Summary
氧化锌薄膜晶体管（TTs）氧化铝介电层生长的阳极化参数各不相同，以确定对电气参数响应的影响。方差分析 （ANOVA） 应用于 Plackett-Burman 实验设计 （DOE），以确定导致器件性能优化的制造条件。
Abstract
氧化铝（Al2O3）是一种成本低、易于加工、高电常绝缘材料，特别适用于薄膜晶体管（TT）的介电层。与需要相对较高温度（高于300°C）（如水燃烧或喷热解）等复杂工艺相比，金属铝膜阳极化产生的氧化铝层的生长非常有利。然而，晶体管的电性能高度依赖于半导体/电介质接口存在的缺陷和局部状态，这些缺陷和局部状态受到阳极化介电层制造参数的强烈影响。为了确定多个制造参数如何影响器件性能而不执行所有可能的因素组合，我们使用基于 Plackett-Burman 实验设计 （DOE） 的减因法分析。选择此 DOE 仅允许使用 12 个因子组合（而不是所有 256 种可能性）来获得优化的设备性能。通过将方差分析 （ANOVA） 应用于获得的结果，可以按对设备响应（如 TFT 移动性）的影响对因子进行排名。
Introduction
灵活、印刷和大面积的电子产品代表着一个新兴市场，预计在未来几年将吸引数十亿美元的投资。为了满足新一代智能手机、平板显示器和物联网 （IoT） 设备的硬件要求，对轻巧、灵活且具有可见光谱光透射的材料有着巨大的需求，同时不牺牲速度和高性能。关键是要找到非晶硅（a-Si）的替代品，作为大多数当前有源矩阵显示器 （AMD） 驱动器电路中使用的薄膜晶体管 （TT） 的活性材料。a-Si 与灵活透明的基板的兼容性较低，对大面积加工具有限制，并且载波移动性约为 1 厘米2ΜV-1μs-1，无法满足下一代显示器的分辨率和刷新率需求。半导体金属氧化物（SMO）如氧化锌（ZnO）1、2、3、氧化,3锌1,2（IZO）4、5和氧化锌4,5（IGZO）6、7是取代A-Si作为6,7TTF活性层的好选择，因为它们在可见光谱中高度透明，与柔性基材和大面积沉积相容，可实现高达80cm-V的动员性。2-1此外，SM可采用多种方法处理：射频溅射6、脉冲激光沉积（PLD）8、化学气相沉积（CVD）9、原子层沉积（ALD）10、自旋涂层1011、喷墨印刷12和喷热解13。89
然而，除了控制内在缺陷、空气/紫外线刺激不稳定以及半导体/介电接口局部状态的形成等挑战外，仍需要克服，以便能够大规模制造包含基于SMO的TT的电路。在高性能TT的所需特性中，可以提到功耗低、工作电压低、栅极漏电流低、阈值电压稳定性和宽带频率运行，这些特性极其依赖于栅极介质（以及半导体/绝缘体接口）。从这个意义上说，高电介质材料14、15、1615,16特别有趣，因为它们使用相对薄的薄膜提供单位面积的电容值大，漏电流低。14氧化铝（Al2O3）是TFT介电层的一种有前途的材料，因为它具有高介电常数（从8至12），高介电强度，高电阻率，高热稳定性，可以通过几种不同的沉积/生长技术15，17，18，19，20，21作为极其薄和均匀的薄膜进行加工。15,17,18,19,20,21此外，铝是地壳中第三最丰富的元素，这意味着与用于产生高k电介质的其他元素相比，铝很容易获得，而且价格相对便宜。
虽然 Al2O3薄（100 nm 以下）薄膜的沉积/生长可以通过射频磁控喷溅等技术成功实现， 化学气相沉积（CVD），原子层沉积（ALD），由薄金属Al层17、18、21、22、23、24、25、26的阳极化生长，由于其简单、低成本、低温和纳米尺度的薄膜厚度控制，对柔性电子器件特别感兴趣。17,18,21,22,23,24,25,26此外，阳极氧化在卷对卷 （R2R） 加工方面具有巨大潜力，这很容易适应工业层面已经使用的加工技术，从而能够快速进行制造升级。
Al2O3金属 Al 阳极化增长可以通过以下方程描述
2Al = 3 / 2 02 = Al2O3 （1）
2Al = 3H2O = Al2O3 + 3H2 （2）
其中氧气由电解质溶液中的溶解氧或薄膜表面的吸附分子提供，而水分子则从电解质溶液中迅速获得。阳极化膜粗糙度（由于半导体/电介质接口的载波散射影响TFT移动性）和半导体/电介质接口的局部状态密度（影响TFT阈值电压和电滞）在很大程度上取决于阳极化过程参数，仅举几例：电解质24、27,27的含水量、温度和pH值。与 Al 层沉积相关的其他因素（如蒸发率和金属厚度）或阳极化后过程（如退火）也会影响预制 TT 的电气性能。通过单独改变每个因子，同时保持所有其他因素不变，可以研究这些多重因素对响应参数的影响，这是一项极其耗时且效率低下的任务。另一方面，实验设计（DOE）是基于多个参数同时变化的统计方法，它允许使用相对减少的实验28数量来识别系统/设备性能响应中最重要的因素。
