrados durante el análisis in situ de materiales desembarcados blandos incluyen grandes señales de fondo a partir de moléculas de contaminantes tales como hidrocarburos adventicias. Por esta razón, es crítico que las superficies se preparan con cuidado y de forma reproducible antes de cada experimento aterrizaje suave.

Asípies de aterrizaje de los iones de masa-seleccionado puede usarse para preparar superficies extremadamente bien definidos para su posterior análisis por in situ SIMS y espectroscopia de IRRAS, así como toda una serie de microscopía ex situ y técnicas de espectroscopia adicionales 6. La selección en masa ofrece un control preciso sobre la composición molecular y estado de carga iónica de materiales blandos aterrizado. Además, limpieza de la superficie sin precedentes se puede obtener con el aterrizaje suave de iones porque los contaminantes comunes, tales como moléculas neutras, contraiones y disolvente que están presentes en solución se eliminan de la haz de iones antes de la deposición de manera que sólo los iones de masa-seleccionado se entregan al sustrato bajo condiciones de vacío estériles. La cobertura de los iones en la superficie puede ser controlada cuidadosamente mediante la supervisión de la corriente de iones aterrizado suaves y variando la longitud de la deposición en consecuencia. La energía cinética de los iones puede ser reducido para lograr condiciones de aterrizaje suave o aumentarse para promover reaccionarive aterrizaje a través de la formación del enlace covalente 14 o "pinning" de iones en la superficie 22.

En situ TOF-SIMS, en comparación con la otra técnica FT-ICR-SIMS, se caracteriza generalmente por una mayor sensibilidad, mayor rango dinámico, menos fragmentación de iones secundarios bombardeada, y menos reacciones de material por bombardeo iónico en el penacho de iones secundarios. El rango dinámico más amplio y una mayor sensibilidad de TOF-SIMS permiten la detección de especies poco abundantes producidos por el aterrizaje suave de iones en las superficies. Uso in situ TOF-SIMS es posible identificar aductos que se forman entre los iones suaves aterrizado y moléculas individuales en las superficies monocapa. Además, in situ TOF-SIMS ilustra que los iones undercoordinated preparados por colisión en fase gaseosa disociación inducida pueden ser más activos hacia la superficie inmovilización de iones completamente ligados. Cabe señalar que no existen estos iones metálicos undercoordinated en thfase de solución E y, por lo tanto, representar nuevos especies preparadas utilizando las capacidades de la instrumentación aterrizaje suave y identificados utilizando TOF-SIMS. Otra potente capacidad de la situ instrumento TOF-SIMS en es la capacidad de exponer las superficies a presiones controladas de gases reactivos y posteriormente analizar los cambios en la composición de superficie sin romper el vacío.

En situ FT-ICR-SIMS, aunque en general menos sensible y propensa a algo más altos rendimientos de iones y productos de reacciones de iones de moléculas en fase gaseosa que TOF-SIMS de fragmentos, ofrece la capacidad adicional de ser capaz de controlar la composición de la superficie tanto durante como después de aterrizaje suave durante un período de varias horas. Esta información es fundamental para la comprensión de los procesos tales como la reducción de la carga y desorción de los iones de la superficie. Por ejemplo, este instrumento se ha utilizado previamente para supervisar la química redox toma lugar entre dos iones diferentessuave aterrizó en el mismo SAM 80. Además, la reducción de carga y desorción cinética de los iones peptídicos protonadas se multiplican también se han estudiado utilizando este instrumento y los datos se aplicó para producir un modelo de cinética que describe la evolución de diferentes especies cargadas en las superficies de las SAM en el tiempo.

El empleo en IRRAS in situ, información estructural sobre los iones aterrizado suave sobre las superficies se puede obtener para verificar que los iones conservan su integridad durante el proceso de deposición. Esto se logra mediante la comparación de los espectros de infrarrojos medido de iones sobre superficies con espectros anterior obtenidos por espectroscopia de infrarrojos en la fase de fase de gas y solución, así como espectros de IR calculada usando modelos teóricos. Al comparar esta información estructural conocida con las características de vibración medidos de las muestras depositadas, se pueden identificar cambios en las estructuras de fase de gas. Además, la penetración en las interacciones de iones de la superficie puede ser tancertained de la observación de las características de vibración que aumentan en intensidad durante el curso de aterrizaje suave. Tal observación es consistente con la formación de nuevos enlaces en la superficie. En una línea similar, las características vibratorias que disminuyen durante el proceso de aterrizaje suave puede ser indicativo de reacciones de enlaces sin precedentes.