最近，我们使用基于Plackett-Burman29 DOE的多变量分析来分析Al2O3阳极化参数对溅射ZnOTT18性能的影响。结果用于查找几个不同响应参数的最显著因素，并应用于器件性能的优化，仅改变与介电层阳极化过程相关的参数。
目前的工作介绍了使用阳极化 Al2O3薄膜作为门介电的制造 TT 的整个协议，以及使用 Plackett-Burman DOE 研究多个阳极化参数对器件电气性能影响的详细说明。通过对方差（ANOVA）的分析与实验结果分析，确定对TFT响应参数（如载波移动性）的影响的重要性。
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Protocol
本工作中描述的协议分为：一） 制备氧化电解溶液，用于阳极化;ii） 基板清洗和制备;iii） 阳极化过程;iv） TFT 有源层和排水/源电极的沉积;v） TFT 电气特性和分析以及 ANOVA 的应用，以确定制造因素在 TFT 移动性中的重要性。
1. 制备阳极氧化电解溶液
- 在洁净室或层压流柜内执行协议的所有程序，以避免样品制备过程中的灰尘或污染物。
- 制备不同水/乙二醇体积比（16%和30%）的两种酒石酸（0.1 M）溶液，作为阳极电解溶液。使用电解溶液中的含水量作为阳极化层的制造参数。
- 在150 mL烧杯中，将1.5克的焦油酸溶解成16 mL的去离子水和84 mL的乙二醇，以获得16%的水电解质原料溶液。对于 30% 的水电解质库存溶液，请使用 1.5 克塔油酸、30 mL 脱离子水和 70 mL 乙二醇。使用磁棒搅拌两种解决方案 30 分钟。
- 将约 10-20 mL 的氢氧化铵 （NH4OH） 溶液（如购买，28 ~30% NH 3 体积）分离到 20 mL 烧杯中，对电解溶液的 pH 进行粗略调整。
- 从原 NH4OH 溶液中制备 80 mL 稀释溶液（约 2%），以精细控制电解溶液的 pH。
- 将电解质溶液分离到 150 mL 烧杯中，以调整溶液的 pH。
- 使用工作台 pH 仪表测量电解溶液的 pH 值。开始移液浓度更大的 NH4OH，直到 pH 接近所需的 pH（5 或 6）。
- 将更稀释的 NH4OH 溶液移液到电解溶液中，直到 pH 以所需值设定。准备 pH 值为 5 和 6 的电解质溶液，以研究对阳极化过程的影响。
2. 基板清洗和制备
- 使用 20 mm x 25 mm 玻璃滑片（1.1 毫米厚）作为基板。
- 在加热 （60°C） 碱性洗涤剂溶液中对玻璃滑板（除离子水中为 5%）进行 15 分钟加热。在去离子水中大量冲洗，在清洁干燥空气 （CDA） 或氮气中干燥。
- 用丙酮（ACS试剂等级或高级）对玻璃滑板进行5分钟声波。用CDA或氮气干燥基板。
- 将异丙醇（ACS试剂等级或高级）中的玻璃滑板声波5分钟。将基板干燥为CDA或氮。
- 将基板插入等离子清洁剂的腔室，关闭盖子并使用真空泵排空造型室。
- 达到真空时，以中等功率（10.5 W）打开 RF 发电机 5 分钟。等离子清洗后，基板已准备好用于铝门沉积。
3. 铝门电极蒸发
- 将玻璃滑板插入机械阴影面罩中，以沉积 25 x 3 mm 的铝条。这种铝条将用作TFT门电极，由阳极化形成的氧化铝层为TFT介电层。在补充文件中介绍了栅极的影罩设计示例。
- 将带阴影遮罩的基板放在热蒸发室室内，用于铝层沉积。关闭房间。启动腔室疏散程序。等待室压力低于 2.0 x 10-6 mbar 以开始热蒸发。
- 沉积铝层。使用两种不同的厚度（60 nm 和 200 nm）来评估对介电层的影响。使用两种不同的蒸发速率 5°/s 和 15 +/s 来研究 Al 蒸发率的影响。
- 铝蒸发后，从蒸发室中取出样品。
- 从面罩上取下带铝条的玻璃滑板，并检查铝层是否正确沉积。电极已准备好进行阳极化过程。
4. 铝层阳极化过程
- 将两个鳄鱼夹连接器连接到适合烧杯顶部的塑料盖中。此盖可以进行三维打印。
- 将其中一个夹式连接器连接到玻璃滑道的铝条，另一个连接到镀金不锈钢板（厚度为 0.8 毫米，20 x 25 毫米）。以约 2 厘米的分离距离将两个电极朝对方面。
- 在 150 mL 烧杯中使用大约 150 mL 的电解溶液（在 pH 调整后）。在阳极化过程中，使用小磁条搅拌溶液。
- 将烧杯放在磁性搅拌器顶部加热。将温度调整到所需值（当前纸张中使用了 40 °C 和 60 °C）。
- 将电极浸入电解溶液中，将塑料盖连接到夹接头上，盖住烧杯。
- 将铝电极连接到正极输出和镀金不锈钢电极到电流/电压源和测量单元 （SMU） 的负输出。
- 计算铝电极的淹没面积，并应用与所需电流密度等效的恒定电流（我们使用两个值 0.45 mA/cm2和 0.65 mA/cm2），并监控电压的线性增长，直到预设的最终值（我们使用VF = 30 V 和VF = 40 V）。
- 达到最终电压后，将 SMU 从电流源切换到电压源，并在足够长的时间内施加恒定电压（等于最终电压），以接近零（约 5 分钟）的电流减小。在阳极化过程中，使用 Python 2.7 中的脚本自动控制 SMU。此脚本的副本可在补充文件部分提供。
- 从电解溶液中取出电极，用去离子水冲洗大量，用 CDA 或氮气干燥，并储存 Al/Al2O3玻璃基板，直到使用为止。
- 为了观察退火对介电层的影响，在150°C下在烤箱中对基板进行1小时内。
5. ZnO 活动层沉积
- 将具有阳极氧化铝层的基板插入适当的机械阴影掩膜中，以便进行有源层沉积。
- 将带面罩的基板放在溅射系统的腔内。使用 ZnO （99.9%）溅射目标。关闭造型室并启动疏散程序。
- 将 Ar 压力调整到 1.2 x 10-2 Torr，将射频功率调整到 75 W，然后启动 ZnO 沉积。在 0.5 °/s 处控制沉积速率。当活性层厚度达到 40 nm 时停止 ZnO 沉积。
- 打开造型室并取出样品。
6. 排空和源电极沉积
- 将样品与溅射的 ZnO 层一起插入适当的机械阴影掩膜中，用于 TFT 源/排水电极沉积。适当的排水和源电极间距为 100 μm，横向重叠为 5 mm。排水/源掩码设计的模板随补充文件一起提供。在此类配置中，请注意，排水电极和源电极相同，可在设备操作上无需更改即可互换。
- 将样品连接到热蒸发系统室内的阴影面罩，然后启动铝蒸发程序。
- 以 5°s 的沉积速率沉积 100 nm Al 层，以获得有源层顶部的排水/源电极，完成 TFT 制造过程。
- 从蒸发室中取出TT，检查沉积电极的质量，并将其储存在使用前免受光线照射。
7. TFT 电气特性
- 将 TT 放在半导体探头站或定制样品支架上。使用弹簧探头连接器连接门、排水管和源电极，用于电气触点。
- 将探头连接到双通道源测量单元（推荐 Keithley 2612B 或类似）。将栅极连接到通道 1 的"高"输出/输入，将漏管（或源）电极连接到通道 2 的"高"输出/输入。短路通道和源（或排水）电极的"低"输出/输入端子，后者保持断开状态。
- 获取特征 TFT 曲线。通过在栅极（Vg） 处施加恒定电压偏置，并扫描漏源电压（VDS） 并记录漏源电流（IDS）， 获得输出曲线。通过记录漏源电流（IDS）来获取传输曲线，同时扫描栅极电压（Vg）， 并保持漏源电压 （VDS） 常数。
- 绘制出水电流与栅极电压（（IDS）1/2 vs. Vg的平方根，并从曲线斜率获取饱和度机制（μs）中的载波移动性，并从曲线线性部分的 x 轴截取处获得载波移动性。
- 如果需要，请确定其他性能参数从晶体管曲线，如描述其他地方18。
8. 分析及设计因素对设备性能的影响
- 使用软件根据 Placket-Burman 矩阵（考虑 8 个制造因素）设置实验设计 （DOE）。我们使用Chemoface，这是一个免费，用户友好的软件开发的联邦拉夫拉斯大学（UFLA），巴西30。
- 用作阳极化参数的因素：i） Al 层的厚度;ii） Al蒸发率;iii） 电解溶液中的含水量;iv） 电解质的温度;v） 电解溶液的pH;vi） 阳极化期间的电流密度;vii） 退火温度和八） 阳极化的最终电压。
- 对于每个因子，请考虑两个级别，如表1给出的 。
- 根据表2给出的 DOE 软件，组装 Plackett-Burman 设计表。
- 根据表 2生成的 12 个"运行"来准备改变制造参数的 TT。每次运行提供制造因子的代表性变化，而无需为两级、8 个参数实验执行所有 256 （28） 可能的组合。
- 从软件向 DOE 表提供 TFT 特性的性能数据（例如，TFT 移动饱和度），并遵循每次运行的制造方向。
- 使用相同的制造系数添加来自不同设备的复制次数，以增加分析的自由度数。
- 从数据执行 ANOVA 并分析输出，以确定哪些阳极化参数对 TFT 性能影响最大。
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Representative Results
八种不同的氧化铝层制造参数作为我们用来分析TFT性能影响的制造因素。这些因素在表 1中枚举，其中给出了两级因子 DOE 的相应"低"（-1）和"高"（+1）值。