La preparación controlada de alta pureza de películas delgadas sobre superficies es necesario para una variedad de aplicaciones en la ciencia de materiales y microfabricación 124. Actualmente, un método popular para la preparación de películas delgadas orgánicas e interfaces híbridos orgánico-inorgánico es la deposición de capa molecular (MLD) que depende de reacciones interfaciales autolimitantes que ocurren entre las moléculas y superficies 125,126. DLM permite una gran cantidad de control sobre el proceso de deposición y, por lo tanto, en general, produce películas de mayor calidad en las superficies que los métodos en fase de solución 127. Sin embargo, a pesar de la generalizada commeuso Rcial de MLD, esta técnica se sabe que sufren de varias limitaciones importantes que han sido revisados ​​en una reciente publicación 128. Lo más importante, debido al hecho de que MLD se basa en la deposición de moléculas neutras de la fase gaseosa que se limita a los reactivos térmicamente estables que tienen suficiente presión de vapor para producir tasas de deposición eficaces sin causar degradación térmica del compuesto. Otra limitación de MLD deriva del hecho de que la reactividad de las moléculas con soportes sólidos puede reducirse significativamente en la ausencia de disolvente. Suave aterrizaje de iones en serie seleccionado en superficies supera estas limitaciones mayores de MLD. En primer lugar, gentil electrospray empleadora ionización puede producir iones de grandes moléculas termolábiles que tienen una volatilidad muy baja, sin inducir la fragmentación o degradación. Además, las fuentes de iones no térmicos se pueden usar para generar una amplia gama de grupos y nanopartículas homogéneas o heterogéneas que no son susceptibles a Thermal volatilización. Por otra parte, los iones pueden acelerarse antes de la deposición de la energía cinética necesaria para superar las barreras potenciales asociados con reacciones interfaciales.

Suave aterrizaje de iones de masas-seleccionado es especialmente adecuado para la inmovilización controlada de moléculas complejas, clusters, y las nanopartículas sobre sustratos. Sin embargo, la preparación a escala comercial de los materiales con esta técnica es limitada debido al hecho de que las corrientes de iones típicos obtenidos con ESI son varios órdenes de magnitud inferiores a las actualmente utilizadas en los métodos de micro-y nanofabricación existentes. El continuo desarrollo de las fuentes luminosas de alta transmisión ESI 129-131, de alta potencia y fuentes de láser pulsado de tasas de repetición rápida 25132 y fuentes continuas basado en DC y RF magnetrón sputtering 43,65,133-135 es un requisito previo fundamental para la transición suave aterrizaje de una herramienta de gran alcance en la ciencia fundamental para un enfoque prácticopara la microfabricación. En el futuro, la combinación de aterrizaje suave con la separación de movilidad de iones 113 facilitará un control preciso tanto de la primaria y la estructura secundaria de iones complejos, que es importante tanto para aplicaciones prácticas, así como para investigar el efecto de diferentes superficies en la estructura secundaria de iones inmovilizados. Además, las capacidades únicas de instrumentación aterrizaje suave se utilizan para manipular moléculas en la fase de gas, ya sea a través de la fragmentación de colisión o reacciones ion-moleculares, para generar nuevas especies que no se pueden obtener a través de la síntesis en solución.

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Disclosures

Los autores no tienen nada que revelar.

Acknowledgments

Esta investigación fue financiada por la Oficina de Ciencias Básicas de Energía, División de Ciencias Químicas, Geociencias y Biociencias del Departamento de Energía de EE.UU. (DOE). UGE reconoce el apoyo del Programa de Laboratorio de Investigación Dirigida y Desarrollo en el Laboratorio Nacional del Pacífico Noroeste (PNNL) Linus Pauling de Becas y. Este trabajo se realizó con EMSL, un centro nacional de usuarios científica patrocinada por el Departamento de la Oficina de Investigación Biológica y Ambiental de la Energía y ubicado en PNNL. PNNL es operado por Battelle para el Departamento de Energía EE.UU..

Materials

Name Company Catalog Number Comments
Gold on Silicon Substrates 1 cm2 Platypus Technologies Au.1000.SL1custom  
Gold on Silicon Substrates 4.8 mm diameter circular SPI Supplies 4176GSW-AB  
Glass Scintillation Vials Fisher Scientific 03-337-14  
Non-denatured Ethanol Sigma-Aldrich 459836-1L  
Ultraviolet Cleaner Boekel Scientific  
16-Mercaptohexadecanoic Acid Sigma-Aldrich 448303-5G  
Hydrochloric Acid Sigma-Aldrich 320331-500ML  
Aluminum Foil Sigma-Aldrich Z185140-1EA  
Metal Forceps/Tweezers Wiha 49185  
Nitrile Gloves Fisher Scientific S66383  
Tris(2,2′-bipyridine)dichlororuthenium(II) hexahydrate Sigma-Aldrich 224758-1G  
Methanol Sigma-Aldrich 322415-1L  
1 ml Gas Tight Glass Syringe Hamilton  
Syringe Pump KD Scientific 100  
360 μm ID Fused Silica Capillary Polymicro Technologies TSP075375  
High Resistance Electrometer Keithley 6517A  
Commercial TOF-SIMS Instrument Physical Electronics TRIFT  
Ultra High Purity Oxygen Matheson G1979175  
Research Purity Ethylene Matheson G2250178  
Cesium Ion Source Heat Wave Labs 101502  
Commercial FTIR Spectrometer Bruker Vertex 70  

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References

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<em>In Situ</em> SIMS y espectroscopia IR de superficies bien definidas Preparado por Soft Landing de iones seleccionados-Mass
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