为简单起见，每个制造因子分别由大写字母（A、B、C 等）和相应的"低"或"高"级别命名，分别表示 -1 和 +1。Placket-Burman DOE 矩阵考虑了两个级别中变化的 8 个因素，结果进行了 12 次实验运行，并结合表 2给出的水平。
表 2中的每个实验运行都定义了用于生产 Al2O3层的制造条件，该层用作具有类似预期特性的一组晶体管的介电层。每组晶体管均以TFT输出和传输曲线为电气特征。为了获得 TFT 饱和度机制中的移动性，我们使用通道电流 （ ID） 和栅极电压之间的关系：
(3)
其中w是通道宽度、L、通道长度和Ci，即每个单位面积的介电层电容。图1显示了根据表2中运行#3给出的制造参数构建的TFT的传输曲线。ID1/2vs.VG曲线也如图1所示，允许从曲线的斜率和从线性区域外推到水平轴的阈值电压（Vth）评估 TFT 移动性（μ）。
根据 12 个运行参数计算所有已构建晶体管的移动值在表中计算，用于馈送使用 DOE/ANOVA 分析软件 （Chemoface） 组装的 PB DOE 的输入。对于每组制造参数，共构建了 6 个复制的 TT，从而产生了 72 个设备。通过执行 ANOVA，可以对最重要的因子进行排名，这些因素可以使用 Pareto 效果图以图形方式表示，如图2a所示。图 2显示了将 TFT 移动性作为响应参数的分析结果。可以针对不同的器件响应参数（开/关比、Vth等）进行类似的分析。图 2b显示了影响表和相应的因子显著性。结果表明，TFT 移动性的最重要因素是阳极化过程中使用的最终电压 （H）。最终电压与介电层厚度成正比。生长比约为 1.2 nm/V，例如，使用 40 V 的最终电压时，在 48 nm 厚的层中生成。其他重要因素有（按以下顺序排列）：Al蒸发率（因子B）、Al层厚度（因子A）、电解质中的含水量（因子C）和电解质的pH值（因子E）。此外，所有重要因素都被认为是"负"的，这意味着随着因子从"低"（-1）级别更改为表 1给出的"高"（+1）级别，TFT 移动性降低。制造因子的重要性可用作特定响应参数（在当前情况下为 TFT 移动性）获得优化 TFT 性能的方向。
图 1：根据运行#3从 TFT 制造的传输曲线。（IDS）1/2 v G 的斜率允许确定 TFT 移动性和 x 轴、阈值电压（Vth） 的截距。 G请点击此处查看此图形的较大版本。
图2： （a）对 TFT 移动性的影响帕雷托图。（b） 影响表和相应的因素意义。请点击此处查看此图形的较大版本。
| 因素 | 单位 | "低"值 （-1） | "高"值 （+1） | |||||||||
| A | Al 层厚度 | 纳米 | 60 | 200 | ||||||||
| B | Al 蒸发率 | */s | 5 | 15 | ||||||||
| C | H2O 内容 | % | 16 | 30 | ||||||||
| D | 电解质温度 | C | 40 | 60 | ||||||||
| E | 电解溶液的pH | - | 6 | 5 | ||||||||
| F | 电流密度 | mA/cm2 | 0.45 | 0.65 | ||||||||
| G | 退火 | C | 无热处理 | 在 150 oC 下退火 | ||||||||
| H | 最终电压 | 五 | 30 | 40 | ||||||||
表1：氧化铝TFT介电层的制造参数。每个因子都有相应的"低"（-1）或"高"（+1）值。
| 运行 | A | B | C | D | E | F | G | H |
| 1 | -1 | -1 | -1 | -1 | -1 | -1 | -1 | -1 |
| 2 | 1 | -1 | 1 | 1 | -1 | 1 | 1 | 1 |
| 3 | -1 | -1 | -1 | 1 | -1 | 1 | 1 | -1 |
| 4 | 1 | -1 | -1 | -1 | 1 | -1 | 1 | 1 |
| 5 | 1 | 1 | -1 | 1 | 1 | 1 | -1 | -1 |
| 6 | -1 | 1 | -1 | 1 | 1 | -1 | 1 | 1 |
| 7 | 1 | 1 | 1 | -1 | -1 | -1 | 1 | -1 |
| 8 | -1 | -1 | 1 | -1 | 1 | 1 | -1 | 1 |
| 9 | 1 | -1 | 1 | 1 | 1 | -1 | -1 | -1 |
| 10 | 1 | 1 | -1 | -1 | -1 | 1 | -1 | 1 |
| 11 | -1 | 1 | 1 | -1 | 1 | 1 | 1 | -1 |
| 12 | -1 | 1 | 1 | 1 | -1 | -1 | -1 | 1 |
表2：实验矩阵的普拉基特-伯曼（PB）设计
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Discussion
用于获得介电的阳极化过程对所制造的TT的性能有强烈影响，保持所有几何参数和活性的制造参数不变。对于 TFT 移动性（TFT 最重要的性能参数之一）而言，通过更改表 I 给出的范围中的制造因子，它可以变化超过 2 个数量级。因此，在制造包含阳极化 Al2O3栅极电的装置时，仔细控制阳极化参数非常重要。半导体/电介质层因电荷/偶极性而出现局部状态是器件性能变化的最重要原因之一，尤其是对于 TFT 移动性。基板清洗对于避免电气参数从器件表征中杂散变化非常重要。使用无碱性残留洗涤剂，使用去离子水对基材进行大量清洗，使用分析纯丙酮和异丙醇进行基板清洗和等离子清洗，对于确保基材的清洁和工艺的可重复性至关重要。阳极化层生长后，对基材进行旋转和干燥，也极其小心。控制电解质的pH、电解质温度和在阳极化期间搅拌电解质溶液也是结果随机变化的来源。还需要通过在洁净室或层压流柜内执行所有步骤来避免灰尘污染。电解质中使用的酸类型也强烈地影响阳极化过程，但是，由于这种因子的影响不能在DOE中正确量化，我们只使用酒石酸，这产生了阳极化的良好结果。
使用 ANOVA 来确定每个制造因素的重要性是设备性能优化的极其强大的工具。然而，为了获得可靠的结果，必须保证分析响应参数的方差是由于因子变化，而不是流产的实验程序。关键点是使每个实验运行的复制尽可能多的。尽管这增加了需要执行的实验数量，但它通过增加实验设计的自由度来提高分析的可靠性。目前采用的一个很好的策略是生产2个样品，每个样品有3个TTF。因此，实验运行只重复了一次，但我们从不同的设备复制了6个结果。这也允许评估来自同一基板（相同介电层和半导体层）的TT和不同基板的TT的方差（不同的介电层和半导体层，但根据相同的程序制造）。如果根据相似制造系数制造的器件的方差与制造系数发生较大变化引起的方差相比较低，则过程的可重复性是可以接受的。
正如之前所强调的，Plackett-Burman的实验设计对于具有大量因素的实验非常方便，因为它允许实验数量大大减少。在8个实验因素中，与全因素设计相比的实验数量从256（28）减少到只有12个。但是，这种减少的成本是无法评估这些因素之间的相互作用。因此，对于预计具有交叉因素影响的系统，PBD 不是最佳选择。一种可能性是使用 PBD 筛选最重要的因素，并在第二时刻对 PBD 中最重要的因素使用全因子设计来确定因子相互作用的影响。
在分析中使用实验设计软件Chemoface30是可选的，结果不应依赖于它。确定因素对系统响应的影响所需的所有计算都可以手动执行（非常耗时）、自定义计算机辅助脚本或其他专业软件（如 Minitab 或 Design-Expert）。然而，Chemoface 是一个用户友好且免费的界面，可无限制地下载。
目前的工作证明，制造由金属铝阳极化生长的Al2O3介电层的薄膜晶体管的可行性。该工艺可轻松扩展到柔性基板，从而大规模生产柔性电子电路。使用Plackett-Burman设计的实验结合ANOVA是一种快速而强大的方法，可以筛选制造因素对器件响应的影响，从而实现TFT性能优化。
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Disclosures
作者没有什么可透露的。
Acknowledgments
作者承认圣保罗研究基金会和巴西FAPESP的资助（19/05620-3，19/08019-9，19/01671-2，16/03484-7和14/13904-8）和皇家工程学院牛顿研究合作计划牛顿基金。作者还感谢B.F.D.B.布拉加、J.B.坎图里亚、利马G.R.和利马·索布林霍和马塞洛·德卡瓦略·博尔巴教授小组提供拍摄设备的技术支持。
Materials
| Name | Company | Catalog Number | Comments |
| Acetone | LabSynth | A1017 | ACS reagent grade |
| Aluminum (Al) Wire Evaporation | Kurt J. Lesker Company | EVMAL40060 | 1.5 mm (0.060") Dia.; 1lb; 99.99% |
| Ammonium hydroxide solution | Sigma Aldrich | 338818 | ACS reagent, 28.0-30.0% NH3 basis |
| Chemoface - Software to set a design of experiment (DOE) | Federal University of Lavras (UFLA), Brazil | Free software developed by Federal University of Lavras (UFLA), Brazil - http://www.ufla.br/chemoface/ | |
| Cleaning detergent | Sigma Aldrich | Alconox | Alkaline detergent for substrate cleaning |
| Ethylene glycol | Sigma Aldrich | 102466 | ReagentPlus, ≥99% |
| Isopropanol | LabSynth | A1078 | ACS reagent grade |
| Glass substrates | Sigma Aldrich | CLS294775X50 | Corning microscope slides, plain |
| L-(+)-Tartaric acid | Sigma Aldrich | T109 | ≥99.5% |
| Mechanical shadow mask for deposition of the sputtered ZnO active layer | Lasertools, Brazil | custom mask | 10 mm x 10 mm square. |
| Mechanical shadow mask for TFT gate electrode | Lasertools, Brazil | custom mask | 25 mm long stripe, 3 mm wide. |
| Mechanical shadow mask for TFT source/drain electrodes | Lasertools, Brazil | custom mask | 100 µm stripes, separated by 100 µm gap, overlapping of 5 mm |
| Plasma cleaner | MTI | PDC-32G | Campact plasma cleaner with vacuum pump |
| Sputter coating system | HHV | Auto 500 | RF sputtering system with thickness and deposition rate control |
| Stiring plate | Sun Valley | MS300 | Stiring plate with heating control |
| Thermal evaporator | HHV | Auto 306 | it has a high precision sensor for measure the thickness and rate of deposition of thin films |
| Two-channel source-measuring unit | Keithley | 2410 | Keithley model 2410 or similar/for anodization process |
| Two-channel source-measuring unit | Keithley | 2612B | Dual channel source-measure unit (SMU) for TFT measurements |
| Ultrasonic bath | Soni-tech | Soni-top 402A | Ultrasonic bath with heating control |
| Zinc Oxide (ZnO) Sputtering Targets | Kurt J. Lesker Company | EJTZNOX304A3 | 3.0" Dia. x 0.250" Thick; 99.9% |
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